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本发明涉及光电二极管及其制造方法。例如，一种制造光电二极管的方法包括：在半导体衬底上形成第一导电类型的掩埋层，并在掩埋层上形成第一本征帽盖外延层。在第一本征帽盖外延层上形成第一导电类型的第一本征外延层。在第一本征外延层中形成第一导电类型的第...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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