半导体装置的制造方法、半导体装置、电路基板、电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置的制造方法、半导体装置、电路基板、电子设备，该制造方法具备：在具备形成有多个电子电路的有源面（１０ａ）的基板（１０）的该有源面侧，嵌入成为电子电路的外部电极的连接端子（２４）的工序；研磨基板（１０）的背面（１０ｂ）来使连接端子（２４）的一部分露出的工序；介由连接端子（２４）将半导体芯片（６０）装配在基板（１０）的背面侧的工序；通过密封材（６２）来对装配在基板（１０）上的半导体芯片（６０）进行密封的工序；按各电子电路的形成区域切断基板（１０），分成多个单片的半导体装置（１）的工序。因此，这种半导体装置的制造方法，能够更简单地实现高密度装置。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置的制造方法、半导体装置、电路基板、电子设备。
技术介绍
目前，笔记本型个人电脑、PDA(Personal data assistance)等具有便携性的电子设备、传感器、微型电机及打印机的打印头等设备，由于小型、轻量化，所以谋求其内部所设的半导体芯片等各种电子部件的小型化。另外，这些电子部件的装配空间也受到极大限制。因此，近年来，使用CSP(Chip Scale Package)或W-CSP(Wafer levelChip Scale Package)的技术来制造超小型的半导体芯片的研究、开发盛行起来(例如，参照专利文献1)。在W-CSP技术中由于在晶圆的状态下一并进行再配置布线(再布线)及树脂密封后、再分离成各个半导体芯片，所以能够制造具有与芯片面积相同程度的面积的半导体装置。另外，也提出有一种三维装配技术，为了进一步高集成化，层叠具有同样的功能的半导体芯片彼此间或具有不同功能的半导体芯片，来电连接各半导体芯片之间，而谋求半导体芯片的高密度装配。专利文献1特开2002-50738号公报最近，通过在W-CSP基板的有源面上进行这样的3维装配来尝试着实现本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征在于具有以下工序：在具备形成有多个电子电路的有源面的基板的该有源面侧，嵌入成为上述电子电路的外部电极的连接端子的工序；研磨上述基板的背面来使上述连接端子的一部分露出的工序；介由上述连接 端子将半导体芯片装配在上述基板的背面侧的工序；通过密封材来对装配在上述基板上的上述半导体芯片进行密封的工序；按各电子电路的形成区域切断上述基板，分成多个单片的半导体装置的工序。

【技术特征摘要】
JP 2003-12-18 2003-4208071.一种半导体装置的制造方法，其特征在于具有以下工序在具备形成有多个电子电路的有源面的基板的该有源面侧，嵌入成为上述电子电路的外部电极的连接端子的工序；研磨上述基板的背面来使上述连接端子的一部分露出的工序；介由上述连接端子将半导体芯片装配在上述基板的背面侧的工序；通过密封材来对装配在上述基板上的上述半导体芯片进行密封的工序；按各电子电路的形成区域切断上述基板，分成多个单片的半导体装置的工序。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在在上述基板的切断工序中，从上述基板的有源面一侧进行该切断。3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在在上述基板的切断工序中，将上述密封材作为支撑材来对上述基板进行划片。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在上述基板的切断工...

【专利技术属性】
技术研发人员：深泽元彦，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]