电子芯片及其制造方法技术

一种用于电子芯片的方法（和结构），该芯片具有至少一层材料，对于所述材料来说，第一载流子类型的载流子迁移率在第一晶面上高于在第二晶面上，且第二载流子类型的载流子迁移率在第二晶面上高于在第二晶面上，包括具有至少一个在所述材料的所述第一晶面上制造的部件，和具有至少一个在所述材料的第二晶面上制造的第二器件，其特征在于所述第一器件的所述部件的活性主要涉及第一载流子类型，所述第二器件的所述部件的活性主要涉及第二载流子类型。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及以优化每一器件的载流子传输方式而在同一晶片上制造n沟道场效应晶体管(FET)和p沟道FET。
技术介绍
锗场效应晶体管(Ge FET)中的载流子传输已知相对于硅场效应晶体管得到增强。因此，现有技术认识到，与硅相比，锗具有更好的电子迁移率。此外，现有技术通常将n-FET和p-FET组合在用于CMOS电路的一个晶片上。然而，现有技术中缺乏的是基于载流子迁移率特性对互补器件结构和方位的优化。
技术实现思路
本专利技术人已经发现，不仅在锗中相对于硅来说载流子迁移率较高，而且还发现为了使载流子迁移率的益处最大化，必须选择适当的发生载流子传输的晶体取向和方向。对于包含两种载流子类型的CMOS来说，这种认识变得更为重要。因此，根据本专利技术的第一方面，提供了一种电子芯片，包含具有至少一层材料的第一器件，对于所述材料来说第一载流子类型的载流子迁移率在第一晶面上高于在第二晶面上，且第二载流子类型的载流子迁移率在所述第二晶面上高于在所述第一晶面上，所述第一器件具有至少一个由所述材料的所述第一晶面制造的部件，所述至少一个部件包括主要是所述第一载流子类型的活性，其中所述第一晶面包含一晶面，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子芯片，包含：具有至少一层材料的第一器件，对于所述材料来说，第一载流子类型的载流子迁移率在第一晶面上高于在第二晶面上，第二载流子类型的载流子迁移率在所述第二晶面上高于所述第一晶面上，所述第一器件具有至少一个利用所述材料的所述第 一晶面制造的部件，所述至少一个部件包括主要是所述第一载流子类型的活性，其特征在于所述第一晶面包含（１１１）晶面，所述第二晶面包含（１００）晶面。

【技术特征摘要】
US 2002-4-4 10/116,5681.一种电子芯片，包含具有至少一层材料的第一器件，对于所述材料来说，第一载流子类型的载流子迁移率在第一晶面上高于在第二晶面上，第二载流子类型的载流子迁移率在所述第二晶面上高于所述第一晶面上，所述第一器件具有至少一个利用所述材料的所述第一晶面制造的部件，所述至少一个部件包括主要是所述第一载流子类型的活性，其特征在于所述第一晶面包含(111)晶面，所述第二晶面包含(100)晶面。2.如权利要求1所述的电子芯片，其特征在于所述第一器件包含n沟道FET(场效应晶体管)，所述至少一个部件包含所述n沟道FET的沟道。3.如权利要求2所述的电子芯片，其特征在于所述n沟道FET的所述沟道与<110>方向对齐。4.如权利要求2所述的电子芯片，其特征在于所述n沟道FET的结构包含FinFET结构。5.如前述任一权利要求所述的电子芯片，其特征在于还包含具有至少一层所述材料的第二器件，所述第二器件具有至少一个利用所述材料的所述第二晶面制造的部件，所述第二器件的所述至少一个部件包括主要是所述第二载流子类型的活性。6.如权利要求5所述的电子芯片，其特征在于所述第二器件包含p沟道FET。7.如权利要求6所述的电子芯片，其特征在于所述第一器件和所述第二器件中至少一个的结构包含FinFET结构。8.如权利要求5所述的电子芯片，其特征在于所述第一器件包含n沟道FET(场效应晶体管)...

【专利技术属性】
技术研发人员：马西莫菲谢帝，波所罗门，宏萨姆菲力普王，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]