【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域的曝光掩模的制造方法、掩模基板信息生成方法、半导体装置的制造方法、掩模基板、曝光掩模及服务器。
技术介绍
随着半导体器件的微细化的进展，对光刻工序的微细化的要求日益提高。器件的设计规则的微细化已达0.13μm，必须控制的图形尺寸精度要求达到10nm程度的极严格的精度。其结果是，近年来，半导体制造过程中采用的光刻工序中的问题日益凸现。问题有作为图形形成工序的高精度化的要因之一的光刻工序中采用的掩模基板的平整度。就是说，在伴随微细化的光刻工序中的焦点容限减小中，掩模基板的平整度已经不能忽视。经过本专利技术人等对掩模基板的平整度的反复研究的结果，搞清楚了以下问题。掩模基板的表面形状千差万别，即使是同样的平整度，也有凸形、凹形、鞍形及其混合形等各种形状。因此，例如是同样的平整度，在利用真空吸盘将掩模基板吸附到晶片曝光装置的掩模台的场合，根据掩模台和真空吸盘的性质配合情况的不同，可出现在吸附时掩模基板发生大变形的场合，几乎不变形的场合或相反平整度良好的场合。这是因为吸附后的掩模基板的平整度与吸附前的掩模基板的表面形状有关，于是，即使是同样的掩模...
【技术保护点】
一种掩模基板的平整度模拟系统，其特征在于包括： 取得有关掩模基板的主面的平整性的第一信息的、测定基板的平整性的单元；以及 取得由根据上述第一信息和与曝光装置的掩模吸盘结构有关的信息进行的把上述掩模基板设置于上述曝光装置时的模拟得到的、有关上述主面的平整度的第二信息的单元。
【技术特征摘要】
JP 2001-5-31 164695/2001;JP 2002-2-28 054919/20021.一种掩模基板的平整度模拟系统，其特征在于包括取得有关掩模基板的主面的平整性的第一信息的、测定基板的平整性的单元；以及取得由根据上述第一信息和与曝光装置的掩模吸盘结构有关的信息进行的把上述掩模基板设置于上述曝光装置时的模拟得到的、有关上述主面的平整度的第二信息的单元。2.如权利要求1所述的掩模基板的平整度模拟系统，其特征在于在上述掩模基板上预先形成有位...
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