引线框以及制造该引线框的方法技术

一种引线框，含有的结构能够将在淀积过程中吸收的氢释放，以及能够降低电镀层之间的电势差，以及提供了一个制造引线框的方法。该方法包括在一个由金属的材料形成的基层上形成一层由Ｎｉ或Ｎｉ合金层形成的Ｎｉ电镀层，在Ｎｉ电镀层上形成一层由Ｐｄ或Ｐｄ合金形成的Ｐｄ电镀层，热处理Ｎｉ电镀层以及Ｐｄ电镀层，以及在热处理的Ｐｄ电镀层上形成一层保护电镀层。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于半导体器件的引线框，以及一个制造引线框的方法。
技术介绍
引线框是形成半导体封装的结构元件，其中半导体芯片安装在上面，并作为将半导体封装连接到一个外部器件的引线，以及作为用于支撑半导体芯片的框架。图1是一个典型的引线框100的平面图，包括一个管芯垫(diepad)110以及围绕管芯垫110排列的多个引线120。管芯垫110在四个角通过一个衬垫支撑引线180连接一个边栏170，以及支撑在其上安装的半导体芯片。引线120包括排列在管芯垫110周围的内引脚130和外引脚140。在内引脚130和外引脚140之间形成支撑架(dam-bar)160，并对内引脚130和外引脚140提供一个框架结构。半导体封装制作完成后去掉边栏170和支撑架160。使用引线框和半导体芯片装配一个半导体封装的传统装配过程包括一个管芯附着工艺，一个引线键合工艺，以及一个模塑工艺。管芯附着工艺是一种将一个芯片(管芯，die)贴在引线框的管芯垫上的工艺，引线键合工艺是一个将半导体芯片末端使用一种导电材料如金线连接到引线框的内引脚的工艺。模塑工艺是一个使用一种绝缘材料如热固树胶密封芯片，导线以及内引脚的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提供用于半导体器件的引线框的方法，包括：　　　　提供一个由金属的材料形成的基层；　　　　在基层上电镀一层Ｎｉ或Ｎｉ合金层；　　　　在Ｎｉ或Ｎｉ合金层上电镀一层Ｐｄ或Ｐｄ合金层；　　　　热处理Ｎｉ或Ｎｉ合金层以及Ｐｄ或Ｐｄ合金层，由此至少在Ｐｄ或Ｐｄ合金层中提供一个扩散层，扩散层的金属成分是热扩散的；以及　　　　在扩散层上形成一层保护电镀层。

【技术特征摘要】
KR 2004-4-16 26204/20041.一种提供用于半导体器件的引线框的方法，包括提供一个由金属的材料形成的基层；在基层上电镀一层Ni或Ni合金层；在Ni或Ni合金层上电镀一层Pd或Pd合金层；热处理Ni或Ni合金层以及Pd或Pd合金层，由此至少在Pd或Pd合金层中提供一个扩散层，扩散层的金属成分是热扩散的；以及在扩散层上形成一层保护电镀层。2.根据权利要求1的方法，其中热处理在温度大于150℃下进行。3.根据权利要求1的方法，其中扩散层包含Pd和Ni，在Ni电镀层和Pb电镀层之间热扩散，使得Pd的浓度从扩散层的下表面到扩散层的上面表面逐渐增加。4.根据权利要求3的方法，其中在扩散层上表面的Pd浓度约5％-约80％。5.根据权利要求1的方法，进一步包括形成金属扩散层后，去掉在金属扩散层表面上形成的氧化物层。6.根据权利要求1的方法，其中保护电镀层由Au或Au合金形成。7.根据权利要求6的方法，其中形成Ni或Ni合金层厚度为20-80μ”，形成Pd或Pd合金层厚度为0.5-0.8μ”，由Au和Ag形成的保护电镀层厚度为0.8-1.5μ”。8.根据权利要求1的方法，其中基层由合金42形成。9.一种提供用于半导体器件的引线框的方法，包括在由金属形成的一个基金属层上形成一个包括Ni合金的第一电镀层；热处理第一电镀层，以及由此在第一电镀层中提...

【专利技术属性】
技术研发人员：白城官，朴世喆，李尚勋，
申请(专利权)人：三星TECHWIN株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]