电子束曝光方法及电子束曝光装置制造方法及图纸

一种电子束曝光方法，是以连续的速度使被曝光物和电子束照射点相互相对地移动的电子束曝光方法，其特征在于，　　　　通过使在所述被曝光物上形成所述电子束照射点的电子光学系统的透过率发生变化，使所述被曝光物以多个电子束照射强度曝光。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及进行电子束曝光，该电子束曝光是以连续的速度使被曝光物和电子束照射点相互相对地移动，例如光信息记录媒体或磁盘等的制造。
技术介绍
以光信息记录媒体的原盘记录为例，说明以连续的速度使被曝光物和电子束照射点相互相相对地移动的电子束曝光的现有技术。关于光信息记录媒体的原盘，长期以来使用的是通过在原盘上涂覆抗蚀剂(resist)，用激光使抗蚀剂感光后，对原盘进行显影处理，来形成信息坑等的图案的技术，但最近，伴随直径12cm的光信息记录媒体平均一张的记录容量增大为25GB～50GB，信息坑大小的微细化得到发展，使得能使用比起激光聚光性远的高电子束使抗蚀剂感光的技术。下面，使用图14，对光信息记录媒体的原盘记录中使用的现有的电子束曝光装置进行说明。由发射器1201释放出的电子束，通过孔径1202整形后，由透镜1203聚合。消隐偏转器1204能偏转被聚合的电子束，例如，如特开平11-288538号公报中所记载那样，被偏转的电子束碰到消隐屏蔽板1205(图中，以虚线表示)，不能照射到记录原盘1207上。另一方面，未由消隐偏转器1204被偏转的电子束，进一步通过透镜1206被聚合到记录原盘1207上。记录原盘1207载置在旋转台1208上，旋转台1208通过旋转轴1209与旋转马达1210连接。还有，旋转马达1210载置在滑块1211上，可以水平移动。另外，这些1201～1211被放置在通过圆柱1212和箱体1213而与外界屏蔽的真空中。在以上说明的结构的现有的电子束曝光装置中，信息信号模式通过消隐偏转器1204被变换为电子束照射的导通、截止。然后，通过记录原盘1207与旋转台1208一起旋转运动，并且借助滑块1211而水平移动，可以将由消隐偏转器1204控制的电子束螺旋状地照射在记录原盘1207上。另外，依据电子束曝光装置，消隐屏蔽板的形状，例如有上述公报中记载的孔径状、棱状，而且透镜或孔径的个数或位置也有所不同，但电子束照射的控制原理都与上述说明的相同。如果使用这样的电子束曝光装置，则可以实现比激光进行的原盘记录更远远微细的图案的曝光。由于在现有的电子束曝光方法及电子束曝光装置中，只能实现电子束照射、不照射之一，却不能实现根据信息坑的长度改变电子束的照射强度或者曝光宽度连续变化的沟槽等的复杂的曝光控制。为此，例如为了抗蚀剂的高感光度化，而使用了化学放大型抗蚀剂等的情况下，照射电流量多的坑越长则坑的宽度越宽的倾向越专利技术显，因此很难保持长坑与短坑的平衡。另外，如果使照射强度一定，则曝光线速度一定，当将原盘装载在旋转台上边旋转边进行曝光的情况下，不能以恒定角速度进行记录(CAV记录)。
技术实现思路
为了解决现有技术的上述课题，本专利技术的第1电子束曝光方法，是以连续的速度使被曝光物和电子束照射点相互相对地移动的电子束曝光方法，其特征在于，通过借助由消隐偏转器进行的电子束的偏转方向的控制或由消隐屏蔽板的移动来改变向消隐屏蔽板的电子束的碰撞状态，使电子光学系统的透过率发生变化。根据本专利技术的上述电子束曝光方法，能够实现根据坑长的长度控制电子束照射强度以控制每个坑的坑宽度，和能够通过根据记录原盘的曝光半径控制电子束照射强度，来实现在一定角速度下的记录。在此，上述移动包括旋转运动。还有，本专利技术的第2电子束曝光方法，是以连续的速度使被曝光物和电子束照射点相互相对地移动的电子束曝光方法，其特征在于，通过由消隐偏转器进行的电子束的偏转方向的控制或消隐屏蔽板的移动来改变向具有多个透过形状的消隐屏蔽板的电子束的碰撞状态，使电子光学系统的透过率发生变化。按照本专利技术的上述电子束曝光方法，能够实现根据坑长的长度控制电子束照射强度以控制每个坑的坑宽度，和能够通过根据记录原盘的曝光半径控制电子束照射强度，来实现在一定角速度下的记录。再有，本专利技术的第3电子束曝光方法，是以连续的速度使被曝光物和电子束照射点相互相对地移动的电子束曝光方法，其特征在于，通过连续变化孔径的透过形状，使电子束照射强度连续地变化。按照本专利技术的上述电子束曝光方法，通过根据记录原盘的曝光半径来控制电子束照射强度，实现在一定角速度下的记录。在此基础上，为了解决现有技术的上述课题，本专利技术的电子束曝光装置，是以连续的速度使被曝光物和电子束照射点相互相对地移动的电子束曝光装置，其特征在于，具备电子光学系统，其在所述被曝光物上形成所述电子束照射点；和消隐机构，其改变所述电子光学系统的透过率，使得由所述电子光学系统以多个电子束照射强度曝光所述被曝光物。按照本专利技术的上述电子束曝光装置，能够实现根据坑长的长度控制电子束照射强度以控制每个坑的坑宽度，和能够通过根据记录原盘的曝光半径控制电子束照射强度，来实现一定角速度的记录。附图说明图1是表示有关本专利技术的实施方式1的电子束曝光装置的概略剖面图。图2是说明在图1的电子束曝光装置中使用的消隐屏蔽板的消隐动作的图。图3(a)、图3(b)、图3(c)分别是表示在图1的电子束曝光装置中形成的图案的3个例子的图。图4是表示在图1的电子束曝光装置中使用的消隐偏转器和消隐屏蔽板的配置的一个例子的概略剖面图。图5是说明有关本专利技术的实施方式2的电子束曝光装置中使用的消隐屏蔽板的消隐动作的图。图6是表示作为图5的消隐屏蔽板的变形例的消隐屏蔽板的图。图7是说明有关本专利技术的实施方式3的电子束曝光装置中使用的消隐屏蔽板的消隐动作的图。图8是说明由图7的消隐屏蔽板的移动实现的消隐动作的图。图9是表示有关本专利技术的实施方式4的电子束曝光装置的概略剖面图。图10是表示图9的电子束曝光装置中使用的孔径的放大立体图。图11是表示作为图9的电子束曝光装置的第1变形例的电子束曝光装置的概略剖视图。图12是表示作为图9的电子束曝光装置的第2变形例的电子束曝光装置的概略剖视图。图13是表示图12的电子束曝光装置中使用的可动式孔径的放大立体图。图14是表示现有的电子束曝光装置的概略剖面图。具体实施例方式下面，参照附图，说明有关本专利技术的实施方式。关于电子束曝光装置的结构参照图1说明，但本专利技术，主要是关于导通、截止控制电子束照射的消隐机构和电子束的整形机构的动作的专利技术，关于例如聚焦透镜的配置或个数、搭载光信息记录介质的原盘的台等这些与消隐机构或电子束的整形机构不相关的部件，并不局限于图1所示。另外，关于电子束的消隐机构及整形机构也一样，只要是实现本专利技术的机构，不管使用任何机构都可以，而并不局限于图1所示。(实施方式1)图1表示有关本专利技术的实施方式1的电子束曝光装置。该电子束曝光装置使用于向记录原盘107的螺旋状的曝光。图1中，由发射器101释放出的电子束，通过孔径102整形后，由透镜103聚合。消隐偏转器104能偏转被聚合的电子束，通过该偏转方向，使电子束向消隐屏蔽板105的碰撞状态得到控制。未被消隐屏蔽板105屏蔽的电子束，通过透镜106聚合在记录原盘107上，形成照射点114。记录原盘107载置在旋转台108上，旋转台108通过旋转轴109与旋转马达110连接。还有，旋转马达110载置在滑块111上，可以水平移动。另外，这些101～111被放置在通过圆柱112和箱体113而与外界屏蔽的真空中。图2表示用本专利技术的方法曝光时的向消隐屏蔽板105的电子束的碰撞状态(a列)、通过消隐屏蔽板本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电子束曝光方法，是以连续的速度使被曝光物和电子束照射点相互相对地移动的电子束曝光方法，其特征在于，通过使在所述被曝光物上形成所述电子束照射点的电子光学系统的透过率发生变化，使所述被曝光物以多个电子束照射强度曝光。2.根据权利要求1所述的电子束曝光方法，其特征在于，通过改变向消隐屏蔽板的电子束的碰撞状态，使所述电子光学系统的透过率发生变化。3.根据权利要求2所述的电子束曝光方法，其特征在于，通过由消隐偏转器控制所述电子束的偏转状态，改变向所述消隐屏蔽板的所述电子束的碰撞状态。4.根据权利要求3所述的电子束曝光方法，其特征在于，使用第1偏转状态，即由所述消隐偏转器使所述电子束偏转至第1方向，使所有的所述电子束碰撞到所述消隐屏蔽板上；第2偏转状态，即所述电子束偏转至第2方向，使所述电子束完全不碰撞所述消隐屏蔽板；和第3偏转状态，即不用所述消隐偏转器使所述电子束偏转，使所述电子束部分地碰撞到所述消隐屏蔽板上。5.根据权利要求2所述的电子束曝光方法，其特征在于，将所述电子束部分地碰撞所述消隐屏蔽板时的电子束照射强度设为所述电子束完全不碰撞所述消隐屏蔽板时的电子束照射强度的97％以下。6.根据权利要求2所述的电子束曝光方法，其特征在于，通过使所述消隐屏蔽板具有多个所述电子束的透过形状，使所述被曝光物以多个电子束照射强度曝光。7.根据权利要求6所述的电子束曝光方法，其特征在于，通过消隐偏转器使所述电子束的偏转方向连续...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤英一，佃雅彦，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：