本申请提供了一种晶圆键合的控制方法、控制装置以及键合系统，该方法包括：键合机台获取第一晶圆和第二晶圆的对准偏差，第一晶圆和第二晶圆为待键合的两个晶圆；在对准偏差大于或者等于预定阈值的情况下，键合机台对第一晶圆和/或第二晶圆进行调整，以使得调整后的对准偏差小于预定阈值；键合机台对调整后的第一晶圆和第二晶圆进行键合。该方法在键合工序确定第一晶圆和第二晶圆的对准偏差，保证了对准偏差较为准确，进而保证了根据对准偏差调整后的两片晶圆基本一致，从而保证了调整后的两片晶圆的键合精度较高。晶圆的键合精度较高。晶圆的键合精度较高。
【技术实现步骤摘要】
晶圆键合的控制方法、控制装置以及键合系统
[0001]本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种晶圆键合的控制方法、控制装置、计算机可读存储介质、处理器以及键合系统。
技术介绍
[0002]键合工艺可以将两个或者多个功能相同或不同的芯片进行三维集成，这样大幅度减小了芯片研发与制造周期，缩短功能芯片之间的金属互联，缓解发热、功耗和延迟等问题，但前提是保证较高的键合对准精度。
[0003]晶圆键合前的比例缩放是键合工艺中对准精度的重要指标之一，由于待键合的两片晶圆形变值不同，需要通过调整键合吸盘的参数来补偿两片晶圆之间的缩放比例的差异。
[0004]目前的补偿机制是在键合工艺前的工艺中(如光刻工艺)测量每对待键合晶圆的形变值，根据测量的形变值预测每对晶圆需要的缩放补偿值，根据所述补偿值设定键合机台中晶圆吸盘的作业参数，来实现缩放补偿。但是由于光刻等工艺与键合工艺之间还有一些制程，晶圆在这些制程中也会发生改变，造成预测的上述缩放补偿值不准确，最终造成对准精度较低的问题。
[0005]在
技术介绍
部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的
技术介绍
的理解，因此，
技术介绍
中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。
技术实现思路
[0006]本申请的主要目的在于提供一种晶圆键合的控制方法、控制装置、计算机可读存储介质、处理器以及键合系统，以解决现有技术中键合的对准精度较低的问题。
[0007]根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种晶圆键合的控制方法，包括：键合机台获取第一晶圆和第二晶圆的对准偏差，所述第一晶圆和所述第二晶圆为待键合的两个晶圆；在所述对准偏差大于或者等于预定阈值的情况下，所述键合机台对所述第一晶圆和/或所述第二晶圆进行调整，以使得调整后的所述对准偏差小于所述预定阈值；所述键合机台对调整后的所述第一晶圆和所述第二晶圆进行键合。
[0008]可选地，键合机台获取第一晶圆和第二晶圆的对准偏差，包括：所述键合机台获取第一信息和第二信息，所述第一信息包括所述第一晶圆的第一尺寸信息以及所述第一晶圆的第一标记的位置信息，所述第二信息包括所述第二晶圆的第二尺寸信息以及所述第二晶圆的第二标记的位置信息；所述键合机台根据所述第一信息和所述第二信息，确定所述对准偏差。
[0009]可选地，在所述对准偏差大于或者等于预定阈值的情况下，所述键合机台对所述第一晶圆和/或所述第二晶圆进行调整，以使得调整后的所述对准偏差小于所述预定阈值，包括：第一确定步骤，在所述对准偏差大于或者等于所述预定阈值的情况下，所述键合机台
根据所述对准偏差，确定所述第一晶圆的第一调整值和/或所述第二晶圆的第二调整值；调整步骤，所述键合机台根据所述第一调整值和/或所述第二调整值，调整所述第一晶圆和/或所述第二晶圆；获取步骤，所述键合机台获取调整后的所述对准偏差；第二确定步骤，所述键合机台确定调整后的所述对准偏差是否小于所述预定阈值，在调整后的所述对准偏差小于所述预定阈值的情况下，所述键合机台停止调整动作。
[0010]可选地，在调整后的所述对准偏差大于或者等于所述预定阈值的情况下，所述方法还包括：重复步骤，依次重复所述第一确定步骤、所述调整步骤、所述获取步骤以及所述第二确定步骤至少一次，直到调整后的所述对准偏差小于所述预定阈值。
[0011]可选地，所述键合机台包括第一吸附平台和第二吸附平台，所述第一晶圆位于所述第一吸附平台上，所述第二晶圆位于所述第二吸附平台上，所述调整步骤包括：所述键合机台根据所述第一调整值和/或所述第二调整值，确定所述第一吸附平台的第一工作参数和/或所述第二吸附平台的第二工作参数；所述第一吸附平台按照所述第一工作参数作业，以调整所述第一晶圆，和/或所述第二吸附平台按照所述第二工作参数作业，以调整所述第二晶圆。
[0012]可选地，所述对准偏差包括缩放偏差、偏移偏差以及偏转偏差。
[0013]根据本专利技术实施例的另一方面，还提供了一种晶圆键合的控制装置，包括获取单元、调整单元以及键合单元，其中，所述获取单元用于键合机台获取第一晶圆和第二晶圆的对准偏差，所述第一晶圆和所述第二晶圆为待键合的两个晶圆；所述调整单元用于在所述对准偏差大于或者等于预定阈值的情况下，所述键合机台对所述第一晶圆和/或所述第二晶圆进行调整，以使得调整后的所述对准偏差小于所述预定阈值；所述键合单元用于所述键合机台对调整后的所述第一晶圆和所述第二晶圆进行键合。
[0014]根据本专利技术实施例的再一方面，还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质包括存储的程序，其中，所述程序执行任意一种所述的方法。
[0015]根据本专利技术实施例的又一方面，还提供了一种处理器，所述处理器用于运行程序，其中，所述程序运行时执行任意一种所述的方法。
[0016]根据本专利技术实施例的另一方面，还提供了一种键合系统。包括键合机台以及所述键合机台的控制装置，所述控制装置用于执行任一种所述的方法。
[0017]在本专利技术实施例中，所述的晶圆键合的控制方法，首先，键合机台获取第一晶圆和第二晶圆的对准偏差；然后，在所述对准偏差大于或者等于预定阈值的情况下，所述键合机台调整所述第一晶圆和/或第二晶圆，使得调整后的所述对准偏差小于所述预定阈值；最后，所述键合机台将对准偏差小于所述预定阈值的所述第一晶圆和所述第二晶圆进行键合。相比现有技术中，根据键合工序前的预定工序测试第一晶圆和第二晶圆的形变值，再根据形变值预测缩放补偿值，由于预测的缩放补偿值准确度较低，造成晶圆之间键合的对准精度较低的问题，本申请的所述方法在键合工序确定所述第一晶圆和所述第二晶圆的对准偏差，保证了所述对准偏差较为准确，进而保证了根据所述对准偏差调整后的两片晶圆基本一致，从而保证了调整后的两片晶圆的键合精度较高。
附图说明
[0018]构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示
意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
[0019]图1示出了根据本申请的实施例的晶圆键合的控制方法生成的流程示意图；
[0020]图2示出了根据本申请的实施例的第一晶圆和第二晶圆的示意图；
[0021]图3示出了根据本申请的实施例的晶圆键合的控制装置的示意图。
[0022]其中，上述附图包括以下附图标记：
[0023]100、第一晶圆mark点；101、第二晶圆mark点。
具体实施方式
[0024]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
[0025]为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆键合的控制方法，其特征在于，包括：键合机台获取第一晶圆和第二晶圆的对准偏差，所述第一晶圆和所述第二晶圆为待键合的两个晶圆；在所述对准偏差大于或者等于预定阈值的情况下，所述键合机台对所述第一晶圆和/或所述第二晶圆进行调整，以使得调整后的所述对准偏差小于所述预定阈值；所述键合机台对调整后的所述第一晶圆和所述第二晶圆进行键合。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，键合机台获取第一晶圆和第二晶圆的对准偏差，包括：所述键合机台获取第一信息和第二信息，所述第一信息包括所述第一晶圆的第一尺寸信息以及所述第一晶圆的第一标记的位置信息，所述第二信息包括所述第二晶圆的第二尺寸信息以及所述第二晶圆的第二标记的位置信息；所述键合机台根据所述第一信息和所述第二信息，确定所述对准偏差。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述对准偏差大于或者等于预定阈值的情况下，所述键合机台对所述第一晶圆和/或所述第二晶圆进行调整，以使得调整后的所述对准偏差小于所述预定阈值，包括：第一确定步骤，在所述对准偏差大于或者等于所述预定阈值的情况下，所述键合机台根据所述对准偏差，确定所述第一晶圆的第一调整值和/或所述第二晶圆的第二调整值；调整步骤，所述键合机台根据所述第一调整值和/或所述第二调整值，调整所述第一晶圆和/或所述第二晶圆；获取步骤，所述键合机台获取调整后的所述对准偏差；第二确定步骤，所述键合机台确定调整后的所述对准偏差是否小于所述预定阈值，在调整后的所述对准偏差小于所述预定阈值的情况下，所述键合机台停止调整动作。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在调整后的所述对准偏差大于或者等于所述预定阈值的情况下，所述方法还包括：重复...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯皓，刘武，赵志远，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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