一种检测氮化镓基发光二极管质量优劣的方法技术

本发明专利技术公开了一种检测氮化镓基半导体发光二极管质量优劣的方法。它是根据ＧａＮ基半导体发光二极管中存在的压电效应和ＩｎＮ类量子点结构，通过测量在不同注入电流下，发光峰位的蓝移量来判断发光二极管性能的优劣。在相同注入电流下，如果发光峰位蓝移量越大，电流的注入效率就越高，电流在芯片、电极、支架、引线等器件各个部分上的损失就越小。这就说明制造发光二极管的各个工艺过程，如材料生长、电极加工、封装控制的比较好，产品的质量相对就比较高。本发明专利技术具有操作简单，易于批量使用的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体发光二极管(LED)的检测方法，特别是指一种检测氮化镓(GaN)基LED质量优劣的方法。
技术介绍
由GaN基半导体材料制成的高效蓝、绿光和白光发光二极管具有寿命长、节能、绿色环保等显著特点，已被广泛应用于大屏幕彩色显示、汽车照明、交通信号、多媒体显示和光通讯等领域，特别是在照明领域具有广阔的发展潜力。高质量的半导体发光二极管是使其得到广泛应用的前提条件。目前，用来衡量一个发光二极管质量优劣的参数很多，包括光电转化效率、内外量子效率、光输出效率、发光强度、功耗、最大正向及反向电流电压、光谱半宽度、视角、流明效率等，而其中最重要的是外量子效率，它直接反映了发光二极管性能的优劣。发光二极管的外量子效率可以表示为内量子效率与电流注入效率及光输出效率的乘积。内量子效率反映了器件材料生长质量的高低；光输出效率与器件几何构型密切相关；电流注入效率为通过发光二极管PN结的电子电流和总电流之比，反应了PN结材料层、支架、电极、引线所引起的电流损失情况，直接关系到外量子效率的高低。电流注入效率高，注入到PN结量子阱中的载流子就多，发生辐射复合的几率就高，内量子效率相对就高。在工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检测氮化镓基发光二极管质量优劣的方法，其特征在于具体步骤如下：Ａ．将被测样品ＧａＮ基ＬＥＤ置于显微－拉曼荧光光谱仪的物镜下，接通电源使ＬＥＤ发光，移动样品台使ＬＥＤ发光光束对准物镜，将注入电流调至最低但仍可发光，调节焦距，将物镜 焦点聚在ＬＥＤ发光面上；Ｂ．调节注入电流，从０开始逐渐增大，每间隔５００ｕＡ或１ｍＡ由光谱仪的ＣＣＤ探测器采集一幅电致发光光谱；Ｃ．然后对采集的每一幅光谱中位于峰值的２／３数值大小以上的光谱段采用高斯线形进行拟合，以便有效地 降低噪声带来的峰位读取误差，获得其准确的发光峰位；Ｄ．对发光峰位第一次发生蓝移的一幅电致发光光谱...

【技术特征摘要】
1.一种检测氮化镓基发光二极管质量优劣的方法，其特征在于具体步骤如下A.将被测样品GaN基LED置于显微-拉曼荧光光谱仪的物镜下，接通电源使LED发光，移动样品台使LED发光光束对准物镜，将注入电流调至最低但仍可发光，调节焦距，将物镜焦点聚在LED发光面上；B.调节注入电流，从0开始逐渐增大，每间隔500uA或1mA由光谱仪的CCD探测器采集一幅电致发光光谱；C.然后对采集的每一幅光谱中位于峰值的2/3数值大小以上的光谱...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆卫，夏长生，李志锋，李宁，王少伟，张波，陈平平，陈效双，陈明法，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，上海蓝宝光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]