具有温度受控的表面的基片支架制造技术

一种具有温度受控的基片支架表面的基片支架，包括：液体供应系统，该液体供应系统具有至少一个液体源和多个液流通道。该液体供应系统可以包括控制液体分配到各液流通道的阀门。该液体供应系统还可以包括控制其运行的控制器。液体可以以各种方式通过液流通道进行分配。该基片支架还可以包括一个传热气体供应系统，其在基片支架表面和基片支架表面上支撑的基片之间供应传热气体。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及等离子体处理装置，更特别涉及一种温度受控的基片支架。
技术介绍
等离子体处理装置可用于的处理包括半导体、介质和金属材料的等离子蚀刻、物理气相沉积、化学气相沉积(CVD)、离子注入和抗蚀剂去除。这种基片包括，例如，半导体晶片和纯平显示器。基片可以具有各种规则和不规则的形状和尺寸。一种在半导体材料处理中使用的等离子体处理装置包括一个反应室，该反应室包括一个上电极(阳极)和一个下电极(阴极)。待处理的基片支撑在反应室中的基片支架上。气体分配系统将生产气体引入反应室。在阳极和阴极之间建立的磁场从生产气体产生等离子。在等离子体处理期间，希望通过蚀刻从基片去除的材料和沉积在基片上的材料是均匀的，使得由处理后的基片制造的设备具有良好的电性能。但是，因为半导体晶片尺寸增加，而在晶片上形成的特征的尺寸降低，所以要实现这个目标变得日益困难。在等离子体处理期间，用包括机械吸盘和静电吸盘(ESC)的基片架将基片固定在反应室中的基片支架上。在美国专利5,310,453、5,382,311、5,609,720、5,671,116、5,675,471、5,835,334、6,077,357、6,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可用在等离子体处理装置中的基片支架，包括：主体，其具有一个支撑面，用于支撑位于等离子体处理装置的反应室中的基片；第一液流通道，其延伸通过主体的第一部分，从而提供对支架表面的第一部分的温度控制；第二液流通道，其延伸 通过主体的第二部分，从而提供对支架表面的第二部分的温度控制；第一入口，其与第一液流通道流体连通；第二入口，其与第二液流通道流体连通；第一出口，其与第一液流通道流体连通；以及第二出口，其与第二液流通道流体连通。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-3-31 10/401,8611.一种可用在等离子体处理装置中的基片支架，包括主体，其具有一个支撑面，用于支撑位于等离子体处理装置的反应室中的基片；第一液流通道，其延伸通过主体的第一部分，从而提供对支架表面的第一部分的温度控制；第二液流通道，其延伸通过主体的第二部分，从而提供对支架表面的第二部分的温度控制；第一入口，其与第一液流通道流体连通；第二入口，其与第二液流通道流体连通；第一出口，其与第一液流通道流体连通；以及第二出口，其与第二液流通道流体连通。2.如权利要求1的基片支架，还包括第一供应管路，其与第一入口流体连通；以及第二供应管路，其与第二入口流体连通；第一回流管路，其与第一出口流体连通；以及第二回流管路，其与第二出口流体连通。3.如权利要求2的基片支架，还包括温度受控的液体源，其与第一供应管路和第二供应管路流体连通；第一阀门，通过操作用于控制流过第一供应管路的液体流；以及第二阀门，通过操作用于控制流过第二供应管路的液体流。4.如权利要求3的基片支架，还包括第三阀门，用于控制通过第一回流管路的液体流；以及第四阀门，用于控制通过第二回流管路的液体流。5.如权利要求1的基片支架，还包括第一温度受控的液体源，其与第一供应管路流体连通；第一阀门，其通过操作用于控制通过第一供应管路的液体流；第二温度受控的液体源，其与第二供应管路流体连通；以及第二阀门，其通过操作用于控制通过第二供应管路的液体流。6.如权利要求3的基片支架，还包括一个控制器，其通过操作用于选择性地打开和关闭第一阀门和第二阀门。7.如权利要求5的基片支架，还包括一个控制器，其通过操作用于选择性地打开和关闭第一阀门和第二阀门。8.如权利要求1的基片支架，其中，支架表面是圆形的，第一液流通道平行于支架表面并按圆周方向延伸，以及，第二液流通道平行于支架表面并按圆周方向延伸，该第二液流通道与第一液流通道是同心的。9.如权利要求1的基片支架，其中，支架表面是圆形的，第一液流通道平行于支架表面并按圆周方向延伸，以及，第二液流通道平行于支架表面并按圆周方向延伸，该第二液流通道与第一液流通道是不同心的。10.如权利要求1的基片支架，其中，支架表面包括一个静电吸盘的暴露表面。11.如权利要求1的基片支架，其中，支架主体包括在第一液流通道和第二液流通道之间的热中断。12.如权利要求11的基片支架，其中，该热中断包括一个延伸进入主体的开放沟道。13.如权利要求1的基片支架，还包括第三液流通道，其延伸通过主体的第三部分，从而提供对支架表面的第三部分的温度控制；以及第三入口，其与第三液流通道流体连通。14.如权利要求13的基片支架，其中，支架主体包括在第一液流通道和第二液流通道之间的第一热中断，以及在第二液流通道和第三液流通道之间的第二热中断。15.如权利要求1的基片支架，还包括至少一个位于支架表面上的气体通道开口，以及一个气体供应入口，通过该入口可以将传热气体供应到气体通道。16.如权利要求2的基片支架，还包括温度受控的液体源；第一阀门；第二阀门；第三阀门；第四阀门；以及公用管路，其与第一供应管路、第二供应管路、第一回流管路和第二回流管路流体连通；其中，公用管路(i)从温度受控的液体源供应液体到第一供应管路和第二供应管路，以及(ii)从第一回流管路和第二回流管路接收液体；其中，第一阀门控制液体流过第一回流管路；其中，第二阀门控制液体流过第二回流管路；其中，第三阀门控制液体流过公用管路在第一供应管路和第一回流管路之间的部分；以及其中，第四阀门控制液体流过公用管路在第二供应管路和第二回流管路之间的部分。17.如权利要求1的基片支架，还包括温度受控的液体源；第一阀门；第二阀门；第三阀门；第四阀门；第五阀门；第六阀门；第一连接管路和第二连接管路，其与第一供应管路、第二供应管路、第一回流管路和第二回流管路流体连通；其中，第一供应管路和第二供应管路分别从温度受控的液体源供应液体到第一液流通道和第二液流通道；其中，第一连接管路在第一供应管路和第二供应管路之间延伸；其中，第二连接管路在第一回流管路和第二回流管路之间延伸；其中，第一阀门控制液体流过第一供应管路；其中，第二阀门控制液体流过第二供应管路；其中，第三阀门控制液体流过第一连接管路；其中，第四阀门控制液体流过第一回流管路；其中，第五阀门控制液体流过第二回流管路；以及其中，第六阀门控制液体流过第二连接管路；18.一种等离子体处理装置，其包括根据权利要求1的基片支架。19.一种用于热控制等离子体处理装置中的基片支架的方法，包括把基片放置在根据权利要求1的在等离子体处理装置的反应室中的基片支架的支架表面上；向反应室中引入生产气体；由反应室中的生产气体产生等离子体；处理基片；以及从至少一个液体源把液体选择性地至少通过第一入口分配到第一液流通道和/或通过第二入口分配到第二液流通道，从而控制支架表面的第一部分和/或第二部分处的温度。20.一种用在等离子体处理装置中的基片支架，包括主体，其具有用于支撑等离子体处理装置的反应室中的基片的支架表面；在主体中提供的多个液流通道，每个液流通道具有一个供应管路和一个回流管路；以及液体供应系统，其包括与液流通道的供应管路和回流管路流体连通的至少一个液体源，该液体供应系统通过操作用于从该至少一个液体源供应液体到一个或多个选定的液流通道，以控制支架表面的一个或多个选定部分处的温度。21.如权利要求20的基片支架，还包括一个控制器，其通过操作用于控制液体供应系统的操作，从而(i)从该至少一个液体源顺序地分配液体到一个或多个选定的液流通道；(ii)从该至少一个液体源分配液体到至少一个液流通道，同时旁路至...

【专利技术属性】
技术研发人员：基思E道森，埃里克H兰兹，
申请(专利权)人：兰姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]