电子设备制造方法技术

提供了一种电子设备的制造方法，其中利用１９３ｎｍ光刻形成一个互连。理想线宽不发生变形，在于使用了离解成低分子量离子的等离子气体。该电子设备特别是一个集成电路。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种电子设备的制造方法，此电子设备包括多个电气元件和按照预期图案使所述电气元件相互连接的互连结构，在该方法中通过下面的方式来提供垂直互连在导电表面上提供至少一层介电材料；提供一层适用于波长至多为200nm的辐射的光刻胶层；以波长至多为200nm的光辐照光刻胶层并使其显影；及将该介电材料层图案化。例如从Habermas等人，Proc.SPIE，4689(2002)，92-101中可以获知该方法。在该方法中，使用ArF源产生的波长λ为193nm的辐射。采用该辐射来满足ITRS(国际半导体技术发展路线图)对缩减电路设计规模的要求。如Habermas所述，已知方法的问题在于，由于垂直互连的直径无法控制的小于预期值而导致光刻胶变形。直径的降低—也公知为线宽缩小—可大于20％。因此，本专利技术的目的是提供开篇提到的那种方法，在此方法中光刻胶不发生变形。利用等离子气进行等离子点火步骤以实现此目的，该等离子气离解成原子量最大等于CF的原子量的离子。在引出本专利技术的实验中发现膨胀效应导致了光刻胶层的变形。通过离子轰击来加热光刻胶层导致了这些膨胀效应。因此说明如果利用小分子量离子进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子设备的制造方法，此电子设备包括多个电气元件和根据预期图案使所述电气元件相互连接的互连结构，所述结构包括通过至少一层介电材料的垂直互连，在该方法中该垂直互连的提供包括以下步骤：－将至少一层介电材料提供到导电表面之上；－ 提供适合于波长至多为２００ｎｍ的辐射的光刻胶层；－以波长至多为２００ｎｍ的光辐照该光刻胶层并使其显影；及－将该介电材料层图案化，特征在于在将该介电材料层图案化之前，利用等离子气体进行等离子点火处理，该等离子气体离解成 原子量最多等于ＣＦ的原子量的离子。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2003-5-19 03101395.61.一种电子设备的制造方法，此电子设备包括多个电气元件和根据预期图案使所述电气元件相互连接的互连结构，所述结构包括通过至少一层介电材料的垂直互连，在该方法中该垂直互连的提供包括以下步骤-将至少一层介电材料提供到导电表面之上；-提供适合于波长至多为200nm的辐射的光刻胶层；-以波长至多为200nm的光辐照该光刻胶层并使其显影；及-将该介电材料层图案化，特征在于在将该介电材料层图案化之前，利用等离子气体进行等离子点火处理，该等离子气体离解成原子量最多等于CF的原子量的离子。2.如权利要求1所述的方法，特征在于该等离子气体选自N2、He、CF4...

【专利技术属性】
技术研发人员：古川有纪子，罗贝尔图斯AM沃尔特斯，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]