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提供了一种电子设备的制造方法，其中利用１９３ｎｍ光刻形成一个互连。理想线宽不发生变形，在于使用了离解成低分子量离子的等离子气体。该电子设备特别是一个集成电路。...
该专利属于NXP股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过NXP股份有限公司授权不得商用。

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