布图图案形成装置及布图图案形成装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种高精度且低成本的布图图案形成装置。该装置以（１００）晶向的单晶硅为母材，通过光刻工序形成具有斜面部和布图材料导引槽的梳齿部。以与形成导引槽相同的工序形成该梳齿部的各个梳齿共用的储存布图材料的储液部。在形成斜面部时，可以通过进行湿式各向异性蚀刻，利用基于晶向的蚀刻速度之差来相对于晶向（１００）高精度且容易地形成具有（１１１）晶向的斜面部，此外还可以通过各向异性干蚀刻来形成槽部，从而以高精度形成直到斜面部的、具有垂直侧壁的布图材料导引槽。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及布案形成装置及其制造方法，特别涉及用于形成隔板等的梳齿状的布案的装置及其制造方法。本专利技术更加特别地涉及用于在要形成布案的衬底上直接喷出布图材料从而形成布案的装置及其制造方法。
技术介绍
在半导体装置中，在衬底上形成各种布线和/或元件的布案。为了形成该布案，以往采用称为光刻法的工序。在该光刻法工序中，将要布图的材料形成在衬底表面上，并在该衬底上涂布抗蚀层，然后进行抗蚀层的干燥、曝光、显影。抗蚀层被图案化成预定形状，然后以该抗蚀膜为掩模进行蚀刻处理。在该处理之后，进行抗蚀膜的去除。形成于该衬底上的布图对象的材料存在很多种。例如在制造作为一种平面显示装置(平板显示装置)的等离子体显示装置所使用的面板时，形成用于分隔像素的隔板的材料被涂布在整个衬底表面上，然后进行图案化。当在衬底上形成膜厚较厚的布案时，一般采用光刻工序。但是，如上所述，该光刻工序根据各处理而需要抗蚀层涂布用的涂布装置、进行曝光的曝光装置、进行显影的显影装置以及进行蚀刻处理的蚀刻装置等的装置，从而存在工序数增多，制造成本升高的问题。此外，当改变布案的种类时，需要更换与形成布案有关的掩模，以及改变各装置的处本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种布图图案形成装置，包括：具有第一和第二主表面的单晶衬底；从所述单晶衬底的第一主表面开始在预定方向上形成的斜面部；以及从所述单晶衬底的第二主表面开始以预定间距形成为梳齿状的多个槽区域，其中所述槽区域具有到达所述斜面部的深度。

【技术特征摘要】
JP 2005-5-2 2005-1344791.一种布案形成装置，包括具有第一和第二主表面的单晶衬底；从所述单晶衬底的第一主表面开始在预定方向上形成的斜面部；以及从所述单晶衬底的第二主表面开始以预定间距形成为梳齿状的多个槽区域，其中所述槽区域具有到达所述斜面部的深度。2.如权利要求1所述的布案形成装置，其还包括切除部，所述切除部被形成在所述多个梳齿状的槽区域的外部端部，并从所述第二主表面开始一直到达所述第一主表面。3.如权利要求2所述的布案形成装置，其还包括储液部，所述储液部从所述第二主表面开始以预定的深度形成，并且为所述多个槽共用。4.如权利要求1所述的布案形成装置，其还包括储液部，所述储液部从所述第二主表面开始以预定的深度形成，并且为所述多个槽共用。5.如权利要求1所述的布案形成装置，其中，所述单晶衬底为具有(100)晶向的单晶硅。6.如权利要求5所述的布案形成装置，其中，所述斜面部具有(111)晶向。7.如权利要求1所述的布案形成装置，其中，所述斜面部与形成有布案的衬底表面平行。8.一种布案形成装置的制造方法，利用具有第一和第二主表面的单晶衬底来制造布案形成装置，所述方法包括在所述单晶衬底的第一表面实施各向异性蚀刻处理，从而形成侧面具有倾斜部的斜坡区域的步骤；和从所述第二主表面开始进行蚀刻处理，从而以预定的间距形成梳齿状的多个槽区域的步骤，其中所述槽区域具有到达所述斜面部的深度。9.如权利要求8...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥村胜弥，矢部学，小八木康幸，原田宗生，清元智文，
申请(专利权)人：奥克泰克有限公司，大日本网目版制造株式会社，东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]