【技术实现步骤摘要】
显示装置及制作方法
[0001]本专利技术属于显示
,特别关于一种显示装置及制作方法。
技术介绍
[0002]Micro/Mini LED技术,即LED微缩化和矩阵化技术,指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED,如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮,将像素等级由毫米级降低至微米级。Micro/Mini LED不仅继承了传统LED高效率、高亮度、高可靠性和反应时间快的优点,还具有节能、机构简单、体积小、薄型以及发光无需背光源的特点。
[0003]现有的Micro/Mini LED芯片显示器件,因为红光/绿光Micro/Mini LED芯片在良率和成本上劣于蓝光Micro/Mini LED芯片,通常使用蓝光Micro/Mini LED芯片作为激发光,增加使用量子点或者荧光粉进行色转换使得Micro/Mini LED进行全彩显示。
[0004]目前使用量子点或者荧光粉进行色转换使得Micro/Mini LED进行全彩显示的方案,将量子点或者荧光粉材料制作在独立的基板上作为转换基板,再将其与Mi ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括:基板,所述基板包括连接电极;发光二极管,所述发光二极管设置于所述基板的一侧,且所述发光二极管和所述连接电极电连接;隔离层,所述隔离层设置于所述基板的一侧,所述隔离层包括隔离槽和围绕所述隔离槽的隔离单元,所述发光二极管设置于所述隔离槽中;阻隔结构,所述阻隔结构设置于所述发光二极管机远离所述基板的一侧,所述阻隔结构包括叠置的第一阻隔层和第二阻隔层,所述第二阻隔层包括阻隔单元,所述阻隔单元位于所述隔离槽中;色转换层,所述色转换层设置于所述阻隔结构远离所述基板一侧,且在所述基板的厚度方向上,所述色转换层与所述发光二极管相对;以及保护层,所述保护层设置于所述色转换层远离所述基板的一侧。2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一阻隔层为无机阻隔层;所述第二阻隔层为有机阻隔层。3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述有机阻隔层远离所述发光二极管的第一表面为平坦表面。4.根据权利要求3所述的显示装置,其特征在于,所述无机阻隔层覆盖于所述发光二极管的上方,并与所述发光二极管直接接触,且所述有机阻隔层设置于所述无机阻隔层的上方。5.根据权利要求4所述的显示装置,其特征在于,所述色转换层设置于所述第一表面上方。6.根据权利要求3所述的显示装置,其特征在于,所述有机阻隔层覆盖于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:顾杨,陈发明,韦冬,李庆,于波,
申请(专利权)人:苏州芯聚半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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