【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种蓝光led与红光量子点转化结构、制备方法及显示屏。
技术介绍
1、红光芯片基于algainp材料，但是当尺寸减小时，效率会急剧下降，并且受热的影响比较大。所以，出现了蓝光microled+红光量子点转化的方案，实现红光发光。
2、在转化方案中，如何将量子点有效集成到结构中是一个比较核心的问题，量子点的有效集成成为后续产品高质量的一个前提。
3、现有在制备过程中，都是以层结构的方式堆叠形成的，具体为在基板表面进行涂覆一定厚度的胶体，通过光刻的方式在胶体上形成量子点凹槽位置，然后采用量子点打印技术对凹槽内注入量子点材料，固化后形成整体，再在表面键合led等工序，得到转化结构；上述多层结构中，堆叠的形式会一定程度上增加整体厚度，而胶体在固化加工等过程中，其工艺要求较高，当出现粘结不良出现缝隙或者有部分材质析出等问题时，对量子点的制备质量存在影响，并且所采用的量子点打印设备具有较大的投入成本，在制备过程中，打印的效率非常低，不利于批量生产。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题是提供一种蓝光led与红光量子点转化结构、制备方法及显示屏，结构稳定可靠，制备效率高、成本可靠。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种蓝光led与红光量子点转化结构，包括衬底，在衬底一表面上开设有孔槽，在孔槽内注入有量子点，所述量子点一侧的衬底表面还设置有封装层，所述封装层上键合有led以及金属排线层。
3、进一步的，
4、进一步的，所述衬底为无机透明材料或有机透明材料。
5、进一步的，所述led为micro led，所述孔槽尺寸为微米级。
6、一种制备方法，制备上述任意一项所述的蓝光led与红光量子点转化结构，包括以下步骤：
7、步骤1、选取疏水且易撕的薄膜，将薄膜平铺在衬底板上，并将薄膜与衬底板压实；
8、步骤2、在薄膜表面均匀涂覆一层刻蚀阻挡胶，选取掩模板进行光刻，掩模板上布满有小孔，显影后，刻蚀阻挡胶表面呈现和掩模板一样的小孔，随后将基板放入高温烘箱中，固化刻蚀阻挡胶，得到刻蚀基板；
9、步骤3、将刻蚀基板进行刻蚀，刻蚀位置位于小孔对应的薄膜以及衬底，刻蚀结束后置于去胶液中并做超声处理，得到带有孔槽的薄膜基板；
10、步骤4、将量子点材料用刮涂的方式，涂覆到薄膜基板上，随后进行固化处理；
11、步骤5、固化结束后将薄膜撕除，得到带有孔槽且孔槽内布满量子点的衬底；
12、步骤6、在布满量子点的衬底表面设置封装层，随后进行micro-led制备工序，完成后得到转化结构。
13、进一步的，步骤1中，薄膜平铺在衬底板上后，沿衬底板边缘将多余薄膜边缘裁除，衬底板为al2o3材质，衬底板在贴膜前进行酸洗，酸洗采用h2so4和h2o2。
14、进一步的，步骤2中，刻蚀阻挡胶的厚度为8-12um。
15、进一步的，步骤3中，刻蚀时采用cl2进行干刻。
16、进一步的，步骤6中，micro-led制备工序包括：
17、a、在封装层均匀涂覆键合胶并预烘烤；
18、b、通过转载板将led进行对位键合，随后进行烘烤初步固定led，并将转载板取下；
19、c、升温继续烘烤，将键合胶固化；
20、d、在固化的键合胶部分表面设置刻蚀阻挡层，并进行刻蚀，将不需要的部分去除；
21、e、随后将刻蚀阻挡层去除并对相邻led之间填平处理；
22、f、通过蒸镀工艺在表面形成金属排线层；
23、g、通过ald设备进行表面封装，完成制备。
24、一种显示屏，采用上述任意一项所述的蓝光led与红光量子点转化结构。
25、本专利技术的有益效果：
26、1、将量子点直接注入到带有孔槽的衬底内，省去了胶体的使用，可以有效降低层结构厚度，并且衬底结构稳定，还杜绝了因胶体制备过程中出现不良瑕疵导致的问题，制备后的量子点质量高，衬底还可以更好实现量子点的水氧隔绝保护目的。
27、2、采用薄膜与衬底一体制备孔槽的方式，配合刮涂量子点材料，具有高效注入的效果，并且薄膜撕掉后即可得到仅在孔槽内留下量子点的效果，整体制备效率大大提高，并且品质得到保证。
28、3、整体制备工艺中不需要使用量子点打印机，设备投入成本得到控制，也有效降低了制备成本。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种蓝光LED与红光量子点转化结构，其特征在于，包括衬底，在衬底一表面上开设有孔槽，在孔槽内注入有量子点，所述量子点一侧的衬底表面还设置有封装层，所述封装层上键合有LED以及金属排线层。
2.如权利要求1所述的蓝光LED与红光量子点转化结构，其特征在于，所述封装层材质为氧化硅或氧化铝。
3.如权利要求1所述的蓝光LED与红光量子点转化结构，其特征在于，所述衬底为无机透明材料或有机透明材料。
4.如权利要求1所述的蓝光LED与红光量子点转化结构，其特征在于，所述LED为MicroLED，所述孔槽尺寸为微米级。
5.一种制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1-4任意一项所述的蓝光LED与红光量子点转化结构，包括以下步骤：
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤1中，薄膜平铺在衬底板上后，沿衬底板边缘将多余薄膜边缘裁除，衬底板为Al2O3材质，衬底板在贴膜前进行酸洗，酸洗采用H2SO4和H2O2。
7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤2中，刻蚀阻挡胶的厚度为8-12um。
9.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤6中，Micro-LED制备工序包括：
10.一种显示屏，其特征在于，包括权利要求1-4任意一项所述的蓝光LED与红光量子点转化结构。
...【技术特征摘要】
1.一种蓝光led与红光量子点转化结构，其特征在于，包括衬底，在衬底一表面上开设有孔槽，在孔槽内注入有量子点，所述量子点一侧的衬底表面还设置有封装层，所述封装层上键合有led以及金属排线层。
2.如权利要求1所述的蓝光led与红光量子点转化结构，其特征在于，所述封装层材质为氧化硅或氧化铝。
3.如权利要求1所述的蓝光led与红光量子点转化结构，其特征在于，所述衬底为无机透明材料或有机透明材料。
4.如权利要求1所述的蓝光led与红光量子点转化结构，其特征在于，所述led为microled，所述孔槽尺寸为微米级。
5.一种制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1-4任意一项所述的蓝光le...
【专利技术属性】
技术研发人员：谭勇，岳晗，金峰，
申请(专利权)人：苏州芯聚半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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