应力变色检测基板、制备方法及应用技术

本发明专利技术提供一种应力变色检测基板、制备方法及应用，制备方法包括：提供基板；将胶体晶体纳米微球分散于第一低沸点易挥发溶剂中制备得到胶体晶体乳液；旋涂所述胶体晶体乳液至所述基板的表面上，经烘干移除所述第一低沸点易挥发溶剂后，所述胶体晶体纳米微球自组装并周期性排列，形成胶体晶体，所述胶体晶体包括空隙；将填充材料稀释在第二低沸点易挥发溶剂中制备得到稀溶液；以及滴涂所述稀溶液至所述胶体晶体上，经烘干移除所述第二低沸点易挥发溶剂后，所述填充材料填充至所述空隙中，形成胶体晶体复合结构；其中，所述胶体晶体复合结构中，所述胶体晶体纳米微球的体积为74％

【技术实现步骤摘要】
应力变色检测基板、制备方法及应用


[0001]本专利技术属于检测
，特别关于一种应力变色检测基板、制备方法及应用。

技术介绍

[0002]Micro
‑
LED显示技术具有高亮度、高响应速度、低功耗、长寿命等优点，成为人们追求新一代显示技术的研究热点。在制造大、中尺寸的Micro
‑
LED显示器过程中，需要进行LED芯片的巨量转移和bonding(邦定)工艺。现有的bonding(邦定)工艺一般需要进行加热(大都在150℃以上)以及加压以实现LED芯片和驱动背板(TFT电路基板)通过金属焊料的电性连接。
[0003]常规情况下，用于高温压合的铟焊料的高度是小于3μm，最终bonding焊接后的铟柱约1μm，且由于用于Micro
‑
LED驱动的TFT电路基板不能耐受局部较高的压力，因此需要转移Micro
‑
LED芯片的转移设备的bonding head(压头)具有非常高的温度及压力的均匀性，以防止压力不均导致的TFT电路基板电性异常以及铟短路或者焊接不良问题。
[0004]目前，缺少对转移设备的bonding head(压头)的压力均匀性检测的设备，因此，转移设备的bonding head(压头)在bonding(邦定)工艺中压合良率低。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的问题是如何检测转移设备的bonding head(压头)，通过提供应力变色检测基板检测转移设备的bonding head(压头)的压力系统的均匀性，进而提升bonding(邦定)工艺中压合良率，实现Micro
‑
LED转移后电性连接良率的提升。
[0006]为解决上述问题，本专利技术技术方案提供了一种应力变色检测基板的制备方法，所述制备方法包括：
[0007]提供基板；
[0008]将胶体晶体纳米微球分散于第一低沸点易挥发溶剂中制备得到胶体晶体乳液；
[0009]旋涂所述胶体晶体乳液至所述基板的表面上，经烘干移除所述第一低沸点易挥发溶剂后，所述胶体晶体纳米微球自组装并周期性排列，形成胶体晶体，所述胶体晶体包括空隙；
[0010]将填充材料稀释在第二低沸点易挥发溶剂中制备得到稀溶液；以及
[0011]滴涂所述稀溶液至所述胶体晶体上，经烘干移除所述第二低沸点易挥发溶剂后，所述填充材料填充至所述空隙中，形成胶体晶体复合结构；
[0012]其中，所述胶体晶体复合结构中，所述胶体晶体纳米微球的体积为74％
±
5％；所述填充材料的体积为26％
±
5％。
[0013]作为可选的技术方案，所述胶体晶体纳米微球和所述第一低沸点易挥发溶剂的重量份的百分比为99.0％～99.8％:1.0％～0.2％；所述胶体晶体乳液的使用乌氏粘度计测试的粘度为4.8～5.2mpa.s。
[0014]作为可选的技术方案，旋涂所述胶体晶体乳液至所述基板的表面上，经烘干移除
所述第一低沸点易挥发溶剂后，所述胶体晶体纳米微球自组装并周期性排列，形成胶体晶体，的步骤还包括：
[0015]1000rpm/min,180s的条件下，旋涂所述胶体晶体乳液至所述基板的表面上，形成厚度为20μm的中间薄膜层；
[0016]升温至80℃，维持2小时，移除所述第一低沸点易挥发溶剂，所述胶体晶体纳米微球自组装并周期性排列，形成胶体晶体。
[0017]作为可选的技术方案，所述第一低沸点易挥发溶剂为选自异丙醇、乙醇、丙酮、乙酸乙酯、乙醚、石油醚、正己烷中一种或者两种及以上的组合。
[0018]作为可选的技术方案，所述基板为硅基板或者石英基板。
[0019]作为可选的技术方案，所述填充材料为选自聚氨酯或者聚二甲基硅氧烷。
[0020]作为可选的技术方案，所述聚氨酯颗粒的分子量为12000～15000。
[0021]作为可选的技术方案，所述填充材料和所述第二低沸点易挥发溶剂的重量份的百分比为97.0％～98.5％:3.0％～1.5％；
[0022]其中，于70℃，将填充材料在第二低沸点易挥发溶剂中稀释，形成所述稀溶液；
[0023]所述第二低沸点易挥发溶剂为选自异丙醇、乙醇、丙酮、乙酸乙酯、乙醚、石油醚、正己烷中一种或者两种及以上的组合。
[0024]作为可选的技术方案，滴涂所述稀溶液至所述胶体晶体上，经烘干移除所述第二低沸点易挥发溶剂后，所述填充材料填充至所述空隙中，形成胶体晶体复合结构的步骤还包括：采用步进电机控制所述稀溶液的滴涂速度为1ml/min，将所述稀溶液滴涂至所述周期性排列的多层结构上。
[0025]本专利技术还提供一种应力变色检测基板，所述应力变色检测基板为采用如上任意一项所述的应力变色检测基板的制备方法制得。
[0026]作为可选的技术方案，所述应力变色检测基板于微发光二极管芯片巨量转移过程中的应用；转移所述微发光二极管的转移设备包括压头，所述压头挤压所述胶体晶体复合结构，以使所述胶体晶体复合结构呈现颜色变化。
[0027]与现有技术相比，本专利技术提供一种应力变色检测基板、制备方法及应用，应力变色检测基板通过利用胶体晶体纳米微球的三维有序排列和聚氨酯填充共同构成胶体晶体复合结构，基于胶体晶体微结构的布拉格反射作用可以呈现不同的颜色，使用转移设备的邦定压头下压上述胶体晶体复合结构，可以通过结构颜色直接呈现检测基板在压力作用下的形变效果，基于此来进行邦定压头的压力系统均匀性的检测。
[0028]以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0030]图1为本专利技术提供的应力变色检测基板的制备方法的流程图。
[0031]图2为本专利技术提供的应力变色检测基板的胶体晶体复合结构的示意图。
[0032]图3为本专利技术第一实施例中制备得到的胶体晶体复合结构的扫描电镜照片。
[0033]图4为本专利技术制备得到的应力变色检测基板的挤压后应力变色的示意图。
具体实施方式
[0034]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合实施例及附图，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0035]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应力变色检测基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供基板；将胶体晶体纳米微球分散于第一低沸点易挥发溶剂中制备得到胶体晶体乳液；旋涂所述胶体晶体乳液至所述基板的表面上，经烘干移除所述第一低沸点易挥发溶剂后，所述胶体晶体纳米微球自组装并周期性排列，形成胶体晶体，所述胶体晶体包括空隙；将填充材料稀释在第二低沸点易挥发溶剂中制备得到稀溶液；以及滴涂所述稀溶液至所述胶体晶体上，经烘干移除所述第二低沸点易挥发溶剂后，所述填充材料填充至所述空隙中，形成胶体晶体复合结构；其中，所述胶体晶体复合结构中，所述胶体晶体纳米微球的体积为74％
±
5％；所述填充材料的体积为26％
±
5％。2.根据权利要求1所述的应力变色检测基板的制备方法，其特征在于，所述胶体晶体纳米微球和所述第一低沸点易挥发溶剂的重量份的百分比为99.0％～99.8％:1.0％～0.2％；所述胶体晶体乳液的使用乌氏粘度计测试的粘度为4.8～5.2mpa.s。3.根据权利要求2所述的应力变色检测基板的制备方法，其特征在于，旋涂所述胶体晶体乳液至所述基板的表面上，经烘干移除所述第一低沸点易挥发溶剂后，所述胶体晶体纳米微球自组装并周期性排列，形成胶体晶体的步骤还包括：1000rpm/min,180s的条件下，旋涂所述胶体晶体乳液至所述基板的表面上，形成厚度为20μm的中间薄膜层；升温至80℃，维持2小时，移除所述第一低沸点易挥发溶剂，所述胶体晶体纳米微球自组装并周期性排列，形成胶体晶体。4.根据权利要求3所述的应力变色检测基板的制备方法，其特征在于，所述第一低沸点易挥发溶剂为选自异...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨义颖，岳晗，李庆，赵柯，黄朝葵，
申请(专利权)人：苏州芯聚半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：