本发明专利技术揭示了一种像素电路、像素电路驱动方法及显示装置，像素电路包括发光元件和参数控制电路，所述参数控制电路连接至所述发光元件，且配置为接收来自参数输入端的发光参数信息，将其存储在第一节点处，并根据所述发光参数信息调整所述发光元件的至少一种发光参数；所述参数输入端和所述第一节点之间包括相互并联的第一开关管和第二开关管，所述第一开关管和所述第二开关管的导通条件相反；所述像素电路配置为在所述发光参数信息输入所述参数输入端时，所述第一开关管和所述第二开关管同时导通。本发明专利技术提供的像素电路能够适应电压更高或粒度更细的驱动需求，适应多种发光元件的选型，并拓宽了发光参数的可调范围。并拓宽了发光参数的可调范围。并拓宽了发光参数的可调范围。
【技术实现步骤摘要】
像素电路、像素电路驱动方法及显示装置
[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种像素电路、像素电路驱动方法及显示装置。
技术介绍
[0002]随着显示技术的发展，具有诸如主动发光、可视角度大、功耗低、响应速度快且对比度高等优势的有机发光二极管(OLED，Organic Light Emitting Diode)的应用范围逐渐拓宽，且有着取代传统液晶显示器(LCD，Liquid Crystal Display)的趋势。
[0003]现有技术中通常采用PMOLED(Passive Matrix OLED，无源矩阵型OLED)和AMOLED(Active Matrix OLED，有源矩阵型OLED)两种驱动方式对有机发光二极管进行驱动，前者具有结构简单、成本低，但驱动电压高的特点，后者则具有驱动电压低、发光寿命长，但成本高、制作工艺困难的特点。对于市面上广泛采用的AMOLED驱动方式，其低功耗的特点在带来了固有优势的同时，会导致其在驱动电压的限制下难以提供更细的灰阶调节范围，考虑到其所采用的薄膜晶体管价格较为昂贵，在具有较细灰阶调整需求和较强输出均一性要求的应用场景下，传统AMOLED驱动方式的“性价比”则不尽如人意。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的之一在于提供一种像素电路，以解决现有技术中传统AMOLED驱动方式可调灰阶粒度粗，无法适应多种显示场景，难以兼顾均一性和连续可调性的技术问题。
[0005]本专利技术的目的之一在于提供一种像素电路驱动方法。
[0006]本专利技术的目的之一在于提供一种显示装置。
[0007]为实现上述专利技术目的之一，本专利技术一实施方式提供一种像素电路，包括发光元件和参数控制电路，所述参数控制电路连接至所述发光元件，且配置为接收来自参数输入端的发光参数信息，将其存储在第一节点处，并根据所述发光参数信息调整所述发光元件的至少一种发光参数；所述参数输入端和所述第一节点之间包括相互并联的第一开关管和第二开关管，所述第一开关管和所述第二开关管的导通条件相反；所述像素电路配置为在所述发光参数信息输入所述参数输入端时，所述第一开关管和所述第二开关管同时导通。
[0008]作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述第一开关管和所述第二开关管为场效应管。
[0009]作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述第一开关管为N型场效应管，所述第二开关管为P型场效应管。
[0010]作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述参数控制电路包括第三驱动管和存储电容；所述存储电容的一端连接所述第三驱动管的栅极，以形成所述第一节点，所述存储电容的另一端连接至所述第三驱动管的第一端。
[0011]作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述第三驱动管的第一端连接至地电平，形成所述参数控制电路的电流输出端；所述第三驱动管的第二端连接至供电电平，形成所
述参数控制电路的电流输入端。
[0012]作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述发光元件的正极连接所述供电电平，所述发光元件的负极连接至所述第三驱动管的第二端。
[0013]作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述第三驱动管的衬底的材料包括单晶硅。
[0014]作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述像素电路还包括通断控制电路，所述通断控制电路连接至所述发光元件，配置为接收并根据通断控制信号控制所述发光元件的通断状态。
[0015]作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述通断控制电路设置于所述发光元件和所述参数控制电路之间；所述通断控制电路包括第四开关管，所述第四开关管的第一端连接所述发光元件的负极，所述第四开关管的第二端连接所述参数控制电路的电流输入端，所述第四开关管的栅极用于接收所述通断控制信号。
[0016]作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述像素电路还包括偏置调整电路，所述偏置调整电路设置于所述参数控制电路的电流输出端和所述第一节点之间，配置为接收并根据通断控制信号控制所述参数控制电路选择性设置所述发光元件的发光参数；所述通断控制信号还用于控制所述发光元件的通断状态。
[0017]作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述偏置调整电路包括第五开关管，所述参数控制电路包括第三驱动管和存储电容；所述存储电容的一端连接所述第三驱动管的栅极，以形成所述第一节点，所述存储电容的另一端连接地电平，并通过所述第五开关管连接至所述第三驱动管的第一端，所述第三驱动管的第二端连接至所述发光元件和供电电平。
[0018]为实现上述专利技术目的之一，本专利技术一实施方式提供一种像素电路驱动方法，用于驱动上述像素电路，所述像素电路驱动方法包括：控制所述第一开关管和所述第二开关管同时导通，向所述参数输入端写入所述发光参数信息；驱动并控制所述发光元件响应所述发光参数信息发光。
[0019]作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述像素电路还包括通断控制电路，所述通断控制电路配置为接收并根据通断控制信号控制所述发光元件的通断状态；所述方法具体包括：向所述通断控制电路输入所述通断控制信号，控制所述发光元件响应所述发光参数信息和所述通断控制信号发光。
[0020]作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述方法还包括：根据所述发光参数信息和亮度灰阶信息，设定所述通断控制信号的占空比数据。
[0021]作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述像素电路还包括偏置调整电路，所述偏置调整电路配置为接收并根据通断控制信号控制所述参数控制电路选择性设置所述发光元件的发光参数；所述参数控制电路包括第三驱动管；所述方法具体包括：同时向所述通断控制电路和所述偏置调整电路输入所述通断控制信号，控制所述第三驱动管导通，并控制所述发光元件响应所述发光参数信息和所述通断控制信号发光。
[0022]为实现上述专利技术目的之一，本专利技术一实施方式提供一种显示装置，包括上述任一种技术方案所述的像素电路。
[0023]与现有技术相比，本专利技术通过在用于存储和保持发光参数信息的第一节点，与用于接收发光参数信息的参数输入端之间设置了相互并联的两个开关管，两个开关管同步导
通，能够稳定接收量级更大的发光参数信息，特别是在发光参数信息为电压形式的工况下，能够使得像素电路足以承受更高电压的驱动需求，使得发光元件的选型范围更宽，亮度可调范围或其他发光参数可调范围更宽，并基于此种更宽的可调范围，提供像素电路更细粒度的灰阶调节能力。
附图说明
[0024]图1是本专利技术一实施方式中像素电路的电路结构图。
[0025]图2是本专利技术另一实施方式中像素电路的电路结构图。
[0026]图3是本专利技术一实施方式中像素电路的控制时序示意图。
[0027]图4是本专利技术另一实施方式中像素电路的控制时序示意图。
[0028]图5是本专利技术一实施方式中像素电路驱动方法步骤示意图。
具体实施方式
[0029]以下将结合附图所示的具体实施方式对本专利技术进行详细描述。但这些实施方式并不限制本专利技术，本领域的普通技术人员根据这本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种像素电路，其特征在于，包括发光元件和参数控制电路，所述参数控制电路连接至所述发光元件，且配置为接收来自参数输入端的发光参数信息，将其存储在第一节点处，并根据所述发光参数信息调整所述发光元件的至少一种发光参数；所述参数输入端和所述第一节点之间包括相互并联的第一开关管和第二开关管，所述第一开关管和所述第二开关管的导通条件相反；所述像素电路配置为在所述发光参数信息输入所述参数输入端时，所述第一开关管和所述第二开关管同时导通。2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述第一开关管和所述第二开关管为场效应管。3.根据权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述第一开关管为N型场效应管，所述第二开关管为P型场效应管。4.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述参数控制电路包括第三驱动管和存储电容；所述存储电容的一端连接所述第三驱动管的栅极，以形成所述第一节点，所述存储电容的另一端连接至所述第三驱动管的第一端。5.根据权利要求4所述的像素电路，其特征在于，所述第三驱动管的第一端连接至地电平，形成所述参数控制电路的电流输出端；所述第三驱动管的第二端连接至供电电平，形成所述参数控制电路的电流输入端。6.根据权利要求5所述的像素电路，其特征在于，所述发光元件的正极连接所述供电电平，所述发光元件的负极连接至所述第三驱动管的第二端。7.根据权利要求4所述的像素电路，其特征在于，所述第三驱动管的衬底的材料包括单晶硅。8.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述像素电路还包括通断控制电路，所述通断控制电路连接至所述发光元件，配置为接收并根据通断控制信号控制所述发光元件的通断状态。9.根据权利要求8所述的像素电路，其特征在于，所述通断控制电路设置于所述发光元件和所述参数控制电路之间；所述通断控制电路包括第四开关管，所述第四开关管的第一端连接所述发光元件的负极，所述第四开关管的第二端连接所述参数控制电路的电流输入端，所述第四开关管的栅极用于接收所述通断控制信号。10.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：岳晗，李庆，杨义颖，于波，
申请(专利权)人：苏州芯聚半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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