发光基板的制作方法及发光基板技术

本申请实施例公开了一种发光基板的制作方法及发光基板，该发光基板的制作方法包括以下步骤：在一衬底基板上形成多个LED芯片，相邻LED芯片之间具有间隔区；在衬底基板上形成黑色光阻层，以覆盖多个LED芯片以及多个间隔区；对黑色光阻层进行第一次曝光处理，以减少位于多个LED芯片正上方的黑色光阻层中的无机物；对黑色光阻层进行第二次曝光处理，以固化黑色光阻层。该发光基板的制作方法通过对黑色光阻层进行第一次曝光处理，以减少位于多个LED芯片正上方的黑色光阻层中的无机物，从而增大LED芯片的出光亮度，增大能效，可以解决LED芯片出光亮度不均的问题。片出光亮度不均的问题。片出光亮度不均的问题。

【技术实现步骤摘要】
发光基板的制作方法及发光基板


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种发光基板的制作方法及发光基板。

技术介绍

[0002]Micro Led(Micro Light Emitting Diode，微型发光二极管)技术已成为成未来显示技术的热点之一，和目前的LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)、OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示器件相比，具有反应快、高色域、高解析度、低能耗等优势；Mini
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LED(Mini Light Emitting Diode，小间距发光二极管)作为Micro
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LED与背板结合的产物，具有高对比度、高显色性能等可与OLED相媲美的特点，成本稍高于LCD，但仅为OLED的六成左右，且相对Micro
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LED、OLED更易实施，所以Mini
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LED成为各大面板厂商布局热点。
[0003]Micro Led/Mini Led技术为LED微缩化和矩阵化技术，指的是在一个芯片上集成高密度、微小尺寸的LED阵列的技术，以将像素点的距离从毫米级降低至微米级，甚至是纳米级。具体地，阵列基板上设置有多个LED芯片，由于阵列基板上排布的LED芯片的芯片数量巨大，且LED芯片的尺寸在微米级别上，LED芯片与LED芯片之间的间距也比较小，如果Micro Led/Mini Led的LED芯片之间未建立阻挡层或阻挡层的透过率较高，LED芯片发出的朗伯光型会引起相邻像素的量子点色彩转换层被激发，从而发生光串扰，会大大降低显示的色域。
[0004]现有技术中常使用黑色阻挡层来阻挡像素之间光串扰，黑色阻挡层采用整面喷凃后去除表面黑胶的工艺涂敷，但是，由于Micro Led/Mini Led芯片自身及绑定焊料的高度差，LED芯片之间的高度差大概在20微米左右，使部分LED芯片表面在研磨后仍有大量黑胶覆盖而导致LED芯片的出光亮度不均，大量光被覆盖在LED芯片表面的黑胶阻挡层吸收，能效较低，严重影响Micro Led/Mini Led发光基板的品质。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种发光基板的制作方法及发光基板，该发光基板的制作方法通过在掩膜下对LED芯片正上方的黑色光阻进行预固化，使LED芯片表面的黑色光阻减少，增大LED芯片出光亮度，增大能效，解决了LED芯片出光亮度不均的问题。
[0006]第一方面，本申请实施例提供一种发光基板的制作方法，包括：
[0007]在一衬底基板上形成多个LED芯片，相邻所述LED芯片之间具有间隔区；
[0008]在所述衬底基板上形成黑色光阻层，以覆盖多个所述LED芯片以及多个所述间隔区；
[0009]对所述黑色光阻层进行第一次曝光处理，以减少位于多个所述LED芯片正上方的所述黑色光阻层中的无机物；
[0010]对所述黑色光阻层进行第二次曝光处理，以固化所述黑色光阻层。
[0011]可选地，在本申请的一些实施例中，所述在所述衬底基板上形成黑色光阻层，以覆盖多个所述LED芯片以及多个所述间隔区的步骤，具体包括：对所述黑色光阻进行平坦化处
理，以使所述黑色光阻层填充所述间隔区。
[0012]可选地，在本申请的一些实施例中，所述对所述黑色光阻层进行第一次曝光处理，以减少位于多个所述LED芯片正上方的所述黑色光阻层中的无机物的步骤，具体包括：提供一掩膜板，所述掩膜板包括多个曝光区以及多个遮光区，多个所述曝光区与多个所述LED芯片一一对应，多个所述遮光区与多个所述间隔区一一对应；在所述掩膜板下，对所述黑色光阻层进行第一次曝光，以使位于所述曝光区的黑色光阻层中的无机物向所述遮光区的所述黑色光阻层扩散。
[0013]可选地，在本申请的一些实施例中，所述对所述黑色光阻层进行第二次曝光处理，以固化所述黑色光阻层，还包括：对固化后的所述黑色光阻层进行研磨，除去高于所述LED芯片的所述黑色光阻层。
[0014]可选地，在本申请的一些实施例中，所述在所述衬底基板上形成黑色光阻层，以覆盖多个所述LED芯片以及多个所述间隔区的步骤，具体包括：在所述衬底基板上涂覆黑色光阻层。
[0015]可选地，在本申请的一些实施例中，所述在所述衬底基板上形成黑色光阻层，以覆盖多个所述LED芯片以及多个所述间隔区的步骤，具体包括：在一转换基板的表面涂覆黑色光阻层，并将所述转换基板涂覆有所述黑色光阻层的一侧覆盖于所述衬底基板上，对所述转换基板进行预烘烤，使所述黑色光阻层附着于所述衬底基板上。
[0016]可选地，在本申请的一些实施例中，所述黑色光阻层的材料至少包括炭黑、光引发剂及反应性单体。
[0017]另一方面，本申请提供一种发光基板，包括，包括：衬底基板；多个LED芯片，相邻所述LED芯片之间具有间隔区；黑色光阻层，所述黑色光阻层形成于所述衬底基板上。
[0018]可选地，在本申请的一些实施例中，所述黑色光阻层包括第一遮光部和第二遮光部，所述第一遮光部填充于所述间隔区；所述第二遮光部形成于所述LED芯片的正上方。
[0019]可选地，在本申请的一些实施例中，多个所述LED芯片中至少部分所述LED芯片的高度不同。
[0020]相较于现有技术中由于mini
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LED芯片自身及绑定焊料的高度差，使部分LED芯片表面在研磨后仍有大量黑色光阻覆盖，大量光被覆盖在LED芯片表面的黑色光阻吸收而导致LED芯片的出光亮度不均。本申请提供一种发光基板的制作方法及发光基板，该发光基板的制作方法包括以下步骤：在一衬底基板上形成多个LED芯片，相邻所述LED芯片之间具有间隔区；在所述衬底基板上形成黑色光阻层，以覆盖多个所述LED芯片以及多个所述间隔区；对所述黑色光阻层进行第一次曝光处理，以减少位于多个所述LED芯片正上方的所述黑色光阻层中的无机物；对所述黑色光阻层进行第二次曝光处理，以固化所述黑色光阻层。该发光基板的制作方法通过对LED芯片正上方的黑色光阻进行第一次曝光处理，使LED芯片正上方的黑色光阻层中的无机物减少，从而增大LED芯片的出光亮度，增大能效，解决了LED芯片出光亮度不均的问题。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术
人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1是本申请实施例提供的第一种发光基板的制作方法的流程示意图；
[0023]图2是本申请实施例提供的发光基板的制作方法的步骤S1的示意图；
[0024]图3a是本申请实施例提供的发光基板的制作方法的步骤S2的示意图一；
[0025]图3b是本申请实施例提供的发光基板的制作方法的步骤S2的示意图二；
[0026]图4是本申请实施例提供的发光基板本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光基板的制作方法，其特征在于，包括：在一衬底基板上形成多个LED芯片，相邻所述LED芯片之间具有间隔区；在所述衬底基板上形成黑色光阻层，以覆盖多个所述LED芯片以及多个所述间隔区；对所述黑色光阻层进行第一次曝光处理，以减少位于多个所述LED芯片正上方的所述黑色光阻层中的无机物；对所述黑色光阻层进行第二次曝光处理，以固化所述黑色光阻层。2.根据权利要求1所述的发光基板的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上形成黑色光阻层，以覆盖多个所述LED芯片以及多个所述间隔区的步骤，具体包括：对所述黑色光阻层进行平坦化处理，以使所述黑色光阻层填充所述间隔区。3.根据权利要求1所述的发光基板的制作方法，其特征在于，所述对所述黑色光阻层进行第一次曝光处理，以减少位于多个所述LED芯片正上方的所述黑色光阻层中的无机物的步骤，具体包括：提供一掩膜板，所述掩膜板包括多个曝光区以及多个遮光区，多个所述曝光区与多个所述LED芯片一一对应，多个所述遮光区与多个所述间隔区一一对应；在所述掩膜板下，对所述黑色光阻层进行第一次曝光，以使位于所述曝光区的黑色光阻层中的无机物向所述遮光区的所述黑色光阻层扩散。4.根据权利要求1所述的发光基板的制作方法，其特征在于，所述对所述黑色光阻层进行第二次曝光处理，以固化所述黑色光阻层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：白雪，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：