一种化学机械抛光机制造技术

本发明专利技术公开了一种化学机械抛光机，包括含有研磨垫及研磨液注入口的研磨头，还包括放置硅片的平台，所述的研磨头中包含多个研磨垫及研磨液注入口。其研磨头中的各个研磨垫的压力和转速以及旋转方向都可以单独控制，通过调节小研磨垫分布，转速和压力，使硅片径向研磨速率分布的控制变得很容易，增加硅片表面抛光区域的均匀性。研磨液通过研磨头上的注入口，直接注入到硅片表面，并且可以根据需要从一个研磨液注入口单独注入研磨液，也可以从多个研磨液注入口同时注入研磨液，可大大减少研磨液用量，降低化学机械抛光工艺成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种化学机械抛光机。
技术介绍
化学机械抛光工艺能提供光滑高质的硅片表面，而且被认为是唯一能提供硅片全局和局部平坦化的工艺技术。化学机械抛光工艺已被广泛用于层间介质，、金属层，如钨栓塞、铜连线，浅沟槽隔离的去除和平整，成为半导体制造工艺中发展最快的领域之一。如图1所示，在传统的化学机械抛光工艺过成中，研磨头携带着硅片向下贴压在研磨垫上，含有化学反应物和研磨颗粒的研磨液也被同时滴加在研磨垫上。硅片和研磨垫之间通过自身旋转及硅片在研磨垫上的水平方向运动，利用硅片表面淀积层与研磨垫和研磨颗粒之间的机械作用，及与研磨液之间的化学作用，达到淀积层的去除和平坦化。但是，在使用中发现，硅片与研磨垫之间研磨液的配送均匀性和经研磨头向硅片所施压力沿硅片径向的分布均匀性很难控制。因此，虽然经过化学机械抛光处理过的硅片表面具有较高的平坦度，但硅片经过抛光后，其表面淀积层的膜厚均匀性一直难以调控。这种控制将随着硅片自身尺寸的不断大型化而变得愈发困难。另外，由于研磨液是从研磨垫的中心滴加并通过离心力向研磨垫四周输送，实际被利用的研磨液只占全部消耗的研磨液的25％以下。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学机械抛光机，包括含有研磨垫及研磨液注入口的研磨头，其特征在于，它还包括位于研磨头下方放置硅片的平台，所述的研磨头中包含多个研磨垫及研磨液注入口。

【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光机，包括含有研磨垫及研磨液注入口的研磨头，其特征在于，它还包括位于研磨头下方放置硅片的平台，所述的研磨头中包含多个研磨垫及研磨液注入口。2.如权利要求1所述的一种化学机械抛光机，其特征在于，所述放置硅片的平台为可以圆心为轴心自转的圆形平台。3.如权利要求1所述的一种化学机械抛光机，其特征在于，所述的研磨头为可连同各研磨垫作水平方向往返运动的研磨头。4.如权利要求1所述的一种化学机械抛光机，其特征在于，所述的多个研磨垫及研磨液注入口以内置方式包含在...

【专利技术属性】
技术研发人员：方精训，伍强，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]