【技术实现步骤摘要】
半导体封装方法和半导体封装结构
[0001]本申请涉及一种半导体
,尤其涉及一种半导体封装方法和半导体封装结构。
技术介绍
[0002]目前,在封装过程中,常常将具有不同功能的裸片封装在一个封装结构中,以形成具有特定作用的芯片封装体,其被称为MCM(英文全称:multi-chipmodule,中文名称:多芯片模块封装结构)。
[0003]随着电子设备小型轻量化,具有紧凑结构、小体积的芯片封装体受到越来越多的市场青睐。
[0004]然而,如何进一步减小芯片封装体的体积是本领域有待解决的一个难题。
技术实现思路
[0005]本申请提供了一种半导体封装方法和半导体封装结构,其可实现半导体封装结构的体积减小、结构紧凑。
[0006]根据本申请的第一方面,提供一种半导体封装方法,所述半导体封装方法包括:
[0007]在第一待封装裸片的背面设置被动件;
[0008]将导电柱、第二待封装裸片和固定有被动件的第一待封装裸片固定于载板,所述第一待封装裸片和第二待封装裸片的活性面靠近 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装方法,其特征在于,所述半导体封装方法包括:在第一待封装裸片的背面设置被动件;将导电柱、第二待封装裸片和固定有被动件的第一待封装裸片固定于载板,所述第一待封装裸片和第二待封装裸片的活性面靠近所述载板,所述导电柱设置于所述第一待封装裸片和第二待封装裸片的周侧;在所述第一待封装裸片、第二待封装裸片和所述导电柱的上方形成第一再布线层,所述第一再布线层电连接所述被动件的电连接点和所述导电柱;去除所述载板;在靠近所述第一待封装裸片和第二待封装裸片的活性面的一侧设置第二再布线层,所述第二再布线层电连接位于所述第一待封装裸片和第二待封装裸片的活性面的焊垫和所述导电柱。2.如权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,所述在第一待封装裸片的背面设置被动件,包括:在第一待封装裸片的背面设置第一介电层;初步加热所述第一介电层,以使得所述第一介电层的粘度减小,将所述被动件通过所述第一介电层施加到所述第一待封装裸片背面的预定位置;继续加热所述第一介电层,所述第一介电层受热固化,所述被动件随着所述第一介电层的固化而固定于所述第一待封装裸片的背面;减薄所述第一介电层,以使所述被动件的远离所述第一待封装裸片的表面露出。3.如权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,所述在第一待封装裸片的背面设置被动件之后,所述将导电柱、第二待封装裸片和带有被动件的第一待封装裸片固定于载之前,还包括:在所述第一待封装裸片的活性面上形成保护层;在所述保护层上形成保护层开口,所述保护层开口将所述第一待封装裸片的焊垫暴露;所述第一待封装裸片的厚度、所述被动件的厚度和所述保护层的厚度之和小于所述导电柱的高度。4.如权利要求3所述的半导体封装方法,其特征在于,所述在所述第一待封装裸片、第二待封装裸片和所述导电柱的上方形成第一再布线层,所述第一再布线层电连接所述被动件的电连接点和所述导电柱之前,还包括:在载板上形成塑封层,所述塑封层包裹所述导电柱和所述保护层、所述被动件和所述第一待封装裸片;减薄塑封层,以使导电柱的上表面露出;在所述塑封层上形成第一开口,所述第一开口将所述被动件的电连接点暴露。5.如权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,所述半导体封装方法还包括:在第二再布线层的远离所述第一待封装裸片和第二待封装裸片的一侧形成导电凸块;在所述导电凸块上形成第三介电层,第三介电层包裹于所述导电凸块的周侧,并且使所述导电凸块的远离第一待封装裸片的一端露出。6.一种半导体封装结构,其特征在于,所述半导体封装结构包括:第一待封装裸片和第二待封装裸片,均包括相对设置的活性面和背面,所述活性面上
设置有焊垫;保护层,设置于所述第一待封装裸片的活性面,其上设置有保护层开口,...
【专利技术属性】
技术研发人员:周辉星,
申请(专利权)人:矽磐微电子重庆有限公司,
类型:发明
国别省市:
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