【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于纳米材料应用研究领域。特别涉及广泛应用于微纳制造中的一种。
技术介绍
1991年,日本的Iijima首次发现多壁碳纳米管(MWNT),直径为4-30nm,长度为1um。1993年单壁碳纳米管也被发现(SWNT),直径从0.4nm到3-4nm,长度可达几微米。碳纳米管具有独特的电子、机械及化学性能,在机械、电化学、能源、显示器件等领域有着广泛的应用。碳纳米管有两个独特优异的电学性能,一个是场发射性质,另一个是碳纳米管的二重电性质。这两个独特的电学性能使得这种新型材料在微电子学上具有良好的应用前景。在专利申请号为00135476,“利用生成催化剂颗粒的碳纳米管薄膜阴极的制备工艺”中,主要是直接生长碳纳米管,制备碳纳米管场发射薄膜,含有催化剂颗粒,对场发射性能有一定的影响。在专利申请号为200410034108的“一种碳纳米管薄膜的电泳沉积制备方法”,主要是将碳纳米管沉积到阴极,但与基底结合力有待提高。因而,现有碳纳米管薄膜主要是直接生长的工艺制备,直接生长带来杂质影响碳纳米管薄膜的场发射性能。而电泳沉积制备的碳纳米管薄膜与基底结合力弱的不足。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种。通过活性剂修饰碳纳米管用电泳沉积到阳极表面,进一步烧结,薄膜与基底结合力强,场发射性能优异,且场发射源的碳纳米管表面非常干净。其工艺步骤为(1)首先把长度为0.1-50μm,直径10-20nm,以CVD法生长的多壁碳纳米管与表面活性剂SDS以1∶5的质量百分比混合(0.1克碳纳米管与0.5克表面活性剂),加入到100mL去离子水中,超声波功率大约100-500W超声 ...
【技术保护点】
一种碳纳米管场致发射薄膜的制备方法,其特征在于,其工艺步骤为:(1)首先把长度为0.1-50μm,直径10-20nm,以CVD法生长的多壁碳纳米管与表面活性剂SDS以1∶5的质量百分比混合,加入到100mL去离子水中,超声波功率大约100-500W超声分散1~2小时,形成非常均匀的碳纳米管分散液体,实验观察到这种超声得到的碳纳米管分散液体能够保持半年以上还没有发生聚沉;(2)利用电泳沉积法,将分散后的碳纳米管沉积到不锈钢或钛阳极的表面;(3)碳纳米管薄膜自然干燥6小时之后,用载玻片把沉积后的碳纳米管薄膜压平;(4)对沉积的碳纳米管薄膜在密封的高温炉中,以1~2L/分钟充入氮气,以10℃/分钟的升温速度缓慢加温,加到350~400℃时,保持恒温30~60分钟,在氮气保护下降至室温,取出。
【技术特征摘要】
1.一种碳纳米管场致发射薄膜的制备方法,其特征在于,其工艺步骤为(1)首先把长度为0.1-50μm,直径10-20nm,以CVD法生长的多壁碳纳米管与表面活性剂SDS以1∶5的质量百分比混合,加入到100mL去离子水中,超声波功率大约100-500W超声分散1~2小时,形成非常均匀的碳纳米管分散液体,实验观察到这种超声得到的碳纳米管分散液体能够保持半年以上还没有发生聚沉;(2)利用电泳沉积法,将分散后的碳纳米管沉积到不锈钢或钛阳极的表面;(3)碳纳米管薄膜自然干燥6小时之后,用载玻片把沉积后的碳纳米管薄膜压平;(4)对沉积的碳纳米...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡元中,彭倚天,王慧,
申请(专利权)人:清华大学,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。