使用利文森型掩模的图形形成方法及该掩模的制造方法技术

一种图形形成方法，包括具有第一最小尺寸（Ｄ↓［ｍｉｎ１］）的第一图形部（１０ａ）和第二最小尺寸（Ｄ↓［ｍｉｎ２］）的第二图形部（１０ｂ），其中包括使用利文森型掩模进行曝光的第一曝光步骤和使用半色调型掩模进行曝光的第二曝光步骤。第二最小尺寸（Ｄ↓［ｍｉｎ２］）为第一最小尺寸（Ｄ↓［ｍｉｎ１］）的１．３倍以上时，第二曝光步骤的曝光量设为第一曝光步骤的曝光量以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及图形形成方法以及利文森(levenson)型掩模的制造方法。
技术介绍
在半导体集成电路等的半导体装置中，存在在形成电极或者布线等中使用光刻技术的情况。在光刻法步骤中，进行曝光步骤，通过光掩模在抗蚀剂上以预定的形状曝光。抗蚀剂例如以感光树脂形成，通过曝光步骤后进行显影，成型为预定的形状。曝光步骤中使用的掩模具有透光部以及遮光部。为了提高分辨率，在光致掩模上具有使透过透光部的光的相位发生变化的相移掩模。相移掩模上包含利文森型掩模或者半色调型掩模。这些光掩模利用光的干涉作用以提高分辨率。对于利文森型掩模来说，例如在正型抗蚀剂中，在将配置于衬底表面的抗蚀剂加工成预定形状时，在一个部分的两侧，在一侧形成使光透过的透光部。在另一侧，形成相对于一个透光部的光的相位使相位反转的透光部。利文森型掩模是如下的光掩模以一个部分两侧的光的相位相互反转的方式而形成，由此在一个部分可提高分辨率。半色调型掩模是如下的光掩模在将配置于衬底表面的抗蚀剂加工成预定形状时，相对于在一个部分或者一个部分周围的一者上形成的透光部，在形成于另一者上的遮光部中使一部分光透过，同时使相位反转，由此，在所述一个部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图形形成方法，该图形包含第一图形和第二图形，该第一图形具有作为跨越尺寸中最小尺寸的第一最小尺寸，该第二图形具有作为跨越尺寸中最小尺寸的第二最小尺寸，其中，　　　　包含：第一曝光步骤，使用利文森型掩模，进行形成所述第一图形的曝光；第二曝光步骤，使用半色调型掩模，进行形成所述第二图形的曝光，　　　　所述第二最小尺寸为所述第一最小尺寸的１．３倍以上的情况下，第二曝光步骤的曝光量在所述第一曝光步骤的曝光量以下。

【技术特征摘要】
JP 2005-12-15 2005-3618311.一种图形形成方法，该图形包含第一图形和第二图形，该第一图形具有作为跨越尺寸中最小尺寸的第一最小尺寸，该第二图形具有作为跨越尺寸中最小尺寸的第二最小尺寸，其中，包含第一曝光步骤，使用利文森型掩模，进行形成所述第一图形的曝光；第二曝光步骤，使用半色调型掩模，进行形成所述第二图形的曝光，所述第二最小尺寸为所述第一最小尺寸的1.3倍以上的情况下，第二曝光步骤的曝光量在所述第一曝光步骤的曝光量以下。2.如权利要求1记载的图形形成方法，其中使用所述半色调型掩模进行所述第二曝光步骤，该半色调型掩模具有成为比所述第一曝光步骤的曝光量少的曝光量的透射率。3.如权利要求1或2记载的图形形成方法，用于基于65nm以下的设计基准进行半导体装置的制造，其中由下式求出的ILS值为34以上ILS值＝(I/Is)×(ΔI/Δx)...(1)其中，Is是线形图形的宽度80nm的切片值、ΔI/Δx是成为光强度线的切片值的点的梯度。4.如权利要求1或2记载的图形形成方法，其中所述利文森型掩模以及半色调型掩模中的至少一种掩模，使用形成为具有光学邻近校正的掩模。5.一种图形形成方法，该图形包含第一图形和第二图形，该第一图形具有作为跨越尺寸中最小尺寸的第一最小尺寸，该第二图形具有作为跨越尺寸中最小尺寸的第二最小尺寸，其中，包含第一曝光步骤，使用利文森型掩模，进行形成所述第一图形的曝光；第二曝光步骤，使用半色调型掩模，进行形成所述第二图形的曝光，所述第二最小尺寸为所述第一最小尺寸的1.0倍以上、1.1倍以下的情况下，将所述第二曝光步骤的曝光量设定为比所述第一曝光步骤的曝光量大。6.如权利要求5记载的图形形成方法，其中所述利文森型掩模以及半色调型掩模中的至少一种掩模，使用形成为具有光学邻近校正的掩模。7.一种利文森型掩模的制造方法，该利文森型掩模具有透光板和配置在所述透光板的...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥野满，茂庭明美，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：JP[日本]