具有沟道方向中的应力修改和电容减少特征部件的晶体管结构及其方法技术

一种晶体管（４０）包括具有外围的有源区，该外围具有相反的侧面；以及位于有源区中的源极（４４）和漏极（４２）。栅极（４６）覆盖有源区的沟道区域，该沟道区域分隔源极（４４）和漏极（４２）。该晶体管（４０）进一步包括至少一个应力修改特征部件（５４），其自源极侧面或者漏极侧面中的至少一个侧面处的有源区的边缘向沟道区域延伸，但是并不进入沟道区域。该至少一个应力修改特征部件（５４）包括电介质。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种晶体管，包括：具有外围的有源区，所述外围具有相对的侧面；位于有源区中的源极；位于有源区中的漏极；栅极，其覆盖有源区的沟道区域，所述沟道区域分隔源极和漏极；和至少一个应力修改特征部件，其自源极侧面或 者漏极侧面中的至少一个侧面处的有源区的边缘向沟道区域延伸，但是并不进入沟道区域，所述至少一个应力修改特征部件包括电介质。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建，迈克尔A门迪奇诺，万司H亚当斯，叶祖飞，文卡塔R科拉甘塔，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]