电光装置以及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供即使在使保持电容的电介质层变薄的情况下，也能够防止在下电极的外周端部和上电极重叠的部分的耐压强度的降低的电光装置以及具备该电光装置的电子设备。在构成液晶装置的保持电容时，形成栅极绝缘层（４）的厚的下层侧栅极绝缘层（４ａ），利用干性蚀刻除去与下电极（３ｃ）重叠的部分的下层侧栅极绝缘层（４ａ）。然后，形成薄的上层侧栅极绝缘层（４ｂ），把该上层侧栅极绝缘层（４ｂ）用作保持电容（１ｈ）的电介质层（４ｃ）。此时，至少在下电极（３ｃ）的外周端部和上电极（６ｃ）重叠的部分，成为栅极绝缘层（４）的下层侧栅极绝缘层（４ａ）和上层侧栅极绝缘层（４ｂ）层叠的厚膜部分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在元件基板上具备薄膜晶体管和保持电容的电光装置，以及具备该电光装置的电子设备。
技术介绍
在各种的电光装置之中的有源矩阵型的液晶装置中，例如，在如图16(a)、(b)所示的元件基板10和相对基板(未图示)之间保持有液晶。在元件基板10中，在与栅极线3a(扫描线)和源极线6a(数据线)交叉对应的多个像素区域1e的每一个上，形成有像素开关用的薄膜晶体管1c以及与该薄膜晶体管1c的漏极区域电连接的像素电极2a，根据从源极线6a经由薄膜晶体管1c向像素电极2a施加的图像信号按照每个像素控制液晶的取向。在像素区域1e上形成有将电容线3b的一部分作为下电极3c，漏极电极6b的延伸部分作为上电极6c的保持电容1h，在保持电容1h中多把薄膜晶体管1c的栅极绝缘层4作为电介质层4c进行利用。在此，如果提高保持电容1h的每单位面积的电容值，则电荷的保持特性提高。另外，如果提高保持电容1h的每单位面积的电容值，则能够缩小占有面积提高像素开口率。因此，作为不降低薄膜晶体管的栅极绝缘层的耐压强度(耐受电压)而提高保持电容的每单位面积的电容值的构成，提出有使栅极绝缘层变厚，电介质层变薄的提案。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电光装置，其特征在于，具备：在元件基板上的多个各个像素区域的每一个上，层叠有栅极电极、栅极绝缘层和半导体层的薄膜晶体管；与该薄膜晶体管的漏极区域电连接的像素电极；以及具备夹着采用了构成所述栅极绝缘层的材料的绝缘层 相对的下电极和上电极的保持电容；其中，所述上电极形成为与所述下电极的外周端部的至少一部分重叠；所述栅极绝缘层，在所述下电极和所述上电极重叠的区域的至少内侧区域上具有膜厚薄的薄膜部分，在至少所述下电极的外周端部和所述上电极重叠 的部分具有膜厚比所述薄膜部分厚的厚膜部分。

【技术特征摘要】
JP 2006-4-26 121642/20061.一种电光装置，其特征在于，具备在元件基板上的多个各个像素区域的每一个上，层叠有栅极电极、栅极绝缘层和半导体层的薄膜晶体管；与该薄膜晶体管的漏极区域电连接的像素电极；以及具备夹着采用了构成所述栅极绝缘层的材料的绝缘层相对的下电极和上电极的保持电容；其中，所述上电极形成为与所述下电极的外周端部的至少一部分重叠；所述栅极绝缘层，在所述下电极和所述上电极重叠的区域的至少内侧区域上具有膜厚薄的薄膜部分，在至少所述下电极的外周端部和所述上电极重叠的部分具有膜厚比所述薄膜部分厚的厚膜部分。2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于所述薄膜晶体管从下层侧按顺序层叠有所述栅极电极、所述栅极绝缘层以及所述半导体层。3.根据权利要求1或2所述的电光装置，其特征在于所述栅极绝缘层在所述下电极和所述上电极重叠的区域之中所述下电极的外周端部和所述上...

【专利技术属性】
技术研发人员：平林幸哉，佐藤尚，
申请(专利权)人：爱普生映像元器件有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]