电子束曝光方法技术

本发明专利技术公开了一种电子束曝光方法，包括：首先将预存于电子控制装置内的产品设计图形分区；继而对不同分区内的图形单独曝光。所述产品设计图形包括复数个目标图形和辅助图形；所述复数个目标图形和辅助图形之间无固定相对位置；对所述不同分区内的图形单独曝光时施行不同的曝光次数；所述辅助图形分区的曝光次数小于目标图形分区曝光次数；所述各图形分区曝光量的总和相等。采用本发明专利技术方法，有效地降低了曝光时间，同时提高了生产效率，并降低了成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别涉及一种降低曝光时间的。
技术介绍
电子束曝光技术作为一种高分辨率的曝光技术，现已成为纳米级微细加工技术和微电子技术中的主要曝光手段。目前，电子束曝光主要应用在光刻技术掩膜制造、新一代集成电路的研制与开发以及新器件、新结构的研究与加工等方面。如申请号为“200380102314.2”中所描述的电子束曝光系统，现有的电子束曝光系统包括用于形成和控制电子束的电子光学柱、精密移动平台和电子控制装置，其中，电子光学柱主要包括电子源、电子束控制口径、电磁透镜和电子束偏转扫描装置。图1所示为电子束曝光系统工作原理图，如图1所示，电子源11内阴极放电产生的自由电子经过电子束控制口径后，到达电磁透镜12区域，电磁场的变化将电子束14聚焦于待曝光产品20上。电子束偏转扫描装置13和精密移动平台30用来调整电子束14聚焦于待曝光产品20上的位置。电子控制装置13通过调制脉冲信号41控制电子束曝光。图2所示为说明现有曝光方式的流程示意图；如图2所示，现有技术中电子束曝光的具体步骤为步骤21按照产品设计图形50曝光产品；步骤22对相应产品进行重复曝光；所述曝光次数视实际要求而定；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子束曝光方法，其特征在于，包括：ａ．将预存于电子控制装置（４０）内的产品设计图形（５０）分区；ｂ．对不同分区内的图形单独曝光。

【技术特征摘要】
1.一种电子束曝光方法，其特征在于，包括a.将预存于电子控制装置(40)内的产品设计图形(50)分区；b.对不同分区内的图形单独曝光。2.根据权利要求1所述的电子束曝光方法，其特征在于所述产品设计图形(50)包括复数个目标图形(51)和辅助图形(52)；所述复数个目标图形(51)和辅助图形(52)之间无固定相对位置。3.根据权利要求2所述的电子束曝光方法，其特征在于所述复数个目标图形(51)共同组成产品应用设计图形...

【专利技术属性】
技术研发人员：李正强，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]