【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术主要涉及半导体衬底的热处理。更具体地，本专利技术涉及半导体衬底的激光热处理。
技术介绍
在硅和硅晶圆中形成的其它半导体集成电路或者诸如用于显示器的玻璃板的其他衬底的制造中需要热处理。所需温度可从低于250℃的相对低温变化到高于1000℃、1200℃或者甚至1400的温度，并且可能用于多种工艺诸如掺杂注入退火、结晶化、氧化、氮化、硅化和化学气相沉积以及其他反应中。对于需要用于高级集成电路的极浅电路特征，非常期望在实现所需的热处理中减少总热预算。热预算被认为是在需要达到所需处理温度的高温时的总时间。晶圆需要保留在最高温度的时间可以非常短。快速热处理(RTP)采用辐射灯，该辐射灯可以快速开启和关闭以仅加热晶圆而不加热腔室的其余部分。采用甚短(约20ns)激光脉冲的脉冲激光退火在仅加热表面层而不加热下层晶圆时是有效的，因此其允许甚短升降速度。在2002年12月18日递交的申请号为No.10/325,497的美国专利申请中，Jennings等人在PCT/2003/00196966中描述了近来开发的以各种形式的方法，有时称为热通量激光退火或者动态表面退火(DSA...
【技术保护点】
一种热处理衬底的装置，包括： 激光辐射源，其包括沿慢轴排列的多个激光二极管； 镜片，将来自所述源的所述激光辐射定向至所述衬底；以及 光电探测器阵列，其沿着垂直于所述慢轴的快轴排列并接收从所述衬底反射通过所述镜片的部分所述激光辐射。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2004-11-12 60/627,530;US 2005-8-5 11/198,6601.一种热处理衬底的装置，包括激光辐射源，其包括沿慢轴排列的多个激光二极管；镜片，将来自所述源的所述激光辐射定向至所述衬底；以及光电探测器阵列，其沿着垂直于所述慢轴的快轴排列并接收从所述衬底反射通过所述镜片的部分所述激光辐射。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述多个激光二极管包含沿着所述慢轴的平行列的激光二极管。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括第一平移装置，用于改变(a)所述衬底和(b)所述镜片之间的距离；以及控制器，其接收所述光电探测器阵列的输出并响应所述输出控制所述平移装置以在所述衬底上聚焦所述激光辐射。4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，配置所述镜片以在所述衬底上将所述激光辐射聚焦成线束，所述线束具有沿着所述慢轴的长尺寸和沿着所述快轴的短尺寸。5.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，进一步包括用于至少在所述快方向上彼此相对移动所述镜片和所述衬底的第二平移装置。6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括在所述源和所述衬底之间排列用于使所述光束沿着所述慢轴均匀的单轴光管。7.一种热处理衬底的方法，所述方法包含以下所述步骤以包含具有沿着慢轴的短尺寸和沿着快轴的长尺寸的线束的激光辐射照射所述衬底，所述多个激光二极管从沿着所述慢轴排列的各个区域发出；确定从所述衬底反射的部分所述激光辐射沿着所述快轴的分布；以及改变所述镜片和所述衬底之间的距离以修改所述分布。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：迪安詹宁斯，蒂莫西N托马斯，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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