【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于液晶显示装置，特别关于一种使用半色调曝光法来制造液晶显示用主动矩阵基板的方法。
技术介绍
使用遮光罩中存在完全UV光遮断区域、UV光半透过区域及UV光透过区域的三个区域的半色调曝光用遮光罩，制作厚度不同的正光阻图案光微影制程，是已经揭示于日本特开昭61-181130(1986年8月13日公开)与日本特开平10-163174(1998年6月19日公开)的技术。而使用半色调曝光用遮光罩减少TFT阵列基板的制程中的光微影制程次数，是在日本特开2000-066240(2000年3月3日公开)及日本特开2000-206571(2000年7月28日公开)中公开。并使用半色调曝光用遮光罩，以1次光微影制程进行非结晶硅薄膜半导体层的元件分离、源极电极、漏极电极的形成，与除去薄膜晶体管元件的通道部的欧姆接触层。日本特开2001-221992、日本特开2001-228493及日本特开2001-235763，是使用两层的透明导电层与金属层，通过半色调曝光法，以1次光微影制程同时形成栅极电极、共用电极与反(counter)像素电极。日本特开2001-201756(2001年7月21日公开)是使用两层的金属或合金，通过半色调曝光法，以1次光微影制程同时形成横电场方式显示装置的栅极电极、共用电极与液晶驱动用梳齿状共用电极。再者，同样地，使用两层的金属或合金，通过半色调曝光法，以1次光微影制程同时形成源极电极、漏极电极与液晶驱动用梳齿状像素电极。日本特开2001-311965(2001年11月9日公开)是使用半色调曝光法，以1次光微影制程同时进行栅极电极与薄膜半导体层...
【技术保护点】
一种ＴＮ模式、ＭＶＡ模式及ＩＰＳ模式用主动矩阵基板的制造方法，是关于构成主动矩阵显示装置的主动矩阵基板的制造方法，其特征是使用下述４次光微影制程来制造：（１）使用半色调遮光罩的第一次半色调曝光法形成：栅极电极、像素电极、共用电极及像 素电极内接触焊垫；（２）使用半色调遮光罩的第二次半色调曝光法形成：薄膜半导体层元件分离及接触孔；（３）使用普通遮光罩形成：源极电极、漏极电极及保持电容形成电极；及（４）使用普通遮光罩形成：栅极电极端子部、源极电极端子 部及共用电极端子部的接触孔。
【技术特征摘要】
JP 2006-5-19 2006-1666741.一种TN模式、MVA模式及IPS模式用主动矩阵基板的制造方法，是关于构成主动矩阵显示装置的主动矩阵基板的制造方法，其特征是使用下述4次光微影制程来制造(1)使用半色调遮光罩的第一次半色调曝光法形成栅极电极、像素电极、共用电极及像素电极内接触焊垫；(2)使用半色调遮光罩的第二次半色调曝光法形成薄膜半导体层元件分离及接触孔；(3)使用普通遮光罩形成源极电极、漏极电极及保持电容形成电极；及(4)使用普通遮光罩形成栅极电极端子部、源极电极端子部及共用电极端子部的接触孔。2.一种MVA模式用主动矩阵基板的制造方法，是关于构成主动矩阵显示装置的主动矩阵基板的制造方法，其特征是使用下述4次光微影制程来制造(1)使用半色调遮光罩的第一次半色调曝光法形成栅极电极、像素电极、共用电极及像素电极内接触焊垫；(2)使用半色调遮光罩的第二次半色调曝光法形成薄膜半导体层元件分离及接触孔；(3)使用普通遮光罩形成源极电极、漏极电极及配向方向控制电极；及(4)使用普通遮光罩形成栅极电极端子部、源极电极端子部及共用电极端子部的接触孔。3.一种FFS模式用主动矩阵基板的制造方法，是关于构成主动矩阵显示装置的主动矩阵基板的制造方法，其特征是使用下述4次光微影制程来制造(1)使用半色调遮光罩的第一次半色调曝光法形成栅极电极、像素电极、共用电极及像素电极内接触焊垫；(2)使用半色调遮光罩的第二次半色调曝光法形成薄膜半导体层元件分离及接触孔；(3)使用普通遮光罩形成源极电极、漏极电极及梳齿状共用电极；及(4)使用普通遮光罩形成栅极电极端子部、源极电极端子部及共用电极端子部的接触孔。4.一种TN模式、MVA模式及IPS模式用主动矩阵基板的制造方法，是关于构成主动矩阵显示装置的主动矩阵基板的制造方法，其特征是使用下述3次光微影制程来制造(1)使用半色调遮光罩的第一次半色调曝光法形成栅极电极、像素电极、共用电极及像素电极内接触焊垫；(2)使用半色调遮光罩的第二次半色调曝光法形成薄膜半导体层元件分离及接触孔；及(3)使用普通遮光罩形成源极电极、漏极电极及保持电容形成电极；干式刻蚀薄膜晶体管的通道部的欧姆接触层后，使用屏蔽沉积法，以P-CVD装置形成氮化硅膜层(不在闸极电极端子部、源极电极端子部及共用电极端子部上成膜)。5.一种MVA模式用主动矩阵基板的制造方法，是关于构成主动矩阵显示装置的主动矩阵基板的制造方法，其特征是使用下述3次光微影制程来制造(1)使用半色调遮光罩的第一次半色调曝光法形成栅极电极、像素电极、共用电极及像素电极内接触焊垫；(2)使用半色调遮光罩的第二次半色调曝光法形成薄膜半导体层元件分离及接触孔；及(3)使用普通遮光罩形成源极电极、漏极电极及配向方向控制电极；干式刻蚀薄膜晶体管的通道部的欧姆接触层后，使用屏蔽沉积法，以P-CVD装置形成氮化硅膜层(不在栅极电极端子部、源极电极端子部及共用电极端子部上成膜)。6.一种FFS模式用主动矩阵基板的制造方法，是关于构成主动矩阵显示装置的主动矩阵基板的制造方法，其特征是使用下述3次光微影制程来制造(1)使用半色调遮光罩的第一次半色调曝光法形成栅极电极、像素电极、共用电极及像素电极内接触焊垫；(2)使用半色调遮光罩的第二次半色调曝光法形成薄膜半导体层元件分离及接触孔；及(3)使用普通遮光罩形成源极电极、漏极电极及梳齿状共用电极；干式刻蚀薄膜晶体管的通道部的欧姆接触层后，使用屏蔽沉积法，以P-CVD装置形成氮化硅膜层(不在栅极电极端子部、源极电极端子部及共用电极端子部上成膜)。7.一种TN模式、MVA模式及IPS模式用主动矩阵基板的制造方法，是关于构成主动矩阵显示装置的主动矩阵基板的制造方法，其特征是以下述的使用两次半色调双重曝光法的4次光微影制程来制造首先，使用脉冲激光，在玻璃基板内部形成绝对基准对准标记，(1)第一次半色调双重曝光法(对准绝对基准对准标记而曝光)a.使用普通遮光罩，将栅极电极、共用电极及像素电极内接触焊垫予以底面半曝光；b.使用普通遮光罩，将像素电极、栅极电极及共用电极予以普通曝光(藉由a、b的多重曝光，而形成栅极电极、像素电极、共用电极及像素电极内接触焊垫)；(2)第二次半色调双重曝光法a.使用普通遮光罩，将薄膜半导体元件部予以底面半曝光；b.使用普通遮光罩，将接触孔予以普通曝光(藉由a、b的多重曝光，而形成薄膜半导体层的元件分离及接触孔)；(3)以使用普通遮光罩的普通曝光法形成源极电极、漏极电极及保持电容形成电极；及(4)以使用普通遮光罩的普通曝光法形成栅极电极端子部、源极电极端子部及共用电极端子部的接触孔。8.一种MVA模式用主动矩阵基板的制造方法，是关于构成主动矩阵显示装置的主动矩阵基板的制造方法，其特征是以下述的使用两次半色调双重曝光法的4次光微影制程来制造首先，使用脉冲激光，在玻璃基板内部形成绝对基准对准标记；(1)第一次半色调双重曝光法(对准绝对基准对准标记而曝光)a.使用普通遮光罩，将栅极电极、共用电极及像素电极内接触焊垫予以底面半曝光；b.使用普通遮光罩，将像素电极、栅极电极及共用电极予以普通曝光(藉由a、b的多重曝光，而形成栅极电极、像素电极、共用电极及像素电极内接触焊垫)；(2)第二次半色调双重曝光法a.使用普通遮光罩，将薄膜半导体元件部予以底面半曝光；b.使用普通遮光罩，将接触孔予以普通曝光(藉由a、b的多重曝光，而形成薄膜半导体层的元件分离及接触孔)；(3)以使用普通遮光罩的普通曝光法形成源极电极、漏极电极及配向方向控制电极；及(4)以使用普通遮光罩的普通曝光法形成栅极电极端子部、源极电极端子部及共用电极端子部的接触孔。9.一种FFS模式用主动矩阵基板的制造方法，是关于构成主动矩阵显示装置的主动矩阵基板的制造方法，其特征是以下述的使用两次半色调双重曝光法的4次光微影制程来制造首先，使用脉冲激光，在玻璃基板内部形成绝对基准对准标记，(1)第一次半色调双重曝光法(对准绝对基准对准标记而曝光)a.使用普通遮光罩，将栅极电极、共用电极及像素电极内接触焊垫予以底面半曝光；b.使用普通遮光罩，将像素电极、栅极电极及共用电极予以普通曝光(藉由a、b的多重曝光，而形成栅极电极、像素电极、共用电极及像素电极内接触焊垫)；(2)第二次半色调双重曝光法a.使用普通遮光罩，将薄膜半导体元件部予以底面半曝光，b.使用普通遮光罩，将接触孔予以普通曝光(藉由a、b的多重曝光，而形成薄膜半导体层的元件分离及接触孔)；(3)以使用普通遮光罩的普通曝光法形成源极电极、漏极电极及梳齿状共用电极；及(4)以使用普通遮光罩的普通曝光法形成栅极电极端子部、源极电极端子部及共用电极端子部的接触孔。10.一种TN模式、MVA模式及IPS模式用主动矩阵基板的制造方法，是关于构成主动矩阵显示装置的主动矩阵基板的制造方法，其特征是以下述的使用两次半色调双重曝光法的3次光微影制程来制造首先，使用脉冲激光，在玻璃基板内部形成绝对基准对准标记，(1)第一次半色调双重曝光法(对准绝对基准对准标记而曝光)a.使用普通遮光罩，将栅极电极、共用电极及像素电极内接触焊垫予以底面半曝光；b.使用普通遮光罩，将像素电极、栅极电极及共用电极予以普通曝光(藉由a、b的多重曝光，而形成栅极电极、像素电极、共用电极及像素电极内接触焊垫)；(2)第二次半色调双重曝光法a.使用普通遮光罩，将薄膜半导体元件部予以底面半曝光；b.使用普通遮光罩，将接触孔予以普通曝光(藉由a、b的多重曝光，而形成薄膜半导体层的元件分离及接触孔)；及(3)以使用普通遮光罩的普通曝光法形成源极电极、漏极电极及保持电容形成电极；干式刻蚀薄膜晶体管的通道部的欧姆接触层后，使用屏蔽沉积法，以P-CVD装置形成氮化硅膜层(不在栅极电极端子部、源极电极端子部及共用电极端子部上成膜)。11.一种MVA模式用主动矩阵基板的制造方法，是关于构成主动矩阵显示装置的主动矩阵基板的制造方法，其特征是以下述的使用两次半色调双重曝光法的3次光微影制程来制造首先，使用脉冲激光，在玻璃基板内部形成绝对基准对准标记，(1)第一次半色调双重曝光法(对准绝对基准对准标记而曝光)a.使用普通遮光罩，将栅极电极、共用电极及像素电极内接触焊垫予以底面半曝光；b.使用普通遮光罩，将像素电极、栅极电极及共用电极予以普通曝光(藉由a、b的多重曝光，而形成栅极电极、像素电极、共用电极及像素电极内接触焊垫)；(2)第二次半色调双重曝光法a.使用普通遮光罩，将薄膜半导体元件部予以底面半曝光；b.使用普通遮光罩，将接触孔予以普通曝光(藉由a、b的多重曝光，而形成薄膜半导体层的元件分离及接触孔)；及(3)以使用普通遮光罩的普通曝光法形成源极电极、漏极电极及配向方向控制电极；干式刻蚀薄膜晶体管的通道部的欧姆接触层后，使用屏蔽沉积法，以P-CVD装置形成氮化硅膜层(不在栅极电极端子部、源极电极端子部及共用电极端子部上成膜)。12.一种FFS模式用主动矩阵基板的制造方法，是关于构成主动矩阵显示装置的主动矩阵基板的制造方法，其特征是以下述的使用两次半色调双重曝光法的3次光微影制程来制造首先，使用脉冲激光，在玻璃基板内部形成绝对基准对准标记，(1)第一次半色调双重曝光法(对准绝对基准对准标记而曝光)a.使用普通遮光罩，将栅极电极、共用电极及像素电极内接触焊垫予以底面半曝光；b.使用普通遮光罩，将像素电极、栅极电极及共用电极予以普通曝光(藉由a、b的多重曝光，而形成栅极电极、像素电极、共用电极及像素电极内接触焊垫)；(2)第二次半色调双重曝光法a.使用普通遮光罩，将薄膜半导体元件部予以底面半曝光；b.使用普通遮光罩，将接触孔予以普通曝光(藉由a、b的多重曝光，而形成薄膜半导体层的元件分离及接触孔)；及(3)以使用普通遮光罩的普通曝光法形成源极电极、漏极电极及梳齿状共用电极；干式刻蚀薄膜晶体管的通道部的欧姆接触层后，使用屏蔽沉积法，以P-CVD装置形成氮化硅膜层(不在栅极电极端子部、源极电极端子部及共用电极端子部上成膜)。13.一种TN模式、MVA模式用主动矩阵基板的制造方法，是关于构成主动矩阵显示装置的主动矩阵基板的制造方法，其特征是以下述的使用两次DMD直接描绘曝光装置进行的DMD半色调无屏蔽曝光法的4次光微影制程来制造(1)使用第一次DMD半色调无屏蔽曝光法形成栅极电极、像素电极、共用电极及像素电极内接触焊垫；(2)使用第二次DMD半色调无屏蔽曝光法形成薄膜半导体层元件分离及接触孔；(3)使用普通遮光罩曝光法或DMD普通无屏蔽曝光法形成源极电极、漏极电极及保持电容形成电极；及(4)使用普通遮光罩曝光法或DMD普通无屏蔽曝光法形成栅极电极端子部、源极电极端子部及共用电极端子部的接触孔。14.一种MVA模式用主动矩阵基板的制造方法，是关于构成主动矩阵显示装置的主动矩阵基板的制造方法，其特征是以下述的使用两次DMD直接描绘曝光装置进行的DMD半色调无屏蔽曝光法的4次光微影制程来制造(1)使用第一次DMD半色调无屏蔽曝光法形成栅极电极、像素电极、共用电极及像素电极内接触焊垫；(2)使用第二次DMD半色调无屏蔽曝光法形成薄膜半导体层元件分离及接触孔；(3)使用普通遮光罩曝光法或DMD普通无屏蔽曝光法形成源极电极、漏极电极及配向方向控制电极；及(4)使用普通遮光罩曝光法或DMD普通无屏蔽曝光法形成栅极电极端子部、源极电极端子部及共用电极端子部的接触孔。15.一种TN模式、MVA模式用主动矩阵基板的制造方法，是关于构成主动矩阵显示装置的主动矩阵基板的制造方法，其特征是以下述的使用两次DMD直接描绘曝光装置进行的DMD半色调无屏蔽曝光法的3次光微影制程来制造(1)使用第一次DMD半色调无屏蔽曝光法形成栅极电极、像素电极、共用电极及像素电极内接触焊垫；(2)使用第二次DMD半色调无屏蔽曝光法形成薄膜半导体层元件分离及接触孔；及(3)使用普通遮光罩曝光法或DMD普通无屏蔽曝光法形成源极电极、漏极电极及保持电容形成电极；干式刻蚀薄膜晶体管的通道部的欧姆接触层后，使用屏蔽沉积法，以P-CVD装置形成氮化硅膜层(不在栅极电极端子部、源极电极端子部及共用电极端子部上成膜)。16.一种MVA模式用主动矩阵基板的制造方法，是关于构成主动矩阵显示装置的主动矩阵基板的制造方法，其特征是以下述的使用两次DMD直接描绘曝光装置进行的DMD半色调无屏蔽曝光法的3次光微影制程来制造(1)使用第一次DMD半色调无屏蔽曝光法形成栅极电极、像素电极、共用电极及像素电极内接触焊垫；(2)使用第二次DMD半色调无屏蔽曝光法形成薄膜半导体层元件分离及接触孔；及(3)使用普通遮光罩曝光法或DMD普通无屏蔽曝光法形成源极电极、漏极电极及配向方向控制电极；干式刻蚀薄膜晶体管的通道部的欧姆接触层后，使用屏蔽沉积法，以P-CVD装置形成氮化硅膜层(不在栅极电极端子部、源极电极端子部及共用电极端子部上成膜)。17.如权利要求1至16中的任意一项权利要求所述的主动矩阵基板的制造方法，其特征是，第一次光微影制程中使用下述的方法洗净玻璃基板后，形成钛或锆的金属或合金膜，作为第一层(下层)金属后，连续溅镀形成第二层(上层)金属膜，涂布正光阻后，使用使用半色调遮光罩(透过曝光量调制遮光罩)的半色调曝光法、使用两种普通遮光罩进行两次多重曝光的半色调双重曝光法、或是使用DMD直接描绘曝光元件的半色调无屏蔽曝光法，予以显像后，调整成将对应于栅极电极部、共用电极部及像素电极内的接触焊垫部的正光阻的厚度，予以最大程度增厚，而对应于除接触焊垫部之外的像素电极区域与共用电极的一部分的正光阻的厚度变薄；其次，刻蚀除去未保留正光阻区域的第二层(上层)金属与第一层(下层)金属后，进行氧电浆处理或臭氧气体处理，而分解除去薄的正光阻保留的区域的正光阻，仅选择性刻蚀而除去露出的第二层(上层)金属，使第一层(下层)金属露出，其次，剥离正光阻最大厚度保留的区域的正光阻后，在栅极电极部、共用电极部与像素电极内部的接触焊垫部的第二层(上层)金属表面，及露出的像素电极部的第一层(下层)金属表面掺杂氮离子，将栅极电极表面、共用电极表面与像素电极内部的接触焊垫表面予以防氧化处理，同时，通过使像素电极的钛或锆的金属或合金薄膜变成氮化钛或氮化锆，而提高可视光的透过率。18.如权利要求1至16中的任意一项权利要求所述的主动矩阵基板的制造方法，其特征是，第一次光微影制程中使用下述的方法洗净玻璃基板后，形成钛或锆的金属氮化物、合金的氮化物、金属氧氮化物或合金的氧氮化物膜，作为第一层(下层)透明导体后，连续溅镀形成第二层(上层)金属膜，涂布正光阻后，使用使用半色调遮光罩(透过曝光量调制遮光罩)的半色调曝光法、使用两种普通遮光罩进行两次多重曝光的半色调双重曝光法、或是使用DMD直接描绘曝光元件的半色调无屏蔽曝光法，予以显像后，调整成将对应于栅极电极部、共用电极部及像素电极内的接触焊垫部的正光阻的厚度，予以最大程度增厚，而对应于除接触焊垫部之外的像素电极区域与共用电极的一部分的正光阻的厚度变薄；其次，刻蚀除去未保留正光阻区域的第二层(上层)金属与第一层(下层)透明导体后，进行氧电浆处理或臭氧气体处理，而分解除去薄的正光阻保留的区域的正光阻，仅选择性刻蚀而除去露出的第二层(上层)金属，使第一层(下层)透明导体露出，剥离正光阻最大厚度保留的区域的正光阻后，在栅极电极部、共用电极部与像素电极内部的接触焊垫部的第二层(上层)金属表面掺杂氮离子，将栅极电极表面、共用电极表面与像素电极内部的接触焊垫表面予以防氧化处理。19.如权利要求1至16中的任意一项权利要求所述的主动矩阵基板的制造方法，其特征是，第一次光微影制程中使用下述的方法洗净玻璃基板后，形成金属氧化物的ITO或IZO的膜，作为第一层(下层)透明导体后，连续溅镀氧化还原电位比ITO及IZO小的钼、铬、银合金、铜合金或含有0.5～7.0原子％的镍、钴或铁的铝合金而成膜，作为第二层(上层)金属，涂布正光阻后，使用使用半色调遮光罩(透过曝光量调制遮光罩)的半色调曝光法、使用两种普通遮光罩进行两次多重曝光的半色调双重曝光法、或是使用DMD直接描绘曝光元件的半色调无屏蔽曝光法，予以显像后，调整成将对应于栅极电极部、共用电极部及像素电极内的接触焊垫部的正光阻的厚度，予以最大程度增厚，而对应于除接触焊垫部之外的像素电极区域与共用电极的一部分的正光阻的厚度变薄；其次，刻蚀除去未保留正光阻区域的第二层(上层)金属与第一层(下层)透明导体后，进行氧电浆处理或臭氧气体处理，而分解除去薄的正光阻保留的区域的正光阻，仅选择性刻蚀而除去露出的第二层(上层)金属，使第一层(下层)透明导体露出，剥离正光阻最大厚度保留的区域的正光阻后，在栅极电极部、共用电极部与像素电极内部的接触焊垫部的第二层(上层)金属表面掺杂氮离子，将栅极电极表面、共用电极表面与像素电极内部的接触焊垫表面予以防氧化处理。20.如权利要求1至16中的任意一项权利要求所述的主动矩阵基板的制造方法，其特征是，第一次光微影制程中使用下述的方法洗净玻璃基板后，形成钛或锆的金属或合金膜，作为第一层(下层)金属后，连续溅镀形成第二层(上层)金属膜，涂布正光阻后，使用使用半色调遮光罩(透过曝光量调制遮光罩)的半色调曝光法、使用两种普通遮光罩进行两次多重曝光的半色调双重曝光法、或是使用DMD直接描绘曝光元件的半色调无屏蔽曝光法，予以显像后，调整成将对应于栅极电极部、共用电极部及像素电极内的接触焊垫部的正光阻的厚度，予以最大程度增厚，而对应于除接触焊垫部之外的像素电极区域与共用电极的一部分的正光阻的厚度变薄；其次，仅选择性刻蚀除去未保留正光阻区域的第二层(上层)金属后，进行氧电浆处理或臭氧气体处理，而分解除去薄的正光阻保留的区域的正光阻，利用经过图案化而露出的第二层(上层)金属作为屏蔽，仅选择性刻蚀除去露出的第一层(下层)金属，其次，仅选择性刻蚀露出的第二层(上层)金属，使第一层(下层)金属露出后，剥离保留的正光阻；在栅极电极部、共用电极部及像素电极内部的接触焊垫部的第二层(上层)金属表面，及露出的像素电极部的第一层(下层)金属表面掺杂氮离子，将栅极电极表面、共用电极表面与像素电极内部的接触焊垫部表面予以防氧化处理，同时通过使像素电极部的钛或锆的金属或合金的薄膜变成氮化钛或氮化锆，而提高可视光的透过率。21.如权利要求1至16中的任意一项权利要求所述的主动矩阵基板的制造方法，其特征是，第一次光微影制程中使用下述的方法洗净玻璃基板后，形成钛或锆的金属氮化物、合金的氮化物、金属氧氮化物或合金的氧氮化物膜，作为第一层(下层)透明导体后，连续溅镀形成第二层(上层)金属膜，涂布正光阻后，使用使用半色调遮光罩(透过曝光量调制遮光罩)的半色调曝光法、使用两种普通遮光罩进行两次多重曝光的半色调双重曝光法、或是使用DMD直接描绘曝光元件的半色调无屏蔽曝光法，予以显像后，调整成将对应于栅极电极部、共用电极部及像素电极内的接触焊垫部的正光阻的厚度，予以最大程度增厚，而对应于除接触焊垫部之外的像素电极区域与共用电极的一部分的正光阻的厚度变薄；其次，仅选择性刻蚀除去未保留正光阻区域的第二层(上层)金属后，进行氧电浆处理或臭氧气体处理，而分解除去薄的正光阻保留的区域的正光阻，利用经过图案化而露出的第二层(上层)金属作为屏蔽，仅选择性刻蚀除去露出的第一层(下层)透明导体，其次，仅选择性刻蚀露出的第二层(上层)金属，使第一层(下层)透明导体露出后，剥离保留的正光阻，在栅极电极部、共用电极部及像素电极内部的接触焊垫部的第二层(上层)金属表面掺杂氮离子，将栅极电极表面、共用电极表面与像素电极内部的接触焊垫部表面予以防氧化处理。22.如权利要求1至16中的任意一项权利要求所述的主动矩阵基板的制造方法，其特征是，第一次光微影制程中使用下述的方法洗净玻璃基板后，形成金属氧化物的ITO或IZO的膜，作为第一层(下层)透明导体后，连续溅镀氧化还原电位比ITO及IZO小的钼、铬、银合金、铜合金或含有0.5～7.0原子％的镍、钴或铁的铝合金而成膜，作为第二层(上层)金属，涂布正光阻后，使用使用半色调遮光罩(透过曝光量调制遮光罩)的半色调曝光法、使用两种普通遮光罩进行两次多重曝光的半色调双重曝光法、或是使用DMD直接描绘曝光元件的半色调无屏蔽曝光法，予以显像后，调整成将对应于栅极电极部、共用电极部及像素电极内的接触焊垫部的正光阻的厚度，予以最大程度增厚，而对应于除接触焊垫部之外的像素电极区域与共用电极的一部分的正光阻的厚度变薄，其次，仅选择性刻蚀除去未保留正光阻区域的第二层(上层)金属后，进行氧电浆处理或臭氧气体处理，而分解除去薄的正光阻保留的区域的正光阻，利用经过图案化而露出的第二层(上层)金属作为屏蔽，仅选择性刻蚀除去露出的第一层(下层)透明导体，其次，仅选择性刻蚀露出的第二层(上层)金属，使第一层(下层)透明导体露出后，剥离保留的正光阻，在栅极电极部、共用电极部及像素电极内部的接触焊垫部的第二层(上层)金属表面掺杂氮离子，将栅极电极表面、共用电极表面与像素电极内部的接触焊垫部表面予以防氧化处理。23.如权利要求1至16中的任意一项权利要求所述的主动矩阵基板的制造方法，其特征是，第一次光微影制程中使用下述的方法洗净玻璃基板后，形成钛或锆的金属或合金膜，作为第一层(下层)金属后，连续形成铝或铝合金或铜、铜合金、银或银合金膜，作为第二层(中层)金属，进一步连续形成钼或铬膜作为第三层(上层)金属，涂布正光阻后，使用使用半色调遮光罩(透过曝光量调制遮光罩)的半色调曝光法、使用两种普通遮光罩进行两次多重曝光的半色调双重曝光法、或是使用DMD直接描绘曝光元件的半色调无屏蔽曝光法，予以显像后，调整成将对应于栅极电极部、共用电极部及像素电极内的接触焊垫部的正光阻的厚度，予以最大程度增厚，而对应于除接触焊垫部之外的像素电极区域与共用电极的一部分的正光阻的厚度变薄，其次，刻蚀除去未保留正光阻区域的第三层(上层)金属的钼或铬，第二层(中层)金属的铝、铝合金、铜、铜合金、银或银合金，及第一层(下层)金属后，进行氧电浆处理或臭氧气体处理，而分解除去薄的正光阻保留的区域的正光阻，选择性刻蚀除去露出的第三层(上层)金属与第二层(中层)金属，使第一层(下层)金属露出，剥离最大厚度保留正光阻的区域的正光阻后，通过在露出的像素电极部的第一层(下层)金属表面掺杂氮离子，而变成氮化钛或氮化锆等，使可视光的透过率提高。24.如权利要求1至16中的任意一项权利要求所述的主动矩阵基板的制造方法，其特征是，第一次光微影制程中使用下述的方法洗净玻璃基板后，形成钛或锆的金属氮化物、合金的氮化物、金属氧氮化物或合金的氧氮化物膜，作为第一层(下层)透明导体后，连续形成铝或铝合金或铜、铜合金、银或银合金膜，作为第二层(中层)金属，进一步连续形成钼或铬膜作为第三层(上层)金属，涂布正光阻后，使用使用半色调遮光罩(透过曝光量调制遮光罩)的半色调曝光法、使用两种普通遮光罩进行两次多重曝光的半色调双重曝光法、或是使用DMD直接描绘曝光元件的半色调无屏蔽曝光法，予以显像后，调整成将对应于栅极电极部、共用电极部及像素电极内的接触焊垫部的正光阻的厚度，予以最大程度增厚，而对应于除接触焊垫部之外的像素电极区域与共用电极的一部分的正光阻的厚度变薄，其次，刻蚀除去未保留正光阻区域的第三层(上层)金属的钼或铬，第二层(中层)金属的铝、铝合金、铜、铜合金、银或银合金，及第一层(下层)透明导体的氮化钛、氮化锆、氧氮化钛或氧氮化锆等后，进行氧电浆处理或臭氧气体处理，而分解除去薄的正光阻保留的区域的正光阻，选择性刻蚀除去露出的第三层(上层)金属与第二层(中层)金属，使第一层(下层)透明导体露出，最后，剥离最大厚度保留正光阻的区域的正光阻。25.如权利要求1至16中的任意一项权利要求所述的主动矩阵基板的制造方法，其特征是，第一次光微影制程中使用下述的方法洗净玻璃基板后，形成金属氧化物的ITO或IZO的膜，作为第一层(下层)透明导体后，连续形成氧化还原电位比ITO及IZO小的以0.5～7.0原子％含有钼或铬的铜合金、银合金、或以0.5～7.0原子％含有镍、钴或铁的铝合金膜，作为第二层(中层)金属，进一步连续形成钼或铬膜作为第三层(上层)金属，涂布正光阻后，使用使用半色调遮光罩(透过曝光量调制遮光罩)的半色调曝光法、使用两种普通遮光罩进行两次多重曝光的半色调双重曝光法、或是使用DMD直接描绘曝光元件的半色调无屏蔽曝光法，予以显像后，调整成将对应于栅极电极部、共用电极部及像素电极内的接触焊垫部的正光阻的厚度，予以最大程度增厚，而对应于除接触焊垫部之外的像素电极区域与共用电极的一部分的正光阻的厚度变薄；其次，刻蚀除去未保留正光阻区域的第三层(上层)金属的钼或铬，第二层(中层)金属的铜合金银合金或铝合金，及第一层(下层)透明导体的ITO或IZO后，进行氧电浆处理或臭氧气体处理，而分解除去薄的正光阻保留的区域的正光阻，选择性刻蚀除去露出的第三层(上层)金属与第二层(中层)金属，使第一层(下层)透明导体露出，最后，剥离最大厚度保留正光阻的区域的正光阻。26.如权利要求1至16中的任意一项权利要求所述的主动矩阵基板的制造方法，其特征是，第一次光微影制程中使用下述的方法洗净玻璃基板后，形成钛或锆的金属或合金膜，作为第一层(下层)金属后，连续形成铝或铝合金或铜、铜合金、银或银合金膜，作为第二层(中层)金属，进一步连续形成钼或铬膜作为第三层(上层)金属，涂布正光阻后，使用使用半色调遮光罩(透过曝光量调制遮光罩)的半色调曝光法、使用两种普通遮光罩进行两次多重曝光的半色调双重曝光法、或是使用DMD直接描绘曝光元件的半色调无屏蔽曝光法，予以显像后，调整成将对应于栅极电极部、共用电极部及像素电极内的接触焊垫部的正光阻的厚度，予以最大程度增厚，而对应于除接触焊垫部之外的像素电极区域与共用电极的一部分的正光阻的厚度变薄；其次，刻蚀除去未保留正光阻区域的第三层(上层)金属的钼或铬，及第二层(中层)金属的铝、铝合金、铜、铜合金、银或银合金后，进行氧电浆处理或臭氧气体处理，而分解除去薄的正光阻保留的区域的正光阻，利用经过图案化而露出的第三层(上层)金属与第二层(中层)金属作为屏蔽，选择性刻蚀露出的第一层(下层)金属，其次，仅选择性刻蚀除去露出的第三层(上层)金属与第二层(中层)金属，使第一层(下层)金属露出后，剥离保留的正光阻，通过在露出的像素电极部的第一层金属表面掺杂氮离子而变成氮化钛或氮化锆等，而使可视光的透过率提高。27.如权利要求1至16中的任意一项权利要求所述的主动矩阵基板的制造方法，其特征是，第一次光微影制程中使用下述的方法洗净玻璃基板后，形成钛或锆的金属氮化物、合金的氮化物、金属氧氮化物或合金的氧氮化物膜，作为第一层(下层)透明导体后，连续形成铝或铝合金或铜、铜合金、银或银合金膜，作为第二层(中层)金属，进一步连续形成钼或铬膜作为第三层(上层)金属，涂布正光阻后，使用使用半色调遮光罩(透过曝光量调制遮光罩)的半色调曝光法、使用两种普通遮光罩进行两次多重曝光的半色调双重曝光法、或是使用DMD直接描绘曝光元件的半色调无屏蔽曝光法，予以显像后，调整成将对应于栅极电极部、共用电极部及像素电极内的接触焊垫部的正光阻的厚度，予以最大程度增厚，而对应于除接触焊垫部的外的像素电极区域与共用电极的一部分的正光阻的厚度变薄，其次，刻蚀除去未保留正光阻区域的第三层(上层)金属的钼或铬，及第二层(中层)金属的铝、铝合金、铜、铜合金、银或银合金后，进行氧电浆处理或臭氧气体处理，而分解除去薄的正光阻保留的区域的正光阻，利用经过图案化而露出的第三层(上层)金属与第二层(中层)金属作为屏蔽，选择性刻蚀露出的第一层(下层)透明导体，其次，仅选择性刻蚀除去露出的第三层(上层)金属与第二层(中层)金属，使第一层(下层)透明导体露出后，剥离保留的正光阻。28.如权利要求1至16中的任意一项权利要求所述的主动矩阵基板的制造方法，其特征是，第一次光微影制程中使用下述的方法洗净玻璃基板后，形成金属氧化物的ITO或IZO的膜，作为第一层透明导体后，连续形成氧化还原电位比ITO及IZO小的以0.5～7.0原子％含有钼或铬的铜合金、银合金、或以0.5～7.0原子％含有镍、钴或铁的铝合金膜，作为第二层(中层)金属，进一步连续形成钼或铬膜作为第三层(上层)金属，涂布正光阻后，使用使用半色调遮光罩(透过曝光量调制遮光罩)的半色调曝光法、使用两种普通遮光罩进行两次多重曝光的半色调双重曝光法、或是使用DMD直接描绘曝光元件的半色调无屏蔽曝光法，予以显像后，调整成将对应于栅极电极部、共用电极部及像素电极内的接触焊垫部的正光阻的厚度，予以最大程度增厚，而对应于除接触焊垫部之外的像素电极区域与共用电极的一部分的正光阻的厚度变薄；其次，刻蚀除去未保留正光阻区域的第三层(上层)金属的钼或铬，及第二层(中层)金属的铜合金银合金或铝合金后，进行氧电浆处理或臭氧气体处理，而分解除去薄的正光阻保留的区域的正光阻，利用经过图案化而露出的第三层(上层)金属与第二层(中层)金属作为屏蔽，选择性刻蚀露出的第一层(下层)透明导体，其次，仅选择性刻蚀除去露出的第三层(上层)金属与第二层(中层)金属，使第一层(下层)透明导体露出后，剥离保留的正光阻。29.如权利要求17或20或23或26所述的制造方法，其特征是，第一层(下层)金属的钛或锆或这些合金的膜厚为5～25nm的范围，在形成第一层(下层)金属膜后，以溅镀法形成第二层的金属膜时，首先，在溅镀用惰性气体的氩或氪气体中，以1～20％的范围混合氮、氨、联氨、腙等的至少一种以上的氮化性气体，予以放电，在第二层的金属膜中掺杂氮原子，而在1～10nm程度的厚度上形成第二层金属膜后，停止混入氮化性气体，藉由仅以溅镀用惰性气体的氩或氪成膜，可使与第一层(下层)金属的界面及接近界面的区域的第二层金属的刻蚀率，比未掺杂氮原子的第二层金属区域小，而可进行锥状的刻蚀加工。30.如权利要求18、19、21、22、24、25、27或28所述的制造方法，其特征是，第一层(下层)薄膜透明导体的膜厚为10～100nm的范围，将第一层(下层)薄膜透明导体成膜后，以溅镀法形成第二层的金属膜时，首先，在溅镀用惰性气体的氩或氪气体中，以1～20％的范围混合氮、氨、联氨、腙等的至少一种以上的氮化性气体，予以放电，在第二层的金属膜中掺杂氮原子，而在1～10nm程度的厚度上形成第二层金属膜后，停止混入氮化性气体，藉由仅以溅镀用惰性气体的氩或氪成膜，防止第一层(下层)透明导体中含有的氧原子扩散移动至第二层金属，可使与第一层(下层)透明导体的界面及接近界面的区域的第二层金属的刻蚀率，比未掺杂氮原子的第二层金属区域小，而可进行锥状的刻蚀加工。31.如权利要求17或20或23或26所述的制造方法，其特征是，在第一层(下层)金属的钛、锆或这些合金的膜厚为5～25nm的范围，剥离正光阻后，在基板上掺杂氮离子时的加速能为1～20KeV的范围下进行，使像素接触焊垫部的接触电阻值为100KΩ以下。32.如权利要求18或19或21或22所述的制造方法，其特征是，在第一层透明导体的膜厚为10～100nm的范围，剥离正光阻后，在基板上掺杂氮离子时的加速能为0.5～10KeV的范围下进行，使像素接触焊垫部的接触电阻值为100KΩ以下。33.如权利要求1至16中的任意一项权利要求所述的主动矩阵基板的制造方法，其特征是，第二次光微影制程中使用下述的方法于第一次的光微影制程完全结束后，在基板全面形成栅极绝缘膜，其次，连续形成未掺杂薄膜半导体层及掺杂杂质的欧姆接触用的薄膜半导体层的膜后，涂布正光阻，使用使用半色调遮光罩的半色调曝光法、使用两种普通遮光罩进行两次多重曝光的半色调双重曝光法、或使用DMD直接描绘曝光元件的半色调无屏蔽曝光法，予以显像后，在形成薄膜晶体管元件的区域，将正光阻的厚度予以最大程度增厚，完全除去开设栅极电极端子部、源极电极端子部或共用电极端子部，以及静电保护电路部或形成于像素电极区域的接触焊垫部等的接触孔的部分的正光阻，调整成在其以外的区域，正光阻的厚度均一地变薄而保留，其次，刻蚀完全除去正光阻的接触孔部的薄膜半导体层与栅极绝缘膜予以完全除去后，进行氧电浆处理或臭氧气体处理，分解除去正光阻薄且以均一的膜厚保留的半色调曝光区域的正光阻，使该处理后，薄膜晶体管元件区域的正光阻仍然保留，而预先调整半色调曝光区域的正光阻膜厚与薄膜晶体管元件区域的未曝光区域的正光阻膜厚；分解除去半色调曝光区域的正光阻后，仅选择性刻蚀除去露出的薄膜半导体层，使栅极绝缘膜露出，维持除接触孔形成部分之外，被栅极绝缘膜完全覆盖包含栅极电极、共用电极与像素电极的全部区域的状态，而将薄膜晶体管元件部的薄膜半导体层予以图案化；其次，剥离保留于薄膜晶体管元件部的薄膜半导体层上的正光阻。34.如权利要求1至16中的任意一项权利要求所述的主动矩阵基板的制造方法，其特征是，第二次光微影制程中使用下述的方法于第一次的光微影制程完全结束后，在基板全面形成栅极绝缘膜，其次，连续形成未掺杂薄膜半导体层及掺杂杂质的欧姆接触用的薄膜半导体层的膜后，形成耐氧化性障壁金属膜，其次，涂布正光阻，使用使用半色调遮光罩的半色调曝光法、使用两种普通遮光罩进行两次多重曝光的半色调双重曝光法、或使用DMD直接描绘曝光元件的半色调无屏蔽曝光法，予以显像后，在形成薄膜晶体管元件的区域，将正光阻的厚度予以最大程度增厚，完全除去开设栅极电极端子部、源极电极端子部或共用电极端子部，以及静电保护电路部或形成于像素电极区域的接触焊垫部等的接触孔的部分的正光阻，调整成在其以外的区域，正光阻的厚度均一地变薄而保留，其次，刻蚀完全除去正光阻的接触孔部的耐氧化性障壁金属、薄膜半导体层与栅极绝缘膜予以完全除去后，进行氧电浆处理或臭氧气体处理，分解除去正光阻薄且以均一的膜厚保留的半色调曝光区域的正光阻，使该处理后，薄膜晶体管元件区域的正光阻仍然保留，而预先调整半色调曝光区域的正光阻膜厚与薄膜晶体管元件区域的未曝光区域的正光阻膜厚；分解除去半色调曝光区域的正光阻后，仅选择性刻蚀除去露出的耐氧化性障壁金属及形成于其下层的薄膜半导体层，使栅极绝缘膜露出，维持除接触孔形成部分之外，被栅极绝缘膜完全覆盖包含栅极电极、共用电极与像素电极的全部区域的状态，而将薄膜晶体管元件部的耐氧化性障壁金属与薄膜半导体层予以图案化；其次，剥离保留于薄膜晶体管元件部的薄膜半导体层上的正光阻。35.如权利要求1至16中的任意一项权利要求所述的主动矩阵基板的制造方法，其特征是，第二次光微影制程中使用下述的方法于第一次的光微影制程完全结束后，在基板全面形成栅极绝缘膜，其次，连续形成未掺杂薄膜半导体层及掺杂杂质的欧姆接触用的薄膜半导体层的膜后，涂布正光阻，使用使用半色调遮光罩(透过曝光量调制遮光罩)的半色调曝光法、使用两种普通遮光罩进行两次多重曝光的半色调双重曝光法、或使用DMD直接描绘曝光元件的半色调无屏蔽曝光法，予以显像后，在形成薄膜晶体管元件的区域，将正光阻的厚度予以最大程度增厚，完全除去开设栅极电极端子部、源极电极端子部或共用电极端子部，以及静电保护电路部或形成于像素电极区域的接触焊垫部等的接触孔的部分的正光阻，调整成在其以外的区域，正光阻的厚度均一地变薄而保留，其次，完全刻蚀除去完全除去正光阻的接触孔部的薄膜半导体层后，半刻蚀接触孔部的栅极绝缘膜，而少许保留栅极绝缘膜，其次，进行氧电浆处理或臭氧气体处理，分解除去正光阻薄且以均一的膜厚保留的半色调曝光区域的正光阻，使该处理后，薄膜晶体管元件区域的正光阻仍然保留，而预先调整半色调曝光区域的正光阻膜厚与薄膜晶体管元件区域的未曝光区域的正光阻膜厚；分解除去半色调曝光区域的正光阻后，刻蚀露出的薄膜半导体层，同时亦刻蚀接触孔部的区域中少许保留的栅极绝缘膜，该刻蚀调整成在接触孔部的区域中少许保留的栅极绝缘膜比露出的薄膜半导体层提早而完全被刻蚀；完全刻蚀除去保留于接触孔部的区域的栅极绝缘膜后，变更刻蚀条件，仅选择性刻蚀露出的薄膜半导体层，避免在半色调曝光区域的栅极绝缘膜上造成损伤，而使栅极绝缘膜露出，藉此，维持除接触孔形成部分之外，被栅极绝缘膜完全覆盖包含栅极电极、共用电极与像素电极的全部区域的状态，而将薄膜晶体管元件部的薄膜半导体层予以图案化；其次，剥离保留于薄膜晶体管元件部的薄膜半导体层上的正光阻。36.如权利要求1至16中的任意一项权利要求所述的主动矩阵基板的制造方法，其特征是，第二次光微影制程中使用下述的方法于第一次的光微影制程完全结束后，在基板全面形成栅极绝缘膜，其次，连续形成未掺杂薄膜半导体层及掺杂杂质的欧姆接触用的薄膜半导体层的膜后，形成耐氧化性障壁金属膜；其次，涂布正光阻，使用使用半色调遮光罩(透过曝光量调制遮光罩)的半色调曝光法、使用两种普通遮光罩进行两次多重曝光的半色调双重曝光法、或使用DMD直接描绘曝光元件的半色调无屏蔽曝光法，予以显像后，在形成薄膜晶体管元件的区域，将正光阻的厚度予以最大程度增厚，完全除去开设栅极电极端子部、源极电极端子部或共用电极端子部，以及静电保护电路部或形成于像素电极区域的接触焊垫部等的接触孔的部分的正光阻，调整成在其以外的区域，正光阻的厚度均一地变薄而保留，其次，完全刻蚀除去完全除去正光阻的接触孔部的耐氧化性障壁金属与薄膜半导体层后，半刻蚀接触孔部的栅极绝缘膜，而少许保留栅极绝缘膜，其次，进行氧电浆处理或臭氧气体处理，分解除去正光阻薄且以均一的膜厚保留的半色调曝光区域的正光阻，使该处理后，薄膜晶体管元件区域的正光阻仍然保留，而预先调整半色调曝光区域的正光阻膜厚与薄膜晶体管元件区域的未曝光区域的正光阻膜厚；分解除去半色调曝光区域的正光阻后，刻蚀露出的耐氧化性障壁金属与形成于耐氧化性障壁金属下层的薄膜半导体层，同时亦刻蚀接触孔部的区域中少许保留的栅极绝缘膜，该刻蚀调整成在接触孔部的区域中少许保留的栅极绝缘膜比半色调曝光区域的薄膜半导体层提早而完全被刻蚀；完全刻蚀除去保留于接触孔部的区域的栅极绝缘膜后，变更刻蚀条件，仅选择性刻蚀露出的薄膜半导体层，避免在半色调曝光区域的栅极绝缘膜上造成损伤，而使栅极绝缘膜露出，藉此，维持除接触孔形成部分之外，被栅极绝缘膜完全覆盖包含栅极电极、共用电极与像素电极的全部区域的状态，而将薄膜晶体管元件部的耐氧化性障壁金属与薄膜半导体层予以图案化，其次，剥离保留于薄膜晶体管元件部的耐氧化性障壁金属上的正光阻。37.如权利要求1至16中的任意一项权利要求所述的主动矩阵基板的制造方法，其特征是，第二次光微影制程中使用下述的方法于第一次的光微影制程完全结束后，在基板全面形成栅极绝缘膜，其次，连续形成未掺杂薄膜半导体层及掺杂杂质的欧姆接触用的薄膜半导体层的膜后，涂布正光阻，使用使用半色调遮光罩(透过曝光量调制遮光罩)的半色调曝光法、使用两种普通遮光罩进行两次多重曝光的半色调双重曝光法、或使用DMD直接描绘曝光元件的半色调无屏蔽曝光法，予以显像后，在形成薄膜晶体管元件的区域，将正光阻的厚度予以最大程度增厚，完全除去开设栅极电极端子部、源极电极端子部或共用电极端子部，以及静电保护电路部或形成于像素电极区域的接触焊垫部等的接触孔的部分的正光阻，调整成在其以外的区域，正光阻的厚度均一地变薄而保留，其次，刻蚀完全除去正光阻的接触孔部的薄膜半导体层与栅极绝缘膜而完全除去后，进行氧电浆处理或臭氧气体处理，分解除去正光阻薄且以均一的膜厚保留的半色调曝光区域的正光阻；使该处理后，薄膜晶体管元件区域的正光阻仍然保留，而预先调整半色调曝光区域的正光阻膜厚与薄膜晶体管元件区域的未曝光区域的正光阻膜厚；分解除去半色调曝光区域的正光阻后，仅选择性刻蚀除去露出的薄膜半导体层，使栅极绝缘膜露出，维持除接触孔形成部分之外，被栅极绝缘膜完全覆盖包含栅极电极、共用电极与像素电极的全部区域的状态，而将薄膜晶体管元件部的薄膜半导体层予以图案化；其次，使用离子掺杂法，对基板自斜方向照射氮离子，或是使用氮化性气体，对基板进行电浆处理，而氮化处理薄膜晶体管元件部的薄膜半导体层侧壁，而后，剥离保留的正光阻。38.如权利要求1至16中的任意一项权利要求所述的主动矩阵基板的制造方法，其特征是，第二次光微影制程中使用下述的方法于第一次的光微影制程完全结束后，在基板全面形成栅极绝缘膜，其次，连续形成未掺杂薄膜半导体层及掺杂杂质的欧姆接触用的薄膜半导体层的膜后，形成耐氧化性障壁金属膜；其次，涂布正光阻，使用使用半色调遮光罩(透过曝光量调制遮光罩)的半色调曝光法、使用两种普通遮光罩进行两次多重曝光的半色调双重曝光法、或使用DMD直接描绘曝光元件的半色调无屏蔽曝光法，予以显像后，在形成薄膜晶体管元件的区域，将正光阻的厚度予以最大程度增厚，完全除去开设栅极电极端子部、源极电极端子部或共用电极端子部，以及静电保护电路部或形成于像素电极区域的接触焊垫部等的接触孔的部分的正光阻，调整成在其以外的区域，正光阻的厚度均一地变薄而保留，其次，刻蚀完全除去正光阻的接触孔部的耐氧化性障壁金属、薄膜半导体层与栅极绝缘膜而完全除去后，进行氧电浆处理或臭氧气体处理，分解除去正光阻薄且以均一的膜厚保留的半色调曝光区域的正光阻，使该处理后，薄膜晶体管元件区域的正光阻仍然保留，而预先调整半色调曝光区域的正光阻膜厚与薄膜晶体管元件区域的未曝光区域的正光阻膜厚；分解除去半色调曝光区域的正光阻后，仅选择性刻蚀除去露出的耐氧化性障壁金属与形成于其下层的薄膜半导体层，使栅极绝缘膜露出，维持除接触孔形成部分之外，被栅极绝缘膜完全覆盖包含栅极电极、共用电极与像素电极的全部区域的状态，而将薄膜晶体管元件部的耐氧化性障壁金属与薄膜半导体层予以图案化；其次，使用离子掺杂法，对基板自斜方向照射氮离子，或是使用氮化性气体，对基板进行电浆处理，而氮化处理薄膜晶体管元件部的薄膜半导体层侧壁，而后，剥离保留的正光阻。39.如权利要求1至16中的任意一项权利要求所述的主动矩阵基板的制造方法，其特征是，第二次光微影制程中使用下述的方法于第一次的光微影制程完全结束后，在基板全面形成栅极绝缘膜，其次，连续形成未掺杂薄膜半导体层及掺杂杂质的欧姆接触用的薄膜半导体层的膜后，涂布正光阻，使用使用半色调遮光罩(透过曝光量调制遮光罩)的半色调曝光法、使用两种普通遮光罩进行两次多重曝光的半色调双重曝光法、或使用DMD直接描绘曝光元件的半色调无屏蔽曝光法，予以显像后，在形成薄膜晶体管元件的区域，将正光阻的厚度予以最大程度增厚，完全除去开设栅极电极端子部、源极电极端子部或共用电极端子部，以及静电保护电路部或形成于像素电极区域的接触焊垫部等的接触孔的部分的正光阻，调整成在其以外的区域，正光阻的厚度均一地变薄而保留，其次，完全刻蚀除去完全除去正光阻的接触孔部的薄膜半导体层后，半刻蚀接触孔部的栅极绝缘膜，而少许保留栅极绝缘膜，其次，进行氧电浆处理或臭氧气体处理，分解除去正光阻薄且以均一的膜厚保留的半色调曝光区域的正光阻，使该处理后，薄膜晶体管元件区域的正光阻仍然保留，而预先调整半色调曝光区域的正光阻膜厚与薄膜晶体管元件区域的未曝光区域的正光阻膜厚；分解除去半色调曝光区域的正光阻后，刻蚀露出的薄膜半导体层，同时亦刻蚀接触孔部的区域中少许保留的栅极绝缘膜，该刻蚀调整成在接触孔部的区域中少许保留的栅极绝缘膜比露出的薄膜半导体层提早而完全被刻蚀，完全刻蚀除去保留于接触孔部的区域的栅极绝缘膜后，变更刻蚀条件，仅选择性刻蚀露出的薄膜半导体层，避免在半色调曝光区域的栅极绝缘膜上造成损伤，而使栅极绝缘膜露出；藉此，维持除接触孔形成部分之外，被栅极绝缘膜完全覆盖包含栅极电极、共用电极与像素电极的全部区域的状态，而将薄膜晶体管元件部的薄膜半导体层予以图案化，其次，使用离子掺杂法，对基板自斜方向照射氮离子，或是使用氮化性气体，对基板进行电浆处理，而氮化处理薄膜晶体管元件部的薄膜半导体层侧壁，而后，剥离保留的正光阻。40.如权利要求1至16中的任意一项权利要求所述的主动矩阵基板的制造方法，其特征是，第二次光微影制程中使用下述的方法于第一次的光微影制程完全结束后，在基板全面形成栅极绝缘膜，其次，连续形成未掺杂薄膜半导体层及掺杂杂质的欧姆接触用的薄膜半导体层的膜后，形成耐氧化性障壁金属膜；其次，涂布正光阻，使用使用半色调遮光罩(透过曝光量调制遮光罩)的半色调曝光法、使用两种普通遮光罩进行两次多重曝光的半色调双重曝光法、或使用DMD直接描绘曝光元件的半色调无屏蔽曝光法，予以显像后，在形成薄膜晶体管元件的区域，将正光阻的厚度予以最大程度增厚，完全除去开设栅极电极端子部、源极电极端子部或共用电极端子部，以及静电保护电路部或形成于像素电极区域的接触焊垫部等的接触孔的部分的正光阻，调整成在其以外的区域，正光阻的厚度均一地变薄而保留；其次，完全刻蚀除去完全除去正光阻的接触孔部的耐氧化性障壁金属与薄膜半导体层后，半刻蚀接触孔部的栅极绝缘膜，而少许保留栅极绝缘膜，其次，进行氧电浆处理或臭氧气体处理，分解除去正光阻薄且以均一的膜厚保留的半色调曝光区域的正光阻，使该处理后，薄膜晶体管元件区域的正光阻仍然保留，而预先调整半色调曝光区域的正光阻膜厚与薄膜晶体管元件区域的未曝光区域的正光阻膜厚；分解除去半色调曝光区域的正光阻后，刻蚀露出的耐氧化性障壁金属与形成于耐氧化性障壁金属下层的薄膜半导体层，同时亦刻蚀接触孔部的区域中少许保留的栅极绝缘膜，该刻蚀调整成在接触孔部的区域中少许保留的栅极绝缘膜比半色调曝光区域的薄膜半导体层提早而完全被刻蚀；完全刻蚀除去保留于接触孔部的区域的栅极绝缘膜后，变更刻蚀条件，仅选择性刻蚀露出的薄膜半导体层，避免在半色调曝光区域的栅极绝缘膜上造成损伤，而使栅极绝缘膜露出；藉此，维持除接触孔形成部分之外，被栅极绝缘膜完全覆盖包含栅极电极、共用电极与像素电极的全部区域的状态，而将薄膜晶体管元件部的耐氧化性障壁金属与薄膜半导体层予以图案化；其次，使用离子掺杂法，对基板自斜方向照射氮离子，或是使用氮化性气体，对基板进行电浆处理，而氮化处理薄膜晶体管元件部的薄膜半导体层侧壁，而后，剥离保留的正光阻。41.如权利要求34或36或38或40所述的主动矩阵基板的制造方法，其特征是，耐氧化性障壁金属的材料，是使用可被氟系的干式刻蚀气体刻蚀的钼、钛、锆等高熔点金属，并使用溅镀法形成1nm～50nm的膜厚。42.如权利要求35或36或39或40所述的主动矩阵基板的制造方法，其特征是，半刻蚀接触孔部的栅极绝缘膜后，保留于接触孔部的栅极绝缘膜的厚度为5nm至200nm的范围。43.如权利要求37或38或39或40所述的主动矩阵基板的制造方法，其特征是，使用离子掺杂法氮化处理薄膜晶体管元件部的薄膜半导体层侧壁时，氮离子的照射角度为自基板的水平方向起5度～60度的范围，且将氮离子的加速能设定于1KeV～10KeV的范围。44.一种主动矩阵基板，是至少使用一个以上权利要求1至权利要求43的主动矩阵基板的制造方法而制造。45.一种主动矩阵显示装置，是组合有至少使用一个以上权利要求1至权利要求43的主动矩阵基板的制造方法而制造的主动矩阵基板。46.一种主动矩阵基板，是使用权利要求1至16的制造方法而制造，其特征是在第一次光微影制程所形成的像素电极内部，除薄膜像素电极之外，至少形成1个以上以与栅极相同的金属材料所形成的接触焊垫，通过第二次光微影制程所形成的接触孔，而以第三次光微影制程电性连接上述接触焊垫与薄膜晶体管元件的漏极电极，像素电极除接触孔之外，被栅极绝缘膜完全覆盖。47.一种主动矩阵基板，是使用权利要求1、4、7、10、13、15的制造方法而制造，其特征是以第一次光微影制程，将栅极电极、平行于栅极电极而接近的共用电极、像素电极及在前述像素电极内部，除薄膜像素电极之外，以与栅极电极相同的金属材料形成的至少2个以上的接触焊垫，同时形成于同层上，通过第二次光微影制程所形成的接触孔，上述2个以上的接触焊垫中至少1个与第三次光微影制程所形成的薄膜晶体管元件的漏极电极电性连接，其余的至少1个以上接触孔与第三次光微影制程所形成的保持电容Cst形成电极电性连接，且通过使该保持电容Cst形成电极与前述共用电极，通过栅极绝缘膜而重迭，来形成电容器，像素电极除接触孔之外，被栅极绝缘膜完全覆盖。48.一种主动矩阵基板，是使用权利要求2、5、8、11、14、16的制造方法而制造，其特征是以第一次光微影制程，将栅极电极、平行于栅极电极而接近的共用电极、像素电极及在前述像素电极内部，除薄膜像素电极之外，以与栅极电极相同的金属材料形成的至少1个以上的接触焊垫，同时形成于同层上，以第二次光微影制程，在对应于上述共用电极与上述接触焊垫的位置，分别形成1个以上的接触孔后，以第三次光微影制程，形成薄膜晶体管元件的漏极电极与控制液晶分子配向方向的配向方向控制电极，漏极电极通过接触孔而与接触焊垫电性连接，配向方向控制电极通过接触孔而与共用电极电性连接，且通过与薄膜像素电极，通过栅极绝缘膜而重迭，来形成电容器，像素电极除接触孔...
【专利技术属性】
技术研发人员：田中荣，鲛岛俊之，
申请(专利权)人：三国电子有限会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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