磁传感器制造技术

磁传感器具备非磁性的基板和感应元件31，所述感应元件31具有长边方向和短边方向，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场，感应元件31具有多个软磁体层105a～105d、和由非磁体构成且层叠于多个软磁体层105a～105d之间的多个非磁体层106a～106c，夹着各个非磁体层106a～106c而相对的软磁体层105a～105d是经反铁磁性耦合的。的。的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁传感器


[0001]本专利技术涉及磁传感器。

技术介绍

[0002]作为公报中记载的现有技术，存在下述磁阻抗效应元件，其具备：薄膜磁铁，其形成于非磁性基板上，并且由硬磁体膜形成；绝缘层，其将前述薄膜磁铁的上部覆盖；和感磁部，其形成于前述绝缘层上，被赋予了单轴各向异性，并且由一个或多个长方形的软磁体膜形成(参见专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2008
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249406号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]在使用具有软磁体层的感应元件作为磁阻抗效应元件的磁传感器中，根据感应元件的层叠结构的不同，有时来自磁传感器的输出中的信号(Signal)与噪声(Noise)之比即SN比降低。
[0008]本专利技术的目的是抑制利用了磁阻抗效应的磁传感器的输出中的SN比的降低。
[0009]用于解决课题的手段
[0010]应用了本专利技术的磁传感器具备非磁性的基板和感应元件，前述感本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.磁传感器，其具备：非磁性的基板；和感应元件，所述感应元件具有长边方向和短边方向，在与该长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场，所述感应元件具有多个软磁体层、和由非磁体构成且层叠于多个该软磁体层之间的多个非磁体层，夹着各个该非磁体层而相对的该软磁体层是经反铁磁性耦合的。2.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：远藤大三，筱龙德，坂胁彰，利根川翔，渡边恭成，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：