有源矩阵基板及其制造方法技术

提供具备具有顶栅结构并且特性相互不同的多个氧化物半导体TFT的有源矩阵基板。一种有源矩阵基板，具备分别具有氧化物半导体层和隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层的一部分上的栅极电极的第1TFT和第2TFT，在第1TFT中，氧化物半导体层中的隔着栅极绝缘层由栅极电极覆盖的第1区域在整个范围内具有包含下部氧化物半导体膜和上部氧化物半导体膜的层叠结构，上部氧化物半导体膜的迁移率高于下部氧化物半导体膜的迁移率，在第2TFT中，氧化物半导体层的第1区域的至少一部分包含下部氧化物半导体膜和上部氧化物半导体膜中的一方氧化物半导体膜，并且不包含另一方氧化物半导体膜。膜。膜。

【技术实现步骤摘要】
有源矩阵基板及其制造方法


[0001]本专利技术涉及有源矩阵基板及其制造方法。

技术介绍

[0002]液晶显示装置、有机电致发光(EL)显示装置等所使用的有源矩阵基板具有：显示区域，其具有多个像素；以及显示区域以外的区域(非显示区域或边框区域)。在显示区域中，按每个像素具备薄膜晶体管(Thin Film Transistor；以下，称为“TFT”)等开关元件。作为这种开关元件，以往以来，已广泛使用以非晶硅膜为活性层的TFT(以下，称为“非晶硅TFT”)、以多晶硅膜为活性层的TFT(以下，称为“多晶硅TFT”)。
[0003]作为TFT的活性层的材料，已提出使用氧化物半导体来代替非晶硅、多晶硅。将这种TFT称为“氧化物半导体TFT”。氧化物半导体具有比非晶硅高的迁移率。因此，氧化物半导体TFT能比非晶硅TFT高速地动作。
[0004]TFT的结构大体分为底栅结构和顶栅结构。当前，氧化物半导体TFT多采用底栅结构，但也提出了使用顶栅结构(例如专利文献1)。在顶栅结构中，能够使栅极绝缘层变薄，因此能得到高的电流供应性能。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有源矩阵基板，具有包含多个像素区域的显示区域和设置在上述显示区域的周边的非显示区域，其特征在于，具备：基板；以及多个氧化物半导体TFT，其支撑于上述基板，设置在上述显示区域或上述非显示区域，上述多个氧化物半导体TFT各自具有氧化物半导体层和隔着栅极绝缘层配置在上述氧化物半导体层的一部分上的栅极电极，上述氧化物半导体层包含隔着上述栅极绝缘层由上述栅极电极覆盖的第1区域，上述多个氧化物半导体TFT包含第1TFT和第2TFT，在上述第1TFT中，上述氧化物半导体层的上述第1区域在整个范围内具有：层叠结构，其包含下部氧化物半导体膜、以及配置在上述下部氧化物半导体膜之上的上部氧化物半导体膜，上述上部氧化物半导体膜的迁移率高于上述下部氧化物半导体膜的迁移率，在上述第2TFT中，上述氧化物半导体层的上述第1区域的至少一部分包含上述下部氧化物半导体膜和上述上部氧化物半导体膜中的一方氧化物半导体膜，并且不包含另一方氧化物半导体膜。2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其中，上述第2TFT中的上述第1区域的上述至少一部分包含上述下部氧化物半导体膜，而不包含上述上部氧化物半导体膜。3.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其中，上述第2TFT中的上述第1区域的上述至少一部分包含上述上部氧化物半导体膜，而不包含上述下部氧化物半导体膜。4.一种有源矩阵基板，具有包含多个像素区域的显示区域和设置在上述显示区域的周边的非显示区域，其特征在于，具备：基板；以及多个氧化物半导体TFT，其支撑于上述基板，设置在上述显示区域或上述非显示区域，上述多个氧化物半导体TFT各自具有：氧化物半导体层；隔着栅极绝缘层配置在上述氧化物半导体层的一部分上的栅极电极；以及源极电极和漏极电极，上述氧化物半导体层包含隔着上述栅极绝缘层由上述栅极电极覆盖的第1区域、以及位于上述第1区域的两侧的第1接触区域和第2接触区域，上述第1接触区域电连接到上述源极电极，上述第2接触区域电连接到上述漏极电极，上述多个氧化物半导体TFT包含第1TFT和第2TFT，在上述第1TFT中，上述氧化物半导体层的上述第1区域在整个范围内具有：层叠结构，其包含下部氧化物半导体膜、以及配置在上述下部氧化物半导体膜上的上部氧化物半导体膜，上述上部氧化物半导体膜和上述下部氧化物半导体膜的迁移率相互不同，在上述第2TFT中，上述氧化物半导体层的上述第1接触区域和上述第2接触区域具有上述层叠结构，但上述第1区域的至少一部分包含上述下部氧化物半导体膜和上述上部氧化物半导体膜中的一方氧化物半导体膜，并且不包含另一方氧化物半导体膜。5.根据权利要求4所述的有源矩阵基板，其中，上述第2TFT中的上述第1区域的上述至少一部分包含上述下部氧化物半导体膜，而不包含上述上部氧化物半导体膜。
6.根据权利要求4所述的有源矩阵基板，其中，上述第2TFT中的上述第1区域的上述至少一部分包含上述上部氧化物半导体膜，而不包含上述下部氧化物半导体膜。7.根据权利要求4至6中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，在上述第2TFT中，上述氧化物半导体层的上述第1区域的一部分具有上述层叠结构，另一部分包含上述一方氧化物半导体膜，并且不包含上述另一方氧化物半导体膜。8.根据权利要求4至6中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，在上述第2TFT中，上述氧化物半导体层的上述第1区域的整个范围包含上述一方氧化物半导体膜，并且不包含上述另一方氧化物半导体膜。9.根据权利要求4至8中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，上述上部氧化物半导体膜的迁移率高于上述下部氧化物半导体膜的迁移率。10.根据权利要求4至8中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，上述上部氧化物半导体膜的迁移率低于上述下部氧化物半导体膜的迁移率。11.根据权利要求4至10中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，上述多个氧化物半导体TFT各自还具有覆盖上述氧化物半导体层和上述栅极电极的绝缘层，上述源极电极在形成于上述绝缘层的第1开口部内与上述第1接触区域接触，上述漏极电极在形成于上述绝缘层的第2开口部内与上述第2接触区域接触。12.根据权利要求1至11中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，在上述第1TFT中，上述栅极绝缘层是与上述上部氧化物半导体膜的上表面接触的，在上述第2TFT中，上述栅极绝缘层是与上述一方氧化物半导体膜的上表面接触的。13.根据权利要求4至6中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，上述多个氧化物半导体TFT还包含第3TFT，在上述第2TFT中，上述第1区域的整个范围包含上述下部氧化物半导体膜和上述上部氧化物半导体膜中的一方氧化物半导体膜，并且不包含另一方氧化物半导体膜，在上述第3TFT中，上述氧化物半导体层的上述第1接触区域和上述第2接触区域、以及上述...

【专利技术属性】
技术研发人员：山中昌光，近间义雅，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：