有源矩阵基板及其制造方法技术

提供具备具有顶栅结构并且特性相互不同的多个氧化物半导体TFT的有源矩阵基板。一种有源矩阵基板，具备具有氧化物半导体层和隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层上的栅极电极的第1TFT和第2TFT，在第1TFT中，氧化物半导体层中的隔着栅极绝缘层由栅极电极覆盖的第1区域的至少一部分具有包含具有相对高的迁移率的高迁移率氧化物半导体膜和配置在高迁移率氧化物半导体膜之上且迁移率比高迁移率氧化物半导体膜的迁移率低的低迁移率氧化物半导体膜的层叠结构，在第2TFT中，氧化物半导体层的第1区域在整个范围内包含高迁移率氧化物半导体膜和低迁移率氧化物半导体膜中的一方氧化物半导体膜，并且不包含另一方氧化物半导体膜。体膜。体膜。

【技术实现步骤摘要】
有源矩阵基板及其制造方法


[0001]本专利技术涉及有源矩阵基板及其制造方法。

技术介绍

[0002]液晶显示装置、有机电致发光(EL)显示装置等所使用的有源矩阵基板具有：显示区域，其具有多个像素；以及显示区域以外的区域(非显示区域或边框区域)。在显示区域中，按每个像素具备薄膜晶体管(Thin Film Transistor；以下，称为“TFT”)等开关元件。作为这种开关元件，以往以来，已广泛使用以非晶硅膜为活性层的TFT(以下，称为“非晶硅TFT”)、以多晶硅膜为活性层的TFT(以下，称为“多晶硅TFT”)。
[0003]作为TFT的活性层的材料，已提出使用氧化物半导体来代替非晶硅、多晶硅。将这种TFT称为“氧化物半导体TFT”。氧化物半导体具有比非晶硅高的迁移率。因此，氧化物半导体TFT能比非晶硅TFT高速地动作。
[0004]TFT的结构大体分为底栅结构和顶栅结构。当前，氧化物半导体TFT多采用底栅结构，但也提出了使用顶栅结构(例如专利文献1)。在顶栅结构中，能够使栅极绝缘层变薄，因此能得到高的电流供应性能。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有源矩阵基板，具有包含多个像素区域的显示区域和设置在上述显示区域的周边的非显示区域，其特征在于，具备：基板；以及多个氧化物半导体TFT，其支撑于上述基板，设置在上述显示区域或上述非显示区域，上述多个氧化物半导体TFT各自具有氧化物半导体层和隔着栅极绝缘层配置在上述氧化物半导体层的一部分上的栅极电极，上述氧化物半导体层包含隔着上述栅极绝缘层由上述栅极电极覆盖的第1区域，上述多个氧化物半导体TFT包含第1TFT和第2TFT，在上述第1TFT中，上述氧化物半导体层的上述第1区域的至少一部分具有：层叠结构，其包含具有相对高的迁移率的高迁移率氧化物半导体膜、以及配置在上述高迁移率氧化物半导体膜之上且与上述高迁移率氧化物半导体膜相比具有相对低的迁移率的低迁移率氧化物半导体膜，在上述第2TFT中，上述氧化物半导体层的上述第1区域在整个范围内包含上述高迁移率氧化物半导体膜和上述低迁移率氧化物半导体膜中的一方氧化物半导体膜，并且不包含另一方氧化物半导体膜。2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其中，上述第2TFT中的上述第1区域包含上述低迁移率氧化物半导体膜，而不包含上述高迁移率氧化物半导体膜。3.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其中，上述第2TFT中的上述第1区域包含上述高迁移率氧化物半导体膜，而不包含上述低迁移率氧化物半导体膜。4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，上述多个氧化物半导体TFT中的每个氧化物半导体TFT还具有源极电极和漏极电极，上述多个氧化物半导体TFT中的每个氧化物半导体TFT的上述氧化物半导体层包含位于上述第1区域的两侧的第1接触区域和第2接触区域，上述第1接触区域电连接到上述源极电极，上述第2接触区域电连接到上述漏极电极。5.根据权利要求4所述的有源矩阵基板，其中，在上述第1TFT中，上述第1区域的上述至少一部分具有上述层叠结构，而上述第1接触区域和上述第2接触区域包含上述低迁移率氧化物半导体膜，并且不包含上述高迁移率氧化物半导体膜。6.根据权利要求5所述的有源矩阵基板，其中，在上述第1TFT中，上述氧化物半导体层的上述第1区域的整个范围具有上述层叠结构。7.根据权利要求5所述的有源矩阵基板，其中，在上述第1TFT中，上述氧化物半导体层的上述第1区域的一部分具有上述层叠结构，另一部分包含上述低迁移率氧化物半导体膜，并且不包含上述高迁移率氧化物半导体膜。8.根据权利要求4至7中的任意一项所述的有源矩阵基板，还具有将上述多个氧化物半导体TFT中的上述栅极电极、上述栅极绝缘层以及上述氧化物半导体层覆盖的层间绝缘层，上述第1TFT和上述第2TFT中的每个TFT的上述源极电极和上述漏极电极配置在上述层
间绝缘层上。9.根据权利要求4至7中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，上述第2TFT的上述源极电极和上述漏极电极中的至少一方电极隔着下部绝缘层配置在上述第2TFT的上述氧化物半导体层的上述基板侧，上述第2TFT中的上述第1区域包含上述低迁移率氧化物半导体膜，而不包含上述高迁移率氧化物半导体膜，上述第2TFT中的上述第1接触区域和上述第2接触区域中的至少一方具有包含上述低迁移率氧化物半导体膜、以及包括上述高迁移率氧化物半导体膜的连接层的层叠结构，上述连接层在上述下部绝缘层的开口部内电连接到上述至少一方电极。10.根据权利要求9所述的有源矩阵基板，其中，上述有源矩阵基板还具有配置在上述多个像素区域中的每个像素区域的像素TFT，上述像素TFT是上述第2TFT，上述至少一方电极是上述第2TFT的上述源极电极，上述第2TFT的上述漏极电极配置在上述第2TFT的上述氧化物半导体层的上方。11.根据权利要求4至10中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，上述多个氧化物半导体TFT还包含第3TFT，在上述第1TFT中，上述第1区域、上述第1接触区域以及上述第2接触区域包含上述层叠结构，在上述第3TFT中，上述第1区域的上述至少一部分具有上述层叠结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：大东彻，铃木正彦，西宫节治，原健吾，高畑仁志，菊池哲郎，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：