【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、显示面板及其制备方法
[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种薄膜晶体管、显示面板及其制备方法。
技术介绍
[0002]现有的薄膜晶体管需要采用多道光罩制备，由于光罩制程价格高昂且工艺负责，因此，简化薄膜晶体管的结构以减少薄膜晶体管制备所需的光罩数量，可有效降低生产成本，提升量产的良率。
技术实现思路
[0003]本申请实施例提供一种薄膜晶体管、显示面板及其制备方法，能有效简化薄膜晶体管的结构和制备工艺，降低生产成本。
[0004]本申请实施例提供一种薄膜晶体管，包括：有源层，所述有源层包括金属氧化物，所述有源层包括相邻设置的第一接触部分、半导体部分和第二接触部分，所述第一接触部分和所述第二接触部分的导电能力大于所述半导体部分；栅极绝缘层，设置在所述有源层上，所述栅极绝缘层上开设有贯穿所述栅极绝缘层的第一过孔和第二过孔，所述第一过孔延伸至所述第一接触部分的表面，所述第二过孔延伸至所述第二接触部分的表面；电极层，位于所述栅极绝缘层上，所述电极层包括位于同一层的第一电极、栅极和第二电极...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：有源层，所述有源层包括金属氧化物，所述有源层包括相邻设置的第一接触部分、半导体部分和第二接触部分，所述第一接触部分和所述第二接触部分的导电能力大于所述半导体部分；栅极绝缘层，设置在所述有源层上，所述栅极绝缘层上开设有贯穿所述栅极绝缘层的第一过孔和第二过孔，所述第一过孔延伸至所述第一接触部分的表面，所述第二过孔延伸至所述第二接触部分的表面；电极层，位于所述栅极绝缘层上，所述电极层包括位于同一层的第一电极、栅极和第二电极，所述第一电极通过所述第一过孔与所述第一接触部分连接，所述第二电极通过所述第二过孔与所述第二接触部分连接。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层包括第一部分和第二部分，所述第一部分的侧壁和所述第二部分的侧壁之间形成有所述第一过孔，所述第一电极位于所述第一部分上，所述栅极位于所述第二部分上，所述第一电极沿所述第一部分的侧壁延伸至所述第一接触部分，所述第一电极与所述第二部分的侧壁无重叠。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一电极与所述第二部分之间的最小间隔距离大于或等于1μm；和/或所述第一过孔的孔径大于或等于3μm。4.一种显示面板，其特征在于，包括设置在衬底上的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括：有源层，所述有源层包括金属氧化物；栅极绝缘层，设置在所述有源层上，所述栅极绝缘层上开设有贯穿所述栅极绝缘层的第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔延伸至所述有源层的表面；电极层，位于所述栅极绝缘层上，所述电极层包括位于同一层的第一电极、第一栅极和第二电极，所述第一电极通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述第二电极通过所述第二过孔与所述有源层连接。5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，还包括设置在所述衬底上的第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括：沟道层，位于所述衬底上，所述沟道层包括多晶硅；层间绝缘层，设置在所述沟道层上；第二栅极，位于一金属层，所述金属层设置在所述层间绝缘层上；第一绝缘层，设置在所述金属层上并覆盖所述第二栅极，所述第一绝缘层上开设有贯穿所述第一绝缘层和所述层间绝缘层的第三过孔和第四过孔，所述第三过孔和所述第四过孔延伸至所述沟道层的表面；所述电极层还包括与所述第一电极、第一栅极和第二电极位于同一层的第三电极和第四电极，所述第三电极通过所述第三过孔与所述沟道层连接，所述第四电极通过所述第四过孔与所述沟道层连接。6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述有源层设置在所述第一绝缘层上；和/或
所述金属层还包括遮光电极，所述遮光电极与所述有源层相对设置。7.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述栅极绝缘层包括第一部分和第二部分，所述第一部分的侧壁和所述第二部分的侧壁之间形成有所述第一过孔，所述第一电极位于所述第一部分上，所述栅极位于所述第二部分上，所述第一电极沿所述第一部分的侧壁延伸至所述有源层，所述第一电极与所述第二部分的侧壁无重叠。8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极与所述第二部分之间的最小间隔距离大于或等于2μm；和/或所述第一过孔的孔径大于或等于5μm。9.根据权利要求4所述的显示面...
【专利技术属性】
技术研发人员：薛炎，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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