薄膜晶体管阵列衬底和显示器件制造技术

本公开内容的实施方式涉及薄膜晶体管阵列衬底和显示器件，其中半导体层具有异质导电结构，该异质导电结构包括具有不同电导率的异质导电部分，并且栅极绝缘体层不被蚀刻成足以在源电极部分与栅电极部分之间以及在漏电极部分与栅电极部分之间暴露半导体层，从而可以使对半导体层损坏的可能性消除或最小化。使对半导体层损坏的可能性消除或最小化。使对半导体层损坏的可能性消除或最小化。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管阵列衬底和显示器件
[0001]对相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年6月22日提交的韩国专利申请第10
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2020
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0076064号的优先权，出于所有目的，在此通过引用将该韩国专利申请并入本文，就如同在本文完全阐述一样。


[0003]本公开内容涉及薄膜晶体管阵列衬底和显示器件。

技术介绍

[0004]晶体管广泛用作电子器件领域中的开关器件或驱动器件。特别地，由于薄膜晶体管可以在玻璃衬底或塑料衬底上制造，因此薄膜晶体管可以广泛地用作诸如液晶显示器件或有机发光显示器件的显示器件的开关元件。
[0005]薄膜晶体管可以基于构成有源层的材料分为使用非晶硅作为有源层的非晶硅薄膜晶体管、使用多晶硅作为有源层的多晶硅薄膜晶体管以及使用氧化物半导体作为有源层的氧化物半导体薄膜晶体管。
[0006]由于非晶硅可以在短时间内沉积形成有源层，因此非晶硅薄膜晶体管(a
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Si TFT)具有制造工艺时间短和生产成本低的优点。另一方面，由于电流驱动能力因低迁本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列衬底，包括：半导体层，所述半导体层包括沟道部分、位于所述沟道部分的一侧的第一导电部分和位于所述沟道部分的另一侧的第二导电部分，所述第一导电部分包括第一主导电部分和第一子导电部分，并且所述第二导电部分包括第二主导电部分和第二子导电部分；栅极绝缘体层，所述栅极绝缘体层设置在所述半导体层上并且具有使所述第一主导电部分的一部分暴露的第一接触孔和使所述第二主导电部分的一部分暴露的第二接触孔；主源电极，所述主源电极设置在所述栅极绝缘体层上并且通过所述第一接触孔电连接至所述第一主导电部分；主漏电极，所述主漏电极设置在所述栅极绝缘体层上并且通过所述第二接触孔电连接至所述第二主导电部分；主栅电极，所述主栅电极设置在所述栅极绝缘体层上并且与所述沟道部分交叠；以及功能绝缘层，所述功能绝缘层设置在所述主源电极、所述主栅电极和所述主漏电极上，其中，所述第一子导电部分位于所述第一主导电部分与所述沟道部分之间，所述第一子导电部分不与所述主源电极和所述主栅电极交叠，并且所述第一子导电部分具有与所述第一主导电部分的电导率不同的电导率，其中，所述第二子导电部分位于所述第二主导电部分与所述沟道部分之间，所述第二子导电部分不与所述主漏电极和所述主栅电极交叠，并且所述第二子导电部分具有与所述第二主导电部分的电导率不同的电导率，并且其中，所述第一子导电部分和所述功能绝缘层通过所述栅极绝缘体层分隔，并且所述第二子导电部分和所述功能绝缘层通过所述栅极绝缘体层分隔。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，在所述第一主导电部分、所述第一子导电部分和所述沟道部分之中，所述第一主导电部分具有最大的电导率，并且所述沟道部分具有最小的电导率，并且其中，在所述第二主导电部分、所述第二子导电部分和所述沟道部分之中，所述第二主导电部分具有最大的电导率，并且所述沟道部分具有最小的电导率。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述第一子导电部分与所述功能绝缘层之间的竖直分隔距离小于或等于所述第一主导电部分与所述功能绝缘层之间的竖直分隔距离，并且所述第二子导电部分与所述功能绝缘层之间的竖直分隔距离小于或等于所述第二主导电部分与所述功能绝缘层之间的竖直分隔距离。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述主栅电极与所述主源电极间隔开第一水平分隔距离，使得所述栅极绝缘体层的第一上表面在所述主栅电极与所述主源电极之间暴露，并且所述主栅电极与所述主漏电极间隔开第二水平分隔距离，使得所述栅极绝缘体层的第二上表面在所述主栅电极与所述主漏电极之间暴露，并且其中，所述第一水平分隔距离对应于所述第一子导电部分的长度，并且所述第二水平分隔距离对应于所述第二子导电部分的长度。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述功能绝缘层与所述栅极绝缘体层的所述第一上表面接触，并且与所述栅极绝缘体层的所述第二上表面接触。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，还包括：钝化层，所述钝化层设置在所述主源电极、所述主栅电极和所述主漏电极上并且具有
使所述主源电极或所述主漏电极的一部分暴露的第三接触孔；以及像素电极，所述像素电极设置在所述钝化层上并且通过所述第三接触孔与所述主源电极或所述主漏电极电接触。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述功能绝缘层设置在所述钝化层下方。8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述功能绝缘层设置在所述钝化层上。9.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述钝化层包括多个子钝化层，并且所述功能绝缘层设置在所述多个子钝化层之间。10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述功能绝缘层是包含氢的氢供应层，并且将氢扩散到所述第一子导电部分和所述第二子导电部分中。11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述功能绝缘层的氢浓度高于所述第一子导电部分和所述第二子导电部分的氢浓度。12.根据权利要求10所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述功能绝缘层包括硅氮化物(SiNx)、硅氧氮化物(SiON)或硅氧化物(SiOx)中的至少一种。13.根据权利要求10所述的薄膜晶体管阵列衬底，还包括在所述功能绝缘层与所述沟道部分之间的氢扩散阻挡层，所述氢扩散阻挡层阻挡氢从所述功能绝缘层向所述沟道部分的扩散，并且所述氢扩散阻挡层包括所述主栅电极。14.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁灿墉，白朱爀，李道炯，高永贤，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：