阵列基板和显示模组制造技术

本申请提供了一种阵列基板和显示模组，涉及显示技术领域，阵列基板包括衬底基板，多个阵列排布的薄膜晶体管单元，每一薄膜晶体管单元包括设置于衬底基板第一侧的栅极、有源层、源极和漏极；多个第一结构件，设置于衬底基板第一侧；第一结构件在衬底基板的正投影与源极在衬底基板的正投影不交叠，第一结构件在衬底基板的正投影与漏极在衬底基板的正投影不交叠。通过设置第一结构件对显示模组中背光发出的光照进行至少部分遮挡，避免薄膜晶体管单元出现在高亮度高温下元件特性漂移的问题；并且设置第一结构件在衬底基板的正投影与漏极在衬底基板的正投影不交叠，避免第一结构件与漏极之间产生交叠电容，从而避免对漏极在工作过程中负载的增加。程中负载的增加。程中负载的增加。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板和显示模组


[0001]本专利技术涉及显示
，更具体地，涉及一种阵列基板和显示模组。

技术介绍

[0002]在平面显示技术中，液晶显示器(LCD，Liquid Crystal Display)的主体结构是由阵列基板和彩膜基板对盒，并在其之间注入液晶而形成的，阵列基板远离彩膜基板的一侧还包括背光模组；阵列基板上形成有栅线、数据线、阵列排布的薄膜晶体管单元和像素电极等。当LCD中的薄膜晶体管单元选用IGZO(indium gallium zinc oxide)，且LCD在处于显示状态时，背光模组发出的光线照射到IGZO晶体管的有源层时，会导致IGZO出现在高亮度高温下的负偏压稳定性不佳的问题，薄膜晶体管单元因为长时间的持续偏压会产生元件特性漂移的现象，导致显示效果变差。因此，亟待提供一种新型的显示模组，能够解决薄膜晶体管单元在高亮度高温下所出现的元件特性漂移问题。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术提供了一种阵列基板和显示模组，用以解决薄膜晶体管单元在高亮度高温下所出现的元件特性漂移问题。
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板，多个阵列排布的薄膜晶体管单元，每一所述薄膜晶体管单元包括设置于所述衬底基板第一侧的栅极、有源层、源极和漏极；多个第一结构件，设置于所述衬底基板第一侧；所述第一结构件在所述衬底基板的正投影与所述源极在所述衬底基板的正投影不交叠，所述第一结构件在所述衬底基板的正投影与所述漏极在所述衬底基板的正投影不交叠。2.根据所述权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一结构件在所述衬底基板的正投影中靠近所述栅极的第一边缘，与所述栅极在所述衬底基板的正投影中靠近所述第一结构件的第二边缘之间包括第一间距。3.根据所述权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一结构件在所述衬底基板的正投影，以所述栅极在所述衬底基板的正投影沿第一方向延伸的至少一侧边缘为起点，且沿第二方向延伸；其中，所述第一方向为所述薄膜晶体管单元排布的行方向，所述第二方向为所述薄膜晶体管单元排布的列方向。4.根据所述权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，沿所述第二方向上，所述栅极包括相对设置的第一侧边缘和第二侧边缘，至少部分所述第一结构件在所述衬底基板上的正投影以所述栅极的所述第一侧边缘为起点。5.根据所述权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，沿所述第二方向上，所述栅极包括相对设置的第一侧边缘和第二侧边缘，至少部分所述第一结构件在所述衬底基板上的正投影以所述栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：楼腾刚，
申请(专利权)人：上海中航光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：