半导体封装结构制造技术

本申请涉及半导体封装结构。根据本申请的部分实施例的该半导体封装结构包括：第一电子组件及芯片附接层，芯片附接层与第一电子组件堆叠。该芯片附接层包括：芯片附接部分及嵌段部分，芯片附接部分围绕嵌段部分，其中芯片附接部分具有第一热传导率，且嵌段部分具有大于第一热传导率的第二热传导率。该嵌段部分的第一表面与第一电子组件接触。本申请部分实施例提供的半导体封装结构通过采用具有嵌合部分的芯片附接层，能够有效提高电子组件与其接合的电子组件或衬底之间的热传导效率。因此，本申请部分实施例提供的半导体封装结构具有良好的散热性能。好的散热性能。好的散热性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构


[0001]本申请涉及半导体领域，更具体地，涉及一种半导体封装结构。

技术介绍

[0002]在半导体封装
中，随着对半导体的使用与性能的研究改进，半导体组件的尺寸走向越来越薄及越来越小。对于电子部件而言，如存储设备、计算设备等，需要在单位体积中提高其电子组件密度，以实现对高计算性能及高容量性能的追求。由于对更高密度半导体封装的需求增加，半导体封装结构中往往需要堆叠更多芯片，这导致半导体封装结构出现热管理问题。
[0003]现行的打线接合封装中，如图1所示，半导体封装结构10中芯片103、105、107之间彼此的堆叠、芯片103与衬底100的接合或芯片102与散热器104的附接都需要通过芯片附接层101，例如，芯片贴膜(die attach film，DAF)、覆导线膜(film
‑
over
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wire，FOW)或芯片附接结构(die attach，DA)，以进行相互接合或固定。然而，芯片附接层的材料在一般封装材料中往往具有最低的热传导率(约0.2W/mK)。随着堆叠芯片数量的增加本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：第一电子组件；及管芯附接层，所述管芯附接层与所述第一电子组件堆叠，其中所述管芯附接层包括：管芯附接部分，所述管芯附接部分具有第一热传导率；及嵌段部分，所述管芯附接部分围绕所述嵌段部分，所述嵌段部分具有大于所述第一热传导率的第二热传导率，其中，所述嵌段部分的第一表面与所述第一电子组件接触。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，其中所述嵌段部分进一步包括相对于所述第一表面的第二表面，所述第二表面与第二电子组件、散热器或用于支撑所述第一电子组件的衬底相接触。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，其进一步包括在所述管芯附接层中的多个所述嵌段部分，以平面的角度来看，所述多个所述嵌段部分与所述管芯附接层的总面积比为20％至80％。4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，其中所述多个所述嵌段部分包括高面密度区域和低面密度区域。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：新型
国别省市：