【技术实现步骤摘要】
用于耦合多个半导体装置的设备及方法
[0001]本公开涉及存储器装置，且特定来说涉及用于耦合多个半导体装置的设备及方法。
技术介绍
[0002]近年来，已引入三维(3D)存储器装置。一些3D存储器装置是通过垂直地堆叠裸片且使用穿硅(或穿衬底)通路(TSV)及/或引线接合耦合裸片而形成。因此，3D存储器也可被称为“堆叠式存储器”。3D存储器可提供比非3D存储器更大的存储器容量及/或更高的带宽而面积增加更少。实例3D存储器装置包含混合存储器立方体(HMC)、高带宽存储器(HBM)及主从式存储器(MSM)，其中的每一者可包含在堆叠中彼此耦合的多个动态随机存取存储器(DRAM)裸片。
[0003]存储器装置可经耦合到将命令、地址及数据信号提供到堆叠式裸片以存取存储器的外部电路。堆叠式裸片通常在最低高度裸片处耦合到外部电路，其中级联接合向上连接到所述堆叠中的其余裸片。
[0004]然而，随着存储器速度的增加，到达所述堆叠中的最低高度裸片与最高高度裸片的信号之间的延迟变得不可忽略。通常通过基于最坏情况(即，所述堆叠中的最...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：多个存储器装置，其包含第一、第二及第三存储器装置，所述第一存储器装置包含第一接合垫，所述第二存储器装置包含第二接合垫，所述第三存储器装置包含第三接合垫，所述第二存储器装置经安置在所述第一与第三存储器装置之间；第一导体，其经耦合到所述第一及第二接合垫；第二导体，其经耦合到所述第二及第三接合垫；及第三导体，其经耦合到所述第二接合垫且经配置以将信号提供到所述第二接合垫，其中所述第一导体以第一信号时序将所述信号从所述第二接合垫提供到所述第一接合垫且所述第二导体以等于所述第一信号时序的第二信号时序将所述信号从所述第二接合垫提供到所述第三接合垫。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二存储器装置包括所述多个存储器装置中的中心存储器装置。3.根据权利要求2所述的设备，其中所述多个存储器装置进一步包含内含第四接合垫的第四存储器装置，所述设备进一步包括耦合到所述第三及第四接合垫的第四导体。4.根据权利要求3所述的设备，其中所述多个存储器装置进一步包含内含第五接合垫的第五存储器装置，所述设备进一步包括耦合到所述第一及第五接合垫的第五导体，其中通过所述第三及第四导体提供到所述第四接合垫的所述信号具有第三信号时序且通过所述第一及第五导体提供到所述第五接合垫的所述信号具有等于所述第三信号时序的第四信号时序。5.根据权利要求4所述的设备，其中所述第一、第三、第四及第五导体具有相同传播延迟。6.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个存储器装置包括存储器装置堆叠。7.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个存储器装置包括偶数个存储器装置。8.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个存储器装置包括奇数个存储器装置。9.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一及第二导体包括接合线。10.根据权利要求1所述的设备，其中通过所述第一导体的所述信号的传播延迟及通过所述第二导体的所述信号的传播延迟是相等的。11.一种多裸片装置，其包括：衬底，其包含导电信号线；半导体装置堆叠，其经附接到所述衬底；及导体，其经耦合到所述衬底的导电信号线且到所述半导体装置堆叠的中间半导体装置的接合垫。12.根据权利要求11所述的多裸片装置，其中所述半导体装置堆叠的所述中间半导体装置包括中心半导体装置。13.根据权利要求11所述的多裸片装置，其中所述半导体装置堆叠包括呈叠瓦式堆叠配置的半导体装置。14.根据权利要求11所述的多裸片装置，其进一步包括电路，所述电路经附接到所述衬底且通过所述衬底的所述导电信号线及所述导体耦合到所述半导体装置堆叠的所述中间半导体装置。
15.根据权利要求14所述的多裸片装置，其中所述电路包括寄存器时钟驱动器。16.根据权利要求11所述的多裸片装置，其中所述堆叠的所述半导体装置中的每一者上的对应接合垫通过接合线耦合到所述半导体装置堆叠的所述中间半导体装置的所述接合垫。17.根据权利要求16所述的多裸片装置，其中在接合线上提供的信号从所述半导体装置堆叠的所述中间半导体装置到所述堆叠中的最低半导体装置的传播延迟与在接合线上提供的所述信号从所述半导体装置堆叠的所述中间...
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