本发明专利技术的目的在于提供光半导体装置用引线框及使用其的光半导体装置，以及它们的制造方法，所述光半导体装置用引线框即使在使用硅氧烷树脂作为密封树脂时，也防止设置于引线框上的镀敷层的变色、变性，防止发光元件发光的反射率降低，由此可长期发挥良好的发光亮度。为此，为了避免在含有混入氯铂酸的硅氧烷树脂的密封树脂１４内部，引线框１０的纯Ａｇ镀敷层２１与硅氧烷树脂直接接触，本发明专利技术的构成是，在上述纯Ａｇ镀敷层２１表面形成Ａｇ－Ａｕ合金镀敷层２２。由此，抑制了来源于硅氧烷树脂的固化催化剂的ＡｇＣｌ的产生，防止了Ａｇ镀敷层变成黑褐色。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光半导体装置用引线框，特別是涉及防止光半导体装置发短波长区域(400~500nm左右)的紫色~蓝色光时外观劣化的 技术.
技术介绍
以往，利用LED元件等作为光源的光半导体装置被广泛用作各 种显示用、照明用光源，该光半导体装置例如是在基板上配置引线框，在该引线框上安装 发光元件后，为了防止由热、湿气、氣化等导致的光源劣化或其周边 部位的劣化，用密封树脂将上述光源及其周闺密封而成的.作为密封树脂的材料，要求透明性优异，且可保持光源的高亮度 的特性。可列举环氧树脂，但是在近年的照明用途等中，将光的三原 色组合发白光且以高输出功率使用的需求很高，要求在短波长区域的 发光和光透过性的耐劣化性.因此，现在使用比环氣树脂的耐热性、 光透过性的保持特性更优异的硅氣烷树脂(非专利文献l).另一方面，为了得到优异的光源特性，在提高光源的发光效率的 同时，有效利用由光源发出的光也很重要.因此在光半导体装置中， 有对配置于光源周围的引线框实施反射率优异的镀敷层的技术(专利 文献l).作为镀敷材科，广泛应用反射率高的金属Ag.这样，现在，正在通过对光半导体装置实施各种措施，使在发白 光、高输出功率用途中也呈现优异性能.专利文献l:特开平9-266280号公报非专利文献l:松下电工技报Vol.53 No.l但是，关于光半导体装置，存在以下问题.即，本申请专利技术人在实际驱动光半导体装置进行可靠性试验时， 发现用硅氧烷树脂密封的引线框上的Ag镀敷层表面的一部分变为黑 褐色的问题.已知其原因为在使用含有以金属硫化物、氯铂酸为代 表的金属氯化物等树脂固化催化剂的硅氧烷树脂时，该催化剂成分与Ag反应，生成AgCl (氯化银)或Ag^ (碟化银)而致.搭栽发光元件的焊点(pad)部附近的Ag镀敷层表面如果变成黑 褐色等，则有损反射率高的Ag的特性，反射率会显著降低.由此， 有可能得不到作为光半导体装置的充分的发光亮度.如上所述，在光半导体用引线框和使用其的光半导体装置中，还 存在要解决的问趙.
技术实现思路
本专利技术是鉴于上迷问题进行的，目的在于提供光半导体装置用引 线框及使用其的光半导体装置，以及它们的制造方法，其中即使在使 用硅氧烷树脂作为密封树脂时，也可防止设置于引线框上的镀敷层的 变色、变性，可防止发光元件的发光反射率降低，由此可长期发挥良 好的发光亮度。为了解决上述课趙，本专利技术的光半导体装置用引线框具有金属芯 体和在该金属芯体的至少一部分表面上形成的含有多个镀敷层的镀敷 叠层体，其中上述镀敷叠层体包括纯Ag镀敷层和对金属氯化物或金 属碟化物的至少任意一方具有化学耐性的耐性镀敷层作为最上层.要说明的是，这里所述的化学耐性是指对密封树脂中所含的 金属氯化物或金属碟化物的耐性比纯Ag镀敷优异.在此，上述耐性镀敷层中优选使用以Au为代表的比Ag的标准 电极电位高的金属.因此，Ag-Aii合金镀敷层特别合适.另外，在上述纯Ag镀敷层和上迷耐性镀敷层之间，可以形成含 有钯(Pd)、铑(Rh)、铂(Pt)、金(Au)中的至少任意一种的中间 镀敷层.进一步，上述Ag-Au合金镀敷层的构成可以为包含Au为主 成分，且含有25.0重量％以上、不到50.0重重％的Ag.另外，上述Ag-Au合金镀敷层的层厚可以设定为0.lMm~0.6 另一方面，上述纯Ag镀敷层的层厚度可以设定为1.6Mm~4.0 Jim.进一步，上述中间镀敷层的层厚度可以设定为O.OO5 p m ~ 0.05 M m.另外，上述纯Ag镀敷层的光泽度可以设定为1.6以上. 进一步，本专利技术为在引线框的焊点部配设发光元件，并为密封该 发光元件和焊点部配设密封树脂而成的光半导体装置，其构成是，上 述引线框中密封于上述密封树脂的馈电引线区域的反射率对于上述发光元件的400nm以上、不到500nm的发光波长为50%以上，且对于 500nm - 700nm的发光波长为85%以上.在此，上迷引线框可以具有金属芯体和在该金属芯体的至少一部 分表面上形成的含有多个镀敷层的镀敷叠层体.并且可以为如下构 成上述镀敷叠层体含有纯Ag镀敷层和对金属氟化物或金属硫化物 的至少任意一方具有化学耐性的耐性镀敷层作为最上层，至少上述镀 敷叠层体与上述馈电引线区域对应而设置.上述密封树脂可以使用含有金属氯化物或金属硫化物的光透过性 树脂，上述光透过性树脂可以使用硅氧烷树脂，上述金属氯化物可以使 用氯铂酸.本专利技术是引线框的制造方法，其经过形成镀敷叠层体的镀敷工 序，所述镀敷叠层体在金属芯体的至少一部分表面叠层多个镀敷层而 成，上述镀敷工序中经过下述工序作为镀敷叠层体构成层，形成纯 Ag镀敷层的第一镀敷步骤；和作为上迷镀敷叠层体的最上层，形成 Ag — An合金镀敷层的第二镀敷步骤.在此，在上述第二镀教步骤中，可以使用含有硒化合物、有机疏 化合物的至少任意一种成分的镀敷液.进一步，在第一镀敷步骤和第二镀敷步緣之间，也可以经过中间 镀敷层形成步骤，该中间镀敷形成步骤形成作为上述镀敷叠层体的构 成层的含有Pd、 Rh、 Pt、 Au中的至少任一种的中间镀敷层'另外，本专利技术是在引线框的焊点部栽置发光元件，同时对该发光 元件和焊点部附着密封树脂而将其密封的光半导体装置的制造方法， 作为上述引线框，使用具有金属芯体和在该金属芯体的至少一部分表 面形成的包括多个镀敷层的镀敷叠层体的引线框.在此，上迷镀敷叠 层体使用包括纯Ag镀教层和作为最上层的对金属氣化物或金属硫化 物的至少任意一方具有化学耐性的耐性镀敷层的镀敷叠层体，将上述 引线框中形成镀敷叠层体的区域用含有硅氣烷树脂的密封树脂密封.根据具有以上结构的本专利技术的引线框和光半导体装置，在引线框 表面作为镀敷叠层体形成的纯Ag镀敷层常时处于被Ag-An合金镀 敷层等耐性镀敷层被覆的状态.因此，本专利技术的光半导体装置在对形成上述镀敷叠层体的引线框区域附着硅氧烷树脂等密封树脂时，避免纯Ag镀教层的Ag成分单独与硅氧烷树脂等密封树脂接触。因此， 通过进行这样的努力，遊免了纯Ag镀敷层中的Ag成分直接与硅氧 烷树脂中的固化催化剂(氯铂酸)接触.另一方面，耐性镀敷层虽然与硅氣烷树脂等的固化催化剂接触， 但由于该耐性镀敷层对硅氧烷树脂中的固化催化剂具有耐性，因此没 有变色的可能性.由此结果，在本专利技术的引线框和光半导体装置中，作为引线框表 面变色原因的AgCl或Ag2S的产生与以往相比，可以被显著抑制、减 少.因此，即使在使用硅氧烷树脂作为密封树脂时，也可长期维持对 密封树脂中的引线框实施的镀敷层的良好的反射作用，可期待发挥优异的发光亮度a另外，当使用Ag-Aii合金镀敷层作为耐性镀敷层时，含有比Ag 的化学稳定性好的Au成分.因此，合金中的Ag成分受到Aii成分的 化学稳定作用，与Ag单独存在时相比，与密封树脂所含的金属氯化 物、金属硫化物等树脂固化催化剂的反应性得到抑制.附图说明本专利技术的这些和其它目的、优点和特点将在以下参照附图的说明 中得以明确，所述附困困解了本专利技术的具体实施方式.其中， 图l为实施方式l的光半导体装置的截面示意困. 图2为实施方式1的引线框的部分放大截面困. 图3为实施方式2的引线框的部分放大截面图. 图4为实施方式3的引线框的部分放大截面困， 图5为实施方式4的本文档来自技高网...
【技术保护点】
光半导体装置用引线框，其具有金属芯体和在该金属芯体的至少一部分表面上形成的含有多个镀敷层的镀敷叠层体， 其中上述镀敷叠层体包括纯Ａｇ镀敷层和对金属氯化物或金属硫化物的至少任意一方具有化学耐性的耐性镀敷层作为最上层。
【技术特征摘要】
JP 2006-10-5 2006-2738101.光半导体装置用引线框，其具有金属芯体和在该金属芯体的至少一部分表面上形成的含有多个镀敷层的镀敷叠层体，其中上述镀敷叠层体包括纯Ag镀敷层和对金属氯化物或金属硫化物的至少任意一方具有化学耐性的耐性镀敷层作为最上层。2. 权利要求1所述的光半导体装置用引线框，其中，上述耐性 镀敷层为Ag - Au合金镀敷层.3. 权利要求1所述的光半导体装置用引线框，其中，在上述纯 Ag镀敷层和上迷耐性镀敷层之间形成含Pd、 Rh、 Pt、 Au中的至少 任意一种的中间镀敷层.4. 权利要求2所述的光半导体装置用引线框，其中，上述Ag-Au合金镀敷层含有Au作为主成分，且含有25.0重量％以上、不到50.0 重量％的Ag.5. 权利要求1所述的光半导体装置用引线框，其中，上述Ag-Au合金镀敷层的层厚为0.1 m m ~ 0.6 n m.6. 权利要求1所述的光半导体装置用引线框，其中，上述纯Ag 镀敷层的层厚为1.6 p m ~ 4.0 n m.7. 权利要求3所述的光半导体装置用引线框，其中，上述中间 镀敷层的层厚为0.005Mm~0.0Snm,8. 权利要求1所述的光半导体装置用引线框，其中，上述纯Ag 镀敷层的光泽度为1.6以上.9. 光半导体装置，其是在引线框的焊点部配设发光元件，按密 封该发光元件和焊点部的方式配设密封树脂而成的光半导体装置，其中上迷引线框中用上述密封树脂密封的馈电引线区域的反射率 对上述发光元件产生的400nm以上、不到500nm的发光波长为50% 以上，且对于500mn - 700nm的发光波长为85%以上.10. 权利要求9所述的光半导体装置，其中，上述引线框具有金属芯体和在该金属芯体的至少一部...
【专利技术属性】
技术研发人员：山田智行，二神友洋，河野惠志郎，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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