【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用激光光束切割电子元件的方法。本专利技术也涉及用于分离电子元件的设备,其至少包括用于产生切割光束的激光源以及用于 支撑未分离的电子元件组件的至少一个支撑器,其中,支撑器和激光源 相对于彼此可移动。这样的相对移动可以理解为,〗吏用定向装置,如可 移动反射镜和/或棱镜使激光源相对于支撑器移位,这种情况发生在例如 激光测头的设备中。
技术介绍
在半导体产品生产中,通常大量的半导体产品结合在半导体产品的 一个组合组件(也指例如导向架或支撑板的组件)中。在完成绝大部分 产品步骤后,组合的半导体产品通过切割或锯切操作被彼此分离。也为 此目的而使用激光切割技术。现存激光切割技术的重大缺点是元件分离 时发生材料沉积在元件上的现象。其解释为由材料蒸发(例如金属、来 源于胶、环氧树脂等的完全或没有完全燃烧的碳氢化合物)引起随后的 材料沉积。沉积物包括例如来自生产塑料封装物中的聚合体和填充材料, 如无机氧化物、更特别多的是硅氧化物。在使用激光分离技术加工半导 体产品中,材料沉积现象是不令人满意的或不被人接受的。
技术实现思路
为解决上述问题,本专利技术的目的是,在分离载运器上的电子元件的 过程中,使用激光减少沉积损害,而不需要为此目的附加处理步骤。为此目的,本专利技术提出一种前述类型的方法,其中激光束产生脉冲, 至少一些单个激光脉沖的脉冲延迟时间长于500ns (纳秒)。至少一些单个激光脉冲的脉冲延迟时间优选长于600ns (纳秒)和/或短于900ns。 至少现在,用至少一些单个激光脉冲的脉冲延迟时间少于800ns,更特别在700至0ns内的激光脉冲,已实现最优结果 ...
【技术保护点】
用激光束切割电子元件的方法,其中,激光束发出脉冲,至少一些单个激光脉冲的脉冲延迟时间长于500ns。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】NL 2005-6-2 10291721、用激光束切割电子元件的方法,其中,激光束发出脉冲,至少一些单个激光脉冲的脉冲延迟时间长于500ns。2、 如权利要求l所述的方法,其特征在于,至少一些单个激光脉冲 的脉冲延迟时间长于600ns。3、 如权利要求1或2所述的方法,其特征在于至少一些单个激光脉 冲的脉冲延迟时间短于900ns。4、 如上述任意一项权利要求所述的方法,其特征在于,至少一些单 个激光脉冲的脉冲延迟时间在700ns至7^ns范围内。5、 如上述任意一项权利要求所述的方法,其特征在于,形成激光束 的所有激光脉冲的脉冲延迟时间是相同的。6、 分离电子元件的设备,至少包括 一 一用于产生切割光束的激光源...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。