图像传感器的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种制造图像传感器的方法。在包含金属线的半导体衬底上形成层间绝缘层；在所述层间绝缘层上形成焊盘；在包含所述层间绝缘层和所述焊盘的半导体衬底上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成钝化层；在所述钝化层上形成滤色片层；在所述滤色片层上形成平面化层；在所述平面化层上形成微透镜；在所述微透镜上形成光致抗蚀剂层图案，暴露在焊盘上方的部分所述钝化层；使用所述光致抗蚀剂层图案作为蚀刻掩模暴露焊盘；以及除去所述光致抗蚀剂层图案。本发明专利技术能够抑制微透镜不符合要求地分离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及传感器，特别涉及。
技术介绍
通常图像传感器是将光学图像转换为电子信号的半导体器件。图像传感器可以被分类为电荷耦合器件(CCD)图像传感器和互补金属氧化物半导体 (CMOS)图像传感器。CMOS图像传感器通常包括用于检测发射光的光电二极管和用于将所 检测到的光做为电信号处理的CMOS逻辑电路。图像传感器的感光性通常随 着光电二极管所接收到的光量的增加而提高。图像传感器的填充系数是光电二极管的面积与图像传感器的总面积之 比。为了增加图像传感器的感光性，可以增加填充系数或者使用聚焦技术。 聚焦技术包括改变入射到光电二极管之外区域的光的光学路径，使得入射光 被聚焦到光电二极管上。聚焦技术的实例包括形成微透镜。具体地说，是用具有优良透光率的材 料在光学二极管上形成凸透镜。微透镜用于折射入射光的路径，使得更大量 的光能够射到光学二极管区域。平行于微透镜的光轴的光被微透镜折射，使得它聚焦到光轴的预定位置。在相关技术中，当制造CMOS图像传感器时，首先暴露金属焊盘，然后 形成滤色片层。然而，由于在形成滤色片层的后续工艺中将焊盘暴露在光致抗蚀剂层的 显影溶液中，金属焊盘被腐蚀。而且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造图像传感器的方法，包括以下步骤：在包含金属线的半导体衬底上形成层间绝缘层；在所述层间绝缘层上形成焊盘；在包含所述层间绝缘层和所述焊盘的所述半导体衬底上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成钝化层；在所 述钝化层上形成滤色片层；在所述滤色片层上形成平面化层；在所述平面化层上形成微透镜；在所述微透镜上形成光致抗蚀剂层图案，暴露出所述钝化层位于所述焊盘上方的部分；使用所述光致抗蚀剂层图案作为蚀刻掩模，暴露出所述焊 盘；以及除去所述光致抗蚀剂层图案。

【技术特征摘要】
KR 2006-12-23 10-2006-01332501.一种制造图像传感器的方法，包括以下步骤在包含金属线的半导体衬底上形成层间绝缘层；在所述层间绝缘层上形成焊盘；在包含所述层间绝缘层和所述焊盘的所述半导体衬底上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成钝化层；在所述钝化层上形成滤色片层；在所述滤色片层上形成平面化层；在所述平面化层上形成微透镜；在所述微透镜上形成光致抗蚀剂层图案，暴露出所述钝化层位于所述焊盘上方的部分；使用所述光致抗蚀剂层图案作为蚀刻掩模，暴露出所述焊盘；以及除去所述光致抗蚀剂层图案。2. 根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤在所述微透镜上形成 所述光致抗蚀剂层图案的步骤之前，在所述微透镜上形成柔性光致抗蚀剂 层。3. 根据权利要求2所述的方法，其中在除去所述光致抗蚀剂层图案时， 除去所述柔性光致抗蚀剂层。4. 根据权利要求2所述的方法，其中所述柔性光致抗蚀剂层包括柔性抗 蚀剂。5. 根据权利要求2所述的方法，其中所述柔性光致抗蚀剂层包括SLIM。6. 根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘层包括正硅酸乙酯。7. 根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘层的厚度在大约50A到 大约200A之间。8. 根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑星熙，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]