【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。技术背景图像传感器是一种用于将图像转换为电信号的半导体器件。图像传感器可分为电荷耦合器件传感器(也称为CCD传感器)或互补金属氧化物半导 体图像传感器(也称为CMOS传感器)。CCD传感器可包括多个金属氧化 物半导体电容器(也称为MOS电容器)，该MOS电容器通过移动由光产生 的载流子而进行操作。CMOS图像传感器可包括多个单元像素及控制单元像 素的输出信号的CMOS逻辑电路。图像传感器可具有衬底；多个包括红色光电二极管、绿色光电二极管 及蓝色光电二极管的光电二极管；多个用于将每个光电二极管产生的电信号 传送至半导体衬底的表面的塞；以及用于传送该电信号的晶体管。在该图像 传感器中，单元像素之间的隔离是重要的。通过进行图案化工艺在像素之间 注入用于电隔离的杂质，从而可在半导体衬底中形成隔离区。
技术实现思路
本专利技术的实施例涉及，该方法包括使用一个掩模 在光电二极管之间形成隔离区及形成对准键。本专利技术的实施例涉及，该方法通过使用一个掩 模，并随后使用该同一个掩模形成对准键，而可以减少用于形成光电二极管 之间的隔离区的工艺总数。本专利技术的实...
【技术保护点】
一种图像传感器的制造方法，包括：在半导体衬底上方形成第一掩模图案，该第一掩模图案具有第一开口及第二开口；使用该第一掩模图案作为掩模，在该第一开口处的该半导体衬底中形成第一隔离区；使用该第一掩模图案作为掩模，在该第二开口处的该半导体衬底中形成第一对准键；去除该第一掩模图案；在包括该隔离区的该半导体衬底上方形成第二掩模图案；之后使用该第二掩模图案作为掩模形成第一光电二极管，并去除该第二掩模图案。
【技术特征摘要】
KR 2006-12-27 10-2006-01344501.一种图像传感器的制造方法，包括在半导体衬底上方形成第一掩模图案，该第一掩模图案具有第一开口及第二开口；使用该第一掩模图案作为掩模，在该第一开口处的该半导体衬底中形成第一隔离区；使用该第一掩模图案作为掩模，在该第二开口处的该半导体衬底中形成第一对准键；去除该第一掩模图案；在包括该隔离区的该半导体衬底上方形成第二掩模图案；之后使用该第二掩模图案作为掩模形成第一光电二极管，并去除该第二掩模图案。2.如权利要求1所述的制造方法，其中该第一光电二极管包括红色光 电二极管及绿色光电二极管中的任意一个。3. 如权利要求1所述的制造方法，还包括，在形成该第一光电二极管 之后形成第二光电二极管。4. 如权利要求3所述的制造方法，其中形成该第二光电二极管的步骤 包括在该半导体衬底的上方形成第一外延层；在该第一外延层的上方形成第三掩模图案，该第三掩模图案具有第三开口及第四开口；使用该第三掩模图案作为掩模，在该第三开口处的该第一外延层中形成 第二隔离区；使用该第三掩模图案作为掩模，在该第四开口处的该第一外延层中形成 第二对准键；去除该第三掩模图案；在包括该第二隔离区的该第一外延层的上方形成第四掩模图案；之后 使用该第四掩模图案作为掩模形成该第二光电二极管，并去除该第二掩 模图案。5. 如权利要求4所述的制造方法，其中该第二光电二极管包括红色光 电二极管及绿色光电二极管中的任意一个。6. 如权利要求5所述的制造方法，还包括，在形成该第二光电二极管 之后，形成第三光电二极管。7. 如权利要求6所述的制造方法，其中形成该第三光电二极管的步骤包括在该第一外延层的上方形成第二外延层；在该第二外延层的上方形成第五掩模图案，该第五掩模图案具有第五开 口及第六开口；使用该第五掩模图案作为掩模，在该第五开口处的该第二外延层中形成 第三隔离区；使用该第五掩模图案作为掩模，在该第六开口处的该第二外延层中形成 第三对准键；去除该第五掩模图案；在包括该第三隔离区的该第二外延层的上方形成第六掩模图案；之后 使用该第六掩模图案作为掩模形成该第三光电二极管。8. 如权利要求7所述的制造方法，其中该第三光电二极管包括蓝...
【专利技术属性】
技术研发人员：李相起，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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