错误覆盖分析法制造技术

一种错误覆盖分析方法，适用于分析一产品的多个晶片测试项目，以决定该产品的一测试模块。此方法包括：依序对该产品的多个测试标的物进行所述晶片测试项目，其中，根据每一测试项目产生相对应的一测试涵盖范围。于一数据库中，根据所述晶片测试项目相对应储存所述测试涵盖范围。根据该数据库中的每一所述晶片测试项目的相对应所述测试涵盖范围，选择部份所述晶片测试项目组成一测试模块，其中该测试模块的一错误覆盖范围是组成该测试模块的部份所述晶片测试项目的相对应所述测试涵盖范围的一联集。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种测试方法，特别是涉及有关一种错误覆盖分析方法。
技术介绍
在集成电路或芯片的制造过程中，不管是在哪一个阶段的工艺，对集成 电路或芯片进行电性的测试都是必须的。每一个集成电路不管是在晶片的型 态或是构装的型态，都必须加以测试以确定其是否为合格品以及确定其电性 特性。随着集成电路的产量不断地提高，集成电路的功能亦日趋强大，并且 其结构也日趋复杂，因此高速且精确的测试需求就更加地迫切。图1示出了已知错误覆盖分析方法流程示意图。已知决定测试模块的方 法，是分别评估每一测试项目的适用性。如图1所示，当选定评估测试项目2的适用性时，则依序进4于测试项目1、测试项目3、测试项目4至测试项目 N之后，再进行待评估的测试项目100,亦即此例中的测试项目2的操作。 当进行此测试项目2的操作时，并无异常测试结果，则判定测试项目2的测 试涵盖范围已经被其它进行过的测试项目所涵盖。因而确定此测试项目2对 于此产品的测试并无利用价值。然而，当依产品的测试项目多且繁杂时，上述已知的分析方法必须重复 操作多次才能一一找出多余的测试项目。由于进行每一次测试操作都必须耗 费许多时间，如此的分析方法必将导致评估测试项目以统合产生一测试模块 所需的时间的拉长。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种错误覆盖分析方法，以降低决定测试模块所需 的时间。本专利技术的再一目的是提供一种错误覆盖分析方法，以提高测试品质。 本专利技术提出一种错误覆盖分析方法，适用于分析一产品的多个晶片测试 项目，以决定该产品的一测试模块。此方法包括依序对该产品的多个测试标的物进4亍所述晶片测试项目，其中，4艮据每一测试项目产生相对应的一测 试涵盖范围。于一数据库中，根据所述晶片测试项目相对应储存所述测试涵 盖范围。根据该数据库中的每一所述晶片测试项目的相对应所述测试涵盖范 围，选择部4分所述晶片测试项目组成一测试才莫块，其中该测试才莫块的 一错-误 覆盖范围是组成该测试模块的部份所述晶片测试项目的相对应所述测试涵 盖范围的一联集。依照本专利技术的较佳实施例所述的错误覆盖分析方法，其中每一所述测试 涵盖范围包括至少所述测试标的物的其中之一 。依照本专利技术的较佳实施例所述的错误覆盖分析方法，其中该错误覆盖范 围包括所有所述测试标的物。依照本专利技术的较佳实施例所述的错误覆盖分析方法，其中至少所述测试 涵盖范围其中之二彼此互相重迭。依照本专利技术的较佳实施例所述的错误覆盖分析方法，其中组成该测试模 块的部份所述晶片测试项目的数量，不大于原本所述测试项目的总数量。依照本专利技术的较佳实施例所述的错误覆盖分析方法，其中决定组成该测 试模块的部份所述测试项目的参考因子还包括一后段工艺的一错误回馈报 告。依照本专利技术的较佳实施例所述的错误覆盖分析方法，其中该错误回馈报 告至少相对应于所述晶片测试项目其中之一。本专利技术还提供一种错误覆盖分析方法，适用于一产品，其中该产品具有多个测试标的物。此方法包括提供多个测试项目。以每一所述测试项目分 别测试该产品，并相对应产生一测试涵盖范围，其中该测试涵盖范围至少包 括所述测试标的物其中之一。根据所述测试涵盖范围，建立一错误覆盖数据 库，其中对于每一所述测试项目，纪录该测试项目可有效测试的所述测试标 的物，而所述有效测试的测试标的物组成该测试涵盖范围。分析该错误覆盖 数据库以决定一测试模块，其中该测试模块包括部份所述测试项目，且该测试模块的一错误覆盖范围包括所有所述测试标的物。根据一后段工艺的一错 误回馈报告，调整该测试模块中的所述测试项目的组合。依照本专利技术的较佳实施例所述的错误覆盖分析方法，其中每一所述测试 涵盖范围包括至少所述测试标的物的其中之一。依照本专利技术的较佳实施例所述的错误覆盖分析方法，其中该错误覆盖范围为组成该测试才莫块的部^P分所述测试项目的所述测试涵盖范围的联集。依照本专利技术的较佳实施例所述的错误覆盖分析方法，其中至少所述测试 涵盖范围其中之二彼此互相重迭。依照本专利技术的较佳实施例所述的错误覆盖分析方法，其中组成该测试模 块的部份所述晶片测试项目的数量，不大于原本所述测试项目的总数量。依照本专利技术的较佳实施例所述的错误覆盖分析方法，其中该错误回馈报 告至少相对应于所述晶片测试项目其中之一 。本专利技术的错误覆盖分析方法，可以对单一产品建立一错误覆盖数据库， 并由此错误覆盖数据库中剔除不适用或是多余的测试项目而决定一测试模 块，而此测试模块还可以依照日后后段工艺的错误回馈报告加以修改或是加 入其它未选入的测试项目。因此本专利技术的错误覆盖分析方法无需一再重复进 行产品的测试以删选出不适用的测试项目，而可以节省测试模块产生所需的 时间，并且缩短产品的测试时间，甚至提高产能。为使本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较 佳实施例，并结合附图详细说明如下。附图说明图1示出了已知错误覆盖分析方法流程示意图。图2示出了根据本专利技术一较佳实施例的一种错误覆盖分析方法流程图。 图3示出了根据本专利技术一较佳实施例的一种错误覆盖分析方法示意图。附图符号说明100:待评估的测试项目 S201 S211:错误覆盖分析流程步骤 S301:提供测试项目 S303:进行测试 304:测试结果讯息 306:数据库具体实施例方式图2示出了根据本专利技术一较佳实施例的一种错误覆盖分析方法流程图。图3示出了根据本专利技术一较佳实施例的一种^误覆盖分析方法示意图。请参照图2,首先于步骤S201中，提供一产品，且此产品具有数个待测试标的 物，例如M个待测试标的物。之后，于步骤S203中，错误覆盖分析方法提 供数个测试项目，例如是N个晶片测试项目。接着，于步骤S205中，对于 产品依序进4于N个测试项目的测试。之后，于步骤S207中，对于每一测试 项目产生一相对应的测试结果讯息。也就是如图3所示，提供N个测试项目(步骤S301)，对于产品进行N 个测试项目的测试(步骤S303),而对于每一个测试项目，分别获得相对应的 一个测试结果讯息304,此测试结果讯息包含一测试涵盖范围。此测试涵盖 范围纪录相对应的测试项目可有效测试的测试标的物。也就是可被此测试项 目有效测试出结果的测试标的物组成此测试项目的测试涵盖范围。之后请同时参照图2与图3，于步骤S209中，建立一数据库(如图3中 的306)，用来储存每一测试项目与其相对应的测试涵盖范围。例如图3的数 据库306中，相对于每一测试项目，列出产品的每一测试标的物对于此测试 项目的反应，亦即此测试项目是否可以有效测试产品的测试标的物。如测试 项目1，对于测试标的物8而言，其测试结果标示为O,表示测试项目l可 以有效测试测试标的物8。相反的，对于测试标的物13而言，其测试结果标 示为X，表示测试项目1无法有效测试测试标的物13。因此，对于每一个测试项目，此数据库306将清楚呈现一个晶片测试的 有效测试涵盖范围。此有效测试涵盖范围包括至少一个测试标的物。也就是 倘若此测试项目并未包含任一测试标的物，则此测试项目对于此产品的测试 并无任何应用价值。此外，每个测试项目的测试涵盖范围彼此互相部分重迭。接着，于步骤S211中，分析数据库306中所储存的每一测试项目的相 对应测试涵盖范围，以决定产品的一测试模块。也就是，此测试模块是由数 个测试项目所组成，且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种错误覆盖分析方法，适用于分析一产品的多个晶片测试项目，以决定该产品的一测试模块，其包括：依序对该产品的多个测试标的物进行所述晶片测试项目，其中，根据每一测试项目产生相对应的一测试涵盖范围；于一数据库中，根据所述晶片测试项目相对应储存所述测试涵盖范围；以及根据该数据库中的每一所述晶片测试项目的相对应所述测试涵盖范围，选择部份所述晶片测试项目组成一测试模块，其中该测试模块的一错误覆盖范围是组成该测试模块的部份所述晶片测试项目的相对应所述测试涵盖范围的一联集。

【技术特征摘要】
1. 一种错误覆盖分析方法，适用于分析一产品的多个晶片测试项目，以决定该产品的一测试模块，其包括依序对该产品的多个测试标的物进行所述晶片测试项目，其中，根据每一测试项目产生相对应的一测试涵盖范围；于一数据库中，根据所述晶片测试项目相对应储存所述测试涵盖范围；以及根据该数据库中的每一所述晶片测试项目的相对应所述测试涵盖范围，选择部份所述晶片测试项目组成一测试模块，其中该测试模块的一错误覆盖范围是组成该测试模块的部份所述晶片测试项目的相对应所述测试涵盖范围的一联集。2. 如权利要求1所述的错误覆盖分析方法，其中每一所述测试涵盖范围 包括至少所述测试标的物的其中之一 。3. 如权利要求1所述的错误覆盖分析方法，其中该错误覆盖范围包括所 有所述测试标的物。4. 如权利要求1所述的错误覆盖分析方法，其中至少所述测试涵盖范围 其中之二彼此互相重迭。5. 如权利要求1所述的错误覆盖分析方法，其中组成该测试模块的部份 所述晶片测试项目的数量，不大于原本所述测试项目的总数量。6. 如权利要求1所述的错误覆盖分析方法，其中决定组成该测试模块的 部份所述测试项目的参考因子还包括一后段工艺的一错误回馈报告。7. 如权利要求6所述的错误覆盖分析方法，其中该错误回馈报告至少相 对应于所述晶片测试项目其中之一。8. —种错...

【专利技术属性】
技术研发人员：张延生，刘东昱，
申请(专利权)人：力晶半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]