一种晶体管T型纳米栅的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种晶体管Ｔ型纳米栅的制备方法，包括：Ａ．在清洗干净的外延片上匀一层易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶，然后前烘；Ｂ．在所述第一层电子束胶上匀第二层电子束胶ＺＥＰ５２０Ａ，然后前烘；Ｃ．在所述第二层电子束胶ＺＥＰ５２０Ａ上匀一层易于实现去胶和剥离的第三层电子束胶，然后前烘；Ｄ．在所述第三层电子束胶上匀第四层电子束胶ＺＥＰ５２０Ａ，然后前烘；Ｅ．进行栅帽版电子束曝光，依次显影第四层电子束胶ＺＥＰ５２０Ａ和第三层电子束胶；Ｆ．进行栅脚版电子束曝光，依次显影第二层电子束胶ＺＥＰ５２０Ａ和第一层电子束胶；Ｇ．腐蚀栅槽，蒸发栅金属并剥离，形成晶体管Ｔ型纳米栅。利用本发明专利技术，容易制作出极小尺寸的栅线条，可靠性强，不需要生长和刻蚀介质，大大减小了工艺难度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化合物半导体
，尤其涉及一种高电子迁移率晶体 管T型纳米栅的制备方法。
技术介绍
栅的制备是高电子迁移率晶体管(HEMT)器件制作工艺中最关键的 工艺。由于栅长大小直接决定了HEMT器件的频率、噪声等特性，栅长越 小，器件的电流截止频率(/7.)和功率增益截止频率(/max)越高，器件 的噪声系数也越小，人们通过不断减小高电子迁移率晶体管(HEMT)器件 的栅长来得到更好特性的器件。随着栅长缩短，栅电阻增大，当栅长减至0.5nm以下时，栅电阻的微 波损耗使增益衰减比较严重。因此要在栅金属的顶部构筑大的金属截面， 从而形成T形栅的制作方法。目前国内外应用广泛、己报道的制备HEMT器件T型栅的典型方法 有以下两种 一种方法采用PMMA/PMGI/PMMA三层电子束胶结构，通 过一次电子束曝光制备栅(石华芬，张海英，刘训春等.一种新的高成品率 InP基T型纳米栅制作方法.半导体学报，2003， 23 (4) :411-415);另一 种方法采用ZEP520A/PMGI/ZEP520A三层电子束胶结构，通过两次电子束曝光帝J备栅(Yoshimi Yamashita， A本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体管Ｔ型纳米栅的制备方法，其特征在于，该方法包括：Ａ、在清洗干净的外延片上匀一层易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶，然后前烘；Ｂ、在所述第一层电子束胶上匀第二层电子束胶ＺＥＰ５２０Ａ，然后前烘；Ｃ、在所述第二层电子束胶ＺＥＰ５２０Ａ上匀一层易于实现去胶和剥离的第三层电子束胶，然后前烘；Ｄ、在所述第三层电子束胶上匀第四层电子束胶ＺＥＰ５２０Ａ，然后前烘；Ｅ、进行栅帽版电子束曝光，依次显影第四层电子束胶ＺＥＰ５２０Ａ和易于实现去胶和剥离的第三层电子束胶；Ｆ、进行栅脚版电子束曝光，依次显影第二层电子束胶ＺＥＰ５２０Ａ和易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶；Ｇ、腐蚀栅槽，蒸发栅金属并剥离，形成晶体...

【技术特征摘要】
1. 一种晶体管T型纳米栅的制备方法，其特征在于，该方法包括A、在清洗干净的外延片上匀一层易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶，然后前烘；B、在所述第一层电子束胶上匀第二层电子束胶ZEP520A，然后前烘；C、在所述第二层电子束胶ZEP520A上匀一层易于实现去胶和剥离的第三层电子束胶，然后前烘；D、在所述第三层电子束胶上匀第四层电子束胶ZEP520A，然后前烘；E、进行栅帽版电子束曝光，依次显影第四层电子束胶ZEP520A和易于实现去胶和剥离的第三层电子束胶；F、进行栅脚版电子束曝光，依次显影第二层电子束胶ZEP520A和易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶；G、腐蚀栅槽，蒸发栅金属并剥离，形成晶体管T型纳米栅。2、 根据权利要求1所述的晶体管T型纳米栅的制备方法，其特征在 于，所述步骤A之前进一步包括清洗外延片，在130度的真空烘箱内将六甲基二硅氨垸HMDS蒸发 在清洗干净的外延片上，用于增加外延片与胶的粘附性。3、 根据权利要求2所述的晶体管T型纳米栅的制备方法，其特征在 于，所述清洗外延片的步骤包括先用丙酮冲洗，再用乙醇冲洗，然后用去离子水冲洗，如此反复至少 6次，最后用氮气吹干。4、 根据权利要求1所述的晶体管T型纳米栅的制备方法，其特征在 于，所述易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶为PMGI电子束胶，或为LOR胶；易于实现去胶和剥离的第三层电子束胶为PMGI电子束胶，或为 LOR胶。5、 根据权利要求1所述的晶体管T型纳米栅的制备方法，其特征在 于，歩骤A中所述第一层电子束胶在前烘前的厚度为300至700埃，典型 值为500埃；在前烘后的厚度为200至600埃，典型值为300埃；前烘条 件为在180度烘箱中烘6分钟。6、 根据权利要求1所述的晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘亮，张海英，刘训春，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]