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一种晶体管T型纳米栅的制备方法技术
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文档序号:3174562
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本发明公开了一种晶体管T型纳米栅的制备方法,包括:A.在清洗干净的外延片上匀一层易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶,然后前烘;B.在所述第一层电子束胶上匀第二层电子束胶ZEP520A,然后前烘;C.在所述第二层电子束胶ZEP520A上匀一层...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。
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