【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制造液晶显示单元的方法；尤其涉及一种用于液晶显示器 的制造液晶显示单元的方法。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器亮度不足及背光源耗电高一直是令人垢病的严重 问题。影响液晶显示器发光效果的参数之一为像素开口率，像素开口率的定义 为像素的透光面积与像素面积的比率。所以像素开口率的设计直接影响背光源 的利用率，也影响显示器的显示亮度。因此近年来改善像素开口率，意即增大 像素开口率，是非常重要的研发方向。业界也开发新技术以期能使液晶显示器 的开口率向上提升，达成具低耗电但高亮度的液晶显示器的目的。在薄膜晶体管液晶显示器设计中，为了增加开口率，现有技术的方法之一 是将像素电极(pixel electrode)(—般是一透明导电电极，例如Indium Tin Oxide)的面积增加，且与栅极电路及源极/漏极电路重迭，如此可以使得开 口率增加10 20%左右。但是此举将使像素电极趋于接近数据导线(data line)。若两者过于接近，两者间将进一步产生过大的寄生电容(parasitic capacitance) Cpd。以下进一步说明寄生电容Cpd的影响。于一...
【技术保护点】
一种制造一液晶显示单元结构的方法，其特征在于，包含：于一基板上形成一图案化第一金属层，其包含一栅极导线、一第一数据导线段及一下栅极垫；在该基板上依序形成一介电层、一半导体层及一光刻胶层；使用半调光掩膜进行微影程序； 移除部分该光刻胶层，形成多个第一开口以曝露该第一数据导线段两端上方的该半导体层表面，及至少形成一第二开口以曝露该下栅极垫上方的该半导体层表面；移除该些第一开口及该第二开口内的该半导体层及／或其下的该介电层；移除部份该光 刻胶层，使残余的该光刻胶层至少位于该栅极导线上方；移除未...
【技术特征摘要】
1.一种制造一液晶显示单元结构的方法，其特征在于，包含于一基板上形成一图案化第一金属层，其包含一栅极导线、一第一数据导线段及一下栅极垫；在该基板上依序形成一介电层、一半导体层及一光刻胶层；使用半调光掩膜进行微影程序；移除部分该光刻胶层，形成多个第一开口以曝露该第一数据导线段两端上方的该半导体层表面，及至少形成一第二开口以曝露该下栅极垫上方的该半导体层表面；移除该些第一开口及该第二开口内的该半导体层及/或其下的该介电层；移除部份该光刻胶层，使残余的该光刻胶层至少位于该栅极导线上方；移除未被该光刻胶层覆盖的该半导体层；移除剩余的该光刻胶层，以形成一图案化介电层及一图案化半导体层；形成一图案化第二金属层于该图案化介电层及该图案化半导体层上，其包含一共享电极线、一第二数据导线段及一上栅极垫，其中，该第二数据导线段通过该些第一开口与该第一数据导线段呈电性连接，该上栅极垫通过该第二开口与该下栅极垫呈电性连接；形成一图案化保护层；以及形成一图案化透明导电层。2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该形成该图案化保护层的步 骤包含形成一保护层；以及至少移除该第二开口上方的该保护层以暴露该第二开口内的该上栅极垫。3. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该图案化第二金属层还包含 位于该栅极导线上方的一源/漏极电极。4. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该图案化半导体层包含一非 晶硅层及一 N型离子重掺杂非晶硅层。5. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该保护层包括一氮化硅层。6. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该透明导电层包括一氧化铟锡层。7. —种制造液晶显示单元结构的方法，其特征在于，包含 于一基板上依序形成一第一数据导线段及覆盖该第一数据导线段的一图案化介电层，该图案化介电层具有多个第一开口位于该第一数据导线段两端； 形成一图案化半导体层于该数据导线上方；形成一第二数据导线段以及一共享电极线于该图案化半导体层上，该第二数据导线段通过该些第一开口与该第一数据导线段呈电性连接； 形成一图案化保护层；以及 形成一图案化透明导电层。8. 根据权利要求7的方法，其特征在于，该图案化半导体层包含一图案化第一半导体层及其上的图案化第二半导体层。9. 根据权利要求8的方法，其特征在于，形成该图案化半导体层的步骤包含形成一第一半导体层；形成一第二半导体层于该第一半导体层上；以及进行一微影及蚀刻程序以同时将该第一半导体层及...
【专利技术属性】
技术研发人员：李刘中，林祥麟，黄国有，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。