【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体双向触发管的结构,尤其涉及一种平面结构的负阻效 应双向触发导通二^L管。
技术介绍
双向触发导通二极管配合晶闸管广泛用于电源变换和整流,在手持电子设备 相当普及的今天是不可缺少的器件。传统的双向触发导通二极管由杂质对芯片的双 面扩散形成两个背靠背的PN结所构成。这种结构的双向触发导通二极管需要长时 间的高温扩散和仔细的台面加工,具有漏电大和导通电压过高的弱点。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种平面型的负阻效应双向触发导通二极管,它具有 漏电小、导通电压低以及工艺简单的优点。本专利技术的技术方案为本专利技术提供了一种平面型的负阻效应双向触发导通二 极管,包括一基片衬底以及生长于该基片衬底上的具有同样导电类型的一外延层;两个平面双极型晶体管,相邻且对称地形成于该外延层上,该两个平面双极 型晶体管共有一个集电区,发射区与各自的基区局部短路。上述的平面型的负阻效应双向触发导通二极管,其中,该两个平面双极型晶 体管的共有的集电区由该基片衬底和该外延层组成。上述的平面型的负阻效应双向触发导通二极管,其中,该两个平面双极型晶 体管的两个发射区分别位于对称的两个基区内,并通过一表面金属与基区形成局部 短路。上述的平面型的负阻效应双向触发导通二极管,其中,该表面金属作为该二 极管的两个引出端。上述的平面型的负阻效应双向触发导通二才及管,其中,该两个平面双才及型晶 体管的基区由离子注入形成。上述的平面型的负阻效应双向触发导通二极管,其中,该两个平面双极型晶 体管的基区由表面杂质扩散形成。上述的平面型的负阻效应双向触发导通二极管,其中,该两个平面 ...
【技术保护点】
一种平面型的负阻效应双向触发导通二极管,包括:一基片衬底以及生长于该基片衬底上的具有同样导电类型的一外延层;两个平面双极型晶体管,相邻且对称地形成于该外延层上,该两个平面双极型晶体管共有一个集电区,发射区与各自的基区局部短路。
【技术特征摘要】
1. 一种平面型的负阻效应双向触发导通二极管,包括一基片衬底以及生长于该基片衬底上的具有同样导电类型的一外延层;两个平面双极型晶体管,相邻且对称地形成于该外延层上,该两个平面双极型晶体管共有一个集电区,发射区与各自的基区局部短路。2.根据权利要求1所述的平面型的负阻效应双向触发导通二极管,其特征在 于,该两个平面双极型晶体管的共有的集电区由该基片衬底和该外延层组成。3. 根据权利要求1所述的平面型的负阻效应双向触发导通二极管,其特征在 于,该两个平面双极型晶体管的两个发射区分别位于对称的两个基区内,并通过一 表面金属与基区形成局部短路。4.根据权利要求3所述的平...
【专利技术属性】
技术研发人员:武鸿基,
申请(专利权)人:上海维恩佳得数码科技有限公司,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
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