高分子材料以及使用其的元件制造技术

本发明专利技术提供一种高分子材料，该高分子材料包含含有荧光性共轭系高分子（Ａ）和磷光性化合物（Ｂ）的组合物，或者包含在同一分子内具有该（Ａ）结构和该（Ｂ）结构的高分子，其特征在于，满足以下（１）、（２）及（３）条件。（１）荧光性共轭系高分子（Ａ）的发光峰波长的至少一个不到５００ｎｍ；（２）磷光性化合物（Ｂ）的发光峰波长为５００ｎｍ以上；（３）满足下式关系。ＥＴ↓［Ａ］－ＥＳ↓［Ａ０］≥（ＥＴ↓［Ｂ］－ＥＳ↓［Ｂ０］）－０．２（单位：ｅＶ）（Ｅｑ１）（式中，ＥＳ↓［Ａ０］表示荧光性共轭系高分子（Ａ）的基态能量，ＥＴ↓［Ａ］表示荧光性共轭系高分子（Ａ）的最低激发三重态的能量，ＥＳ↓［Ｂ０］表示磷光性化合物（Ｂ）的基态能量，ＥＴ↓［Ｂ］表示磷光性化合物（Ｂ）的最低激发三重态的能量。）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种高分子材料以及使用其的元件。技术背景多色发光或白色发光的有机EL元件不仅在平板显示器，还可以应用 于照明等众多用途中，所以近年来进行了很多研究。例如，公开有使用将 聚乙烯咔唑作为发光主体，向其中添加蓝色磷光性掺杂剂、红色磷光性掺 杂剂以及低分子电子输送材料的高分子材料的白色发光元件(非专利文献 1:月刊显示器，2002年，第8巻，9月号，47 51页((株)Technotimes 公司发行))。另外，还已知有使用将聚乙烯咔唑作为发光主体，向其中添 加蓝色荧光色素、绿色磷光色素以及红色磷光色素的高分子材料的白色发 光元件(专利文献l:特开2004—14155)。使用所述高分子材料的有机EL元件(高分子发光元件，高分子LED) 可以发出白光、多色光，由于其驱动电压高、发光效率不充分等，其性能 在实用上并不充分。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能够提供可以发出白光、多色光，可以以 低电压驱动，发光效率出色等实用性出色的元件的高分子材料。艮口，本专利技术提供一种包含含有荧光性共轭系高分子(A)和磷光性化 合物(B)的组合物，或者包含在同一分子内具有该(A)结构和该(B) 结构的高分子的高分子材料，其特征在于，满足以下(1)、 (2)及(3) 条件。(1) 荧光性共轭系高分子(A)的发光峰波长的至少一个不到500nm;(2) 磷光性化合物(B)的发光峰波长为500nm以上；(3)满足下式关系。ETa—ESao^ (ETb—ESbo) —0.2 (单位eV) (Eql) (式中，ESAo表示荧光性共轭系高分子(A)的基态能量，ETa表示 荧光性共轭系高分子(A)的最低激发三重态的能量，ESBQ表示磷光性发 光分子(B)的基态能量，ETb表示憐光性化合物(B)的最低激发三重态 的能量。)具体实施方式本专利技术的高分子材料(7)包含含有荧光性共轭系高分子(A)和磷 光性化合物(B)的组合物，或者包含在同一分子内具有荧光性共 轭系高分子(A)结构和磷光性发光分子(B)结构的高分子。对本专利技术的高分子材料中的荧光性共轭系高分子(A)的结构进行说明。荧光性共轭系高分子是指至少显示出荧光的共轭系高分子，共轭系高 分子是指例如在有机EL的话题(吉野胜美著，日刊工业新闻社)23 页中记载的重键与单键重复且较长地连接的分子。作为荧光性共轭系高分 子，作为典型的例子可以举出例如下述结构的重复结构或含有适当地组合 下述结构的结构的高分子。作为荧光性共轭系高分子(A)，可以举出在主链不含有芳香环的高 分子(例如聚乙炔类)或者在主链含有芳香环的高分子，但从聚合物的化 学稳定性的观点出发，优选在主链含有芳香环的高分子。在主链中含有芳香环的高分子中，优选在主链中含有可具有取代基的 亚苯基、芴、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硅杂环戊二烯(dibenzosilole)等芳香环作为重复单元的高分子，或者组合这些芳香环的共聚物，或者进 而组合其他重复单元的共聚物。具体而言，可以举出将可具有取代基的苯 环及/或下述通式(1)作为部分结构具有的高分子化合物。<formula>formula see original document page 7</formula>所述式中，m及n分别独立地表示0 4的整数，R,及R2分别独立 地表示氢原子、卤原子、烷基、烷氧基、芳基或与其他原子的键结。R, 及R2分别存在多个的情况下，它们相同或不同。X表示一0—、 一S — 、 一 Se—、 一B (R31) — 、 一Si (R32) (R33) — 、 一P (R34) — 、 一PR4 (= 0) — 、 一N (R35) — 、 一C (R36) (R37) —、 一C (R51) (R52) —C (R53) (R54) — 、 —O—C (R55) (R56) —、 一S—C (R57) (R58)—、一 N—C (R59) (Reo) — 、 —Si (Re,) (R62) —C (R ) (R^) —、 一Si (R65) (R66) —Si (R67) (R68) — 、 一C (R69) =C (R70) —、 —N= C (R71) — 、 一Si (R72) 二C (R73) —。在此，1131表示氢、烷基、链烯 基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳基烷氧 基、芳垸基硫基、芳基链烯基、芳基炔基、1价的杂环基或卤原子。R32 R37、 R^ R73分别独立地表示烷基、链烯基、炔基、烷氧基、垸硫基、芳 基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳烷基硫基、芳基链烯基、 芳基炔基、l价的杂环基或卤原子。)在此，作为卤原子，可以例示氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。作为垸基，可以为直链、支链或环状的任意一种。碳原子数通常为l IO左右，碳原子数优选为1 10。具体而言，可以举出甲基、乙基、丙基、 异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、环己基、庚基、辛基、2 一乙基己基、壬基、癸基、3， 7—二甲基辛基、月桂基、三氟甲基、五氟 乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基等，优选戊基、己基、辛基、2 — 乙基己基、癸基、3， 7 — 二甲基辛基。作为链烯基，可以为直链、支链或环状的任意一种。碳原子数通常为 2 10左右，碳原子数优选为2 10。具体而言，优选乙烯基、丙烯基、 丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基。作为炔基，可以为直链、支链或环状的任意一种。碳原子数通常为2~ IO左右，碳原子数优选为2 10。具体而言，优选乙炔基、丙炔基、丁炔 基、戊炔基、己炔基、庚炔基、辛炔基。烷氧基可以为直链、支链或环状的任意一种。碳原子数通常为1 10 左右，碳原子数优选为1 10。具体而言，可以举出甲氧基、乙氧基、丙 氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、辛氧基、2—乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3， 7 — 二甲基辛氧基、月桂氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己氧基、全氟辛氧基、甲氧基甲氧基、2—甲氧基乙氧基等，优选戊氧基、己 氧基、辛氧基、2—乙基己氧基、癸氧基、3， 7—二甲基辛氧基。垸硫基可以为直链、支链或环状的任意一种。碳原子数通常为1 10 左右，碳原子数优选为1 10。具体而言，可以举出甲硫基、乙硫基、丙 硫基、异丙硫基、丁硫基、异丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、己硫基、环己 硫基、庚硫基、辛硫基、2 —乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3， 7—二甲 基辛硫基、月桂硫基、三氟甲硫基等，优选戊硫基、己硫基、辛硫基、2 一乙基己硫基、癸硫基、3， 7 — 二甲基辛硫基。芳基的碳原子数通常为6 60左右，优选为6 48。具体而言，可以 例示苯基、d d2烷氧基苯基(d d2表示碳原子数为1 12。以下也 相同。)、d d2烷基苯基、l一萘基、2 —萘基、l一蒽基、2 —蒽基、9 一蒽基、五氟苯基等，优选C, d2垸氧基苯基、C, C,2烷基苯基。在 此，芳基是指从芳香族烃除去1个氢原子的原子团。在此，作为芳香族烃， 包括具有稠环的芳香族烃、独立的2个以上苯环或稠环直接或借助亚乙烯 基等基团结合而成的芳香族烃。作为d Q2烷氧基，具体而言，可以例示甲本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高分子材料，其是包含含有荧光性共轭系高分子（Ａ）和磷光性化合物（Ｂ）的组合物，或者包含在同一分子内具有该（Ａ）结构和该（Ｂ）结构的高分子的高分子材料，其特征在于，　　　　满足以下的（１）、（２）及（３）条件：　　　　（１）荧光性共轭系高分子（Ａ）的发光峰波长的至少一个不到５００ｎｍ；　　　　（２）磷光性化合物（Ｂ）的发光峰波长为５００ｎｍ以上；　　　　（３）满足下式关系，　　　　ＥＴ↓［Ａ］－ＥＳ↓［Ａ０］≧（ＥＴ↓［Ｂ］－ＥＳ↓［Ｂ０］）－０．２，其中，单位为ｅＶ，　　　　式中，ＥＳ↓［Ａ０］表示荧光性共轭系高分子（Ａ）的基态能量，ＥＴ↓［Ａ］表示荧光性共轭系高分子（Ａ）的最低激发三重态的能量，ＥＳ↓［Ｂ０］表示磷光性化合物（Ｂ）的基态能量，ＥＴ↓［Ｂ］表示磷光性化合物（Ｂ）的最低激发三重态的能量。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-8-12 234319/20051.一种高分子材料，其是包含含有荧光性共轭系高分子(A)和磷光性化合物(B)的组合物，或者包含在同一分子内具有该(A)结构和该(B)结构的高分子的高分子材料，其特征在于，满足以下的(1)、(2)及(3)条件(1)荧光性共轭系高分子(A)的发光峰波长的至少一个不到500nm；(2)磷光性化合物(B)的发光峰波长为500nm以上；(3)满足下式关系，ETA-ESA0≥(ETB-ESB0)-0.2，其中，单位为eV，式中，ESA0表示荧光性共轭系高分子(A)的基态能量，ETA表示荧光性共轭系高分子(A)的最低激发三重态的能量，ESB0表示磷光性化合物(B)的基态能量，ETB表示磷光性化合物(B)的最低激发三重态的能量。2. 根据权利要求1所述的高分子材料，其特征在于， 所述高分子为在同一分子内具有荧光性共轭系高分子(A)的结构和磷光性化合物(B)的结构的高分子。3. 根据权利要求2所述的高分子材料，其特征在于， 所述高分子为在荧光性共轭系高分子(A)的主链上具有磷光性化合物(B)结构的高分子。4. 根据权利要求2所述的高分子材料，其特征在于， 所述高分子为在荧光性共轭系高分子(A)的末端上具有磷光性化合物(B)结构的高分子。5. 根据权利要求2所述的高分子材料，其特征在于， 所述高分子为在荧光性共轭系高分子(A)的侧链上具有磷光性化合物(B)结构的高分子。6. 根据权利要求1所述的高分子材料，其特征在于， 所述高分子为含有荧光性共轭系高分子(A)和磷光性化合物(B)的组合物。7. 根据权利要求1 6中任意一项所述的高分子材料，其特征在于， 荧光性共轭系高分子(A)在主链上含有芳香环。8. 根据权利要求1 7中任意一项所述的高分子材料，其特征在于， 荧光性共轭系高分子(A)将可具有取代基的苯环及/或下述通式(1)作为部分结构具有，所述式中，m及n分别独立地表示0 4的整数；R,及R2分别独立地 表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、芳基或与其他原子的键结；在 R,及R2分别存在多个的情况下，它们相同或不同;X表示一0—、一S—、一 Se—、 —B (...

【专利技术属性】
技术研发人员：关根千津，秋野喜彦，石川美帆，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]