电容器装载型半导体器件制造技术

具有包括下述部件的结构，这些部件为：半导体芯片（１２），其设置有多个电极端子（１６、１８）；薄片状基板（２０），其至少具有膜状电容器；和安装基板（３２），其在一方的表面，具有与半导体芯片（１２）的电极端子（１６、１８）相对应地配置的芯片连接端子（３６ａ、３６ｂ）和与薄片状基板（２０）的膜状电容器的一方的电极端子（２８ｃ）相对应地配置的接地端子（３６ｃ），在另一方的表面，具有与芯片连接端子（３６ａ、３６ｂ）和接地端子（３６ｃ）相连接、用于安装到外部基板的外部连接端子。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在封装体中整体装载有用于去除半导体器件的噪声的电容 器的电容器装栽型半导体器件。
技术介绍
以往，在将半导体芯片装载在安装141而成的半导体器件中，为了吸 收噪声而在安装半导体器件的电路a上安装有芯片电容器。但是，在将 芯片电容器安装在电路M上时，半导体芯片与芯片电容器的布线长度会 变长。因此，噪声的吸收变得不充分，作为去耦电容器的性能下降。另夕卜， 包括芯片电容器从而具有不能使半导体器件整体小型化的问题。因此，正在进行通过在内装有电容器的内插件(interposer)或者半 导体芯片、与安装M之间配置具有电容器功能的元件，来用于实现小型 化的开发。例如，在特开2001-326305号爿;^艮(下面，记作专利文献l)中， 公开了如下所述的结构。在专利文献l中，公开了在内插件的与突起电极形成面相反一侧的面 上形成了电容器的结构。由此，能够将组装在内插件的电容器配置在半导 体芯片的紧下方的极其接近的位置，所以能够充分发挥作为去耦电容器的 性能。另外，能够在内插件的制造时同时设置多个电容器，所以也能够降 低制造成本。另外，在特开2003-142624号>^才艮(下面，记作专利文献2)中， 公开了内装旁路电容器(bypass condenser)等无源元件的内插件的制造方 法。在专利文献2中，公开了一种制造方法，包括将内装有无源元件的内插件形成在基体基板上的内插件形成工序，在形成在基体基板上的状态的内插件安装至少一个半导体芯片的半导体芯片安装工序，将基体I4l从 内插件分离、使内插件的另一个面露出的基体J4l分离工序，和经由从内插件的另一个面露出的电极衬垫(pad)将内插件安装在安装基板的内插 件安装工序。在该制造方法中，在到将半导体芯片安装在内插件为止的期间内，内 插件被固定在基体基板上。因此，内插件被基体M加强。另外，在去除 基体基板后也一样，由于安装有半导体芯片，所以该半导体芯片起到加强 功能。由此，能够一边防止内插件的制造工序中的变形、损伤， 一边实现 内装有旁路电容器的薄型的内插件。进而，在特开2004-55769号z^才艮(下面，记作专利文献3)中， 公开了包括下述部件的结构安装基板，安装在其上的半导体芯片，和能 够在半导体芯片的高频区域进行稳定工作的电容器。而且，电容器与半导 体芯片下表面的电极衬垫电连接。另外，形成有电容器的M的厚度构成 为，比半导体芯片的突起电极的高度小或者相等。此时，电容器被制造在 硅、玻璃等具有平滑性的^上。而且，通过从基板侧研磨电容器等，使 基板的厚度比半导体芯片的安装在安装基板时的突起电极的高度小或者为 相同程度的高度。由此，能够使半导体芯片与电容器间的布线长度为最短 距离。在上述专利文献l中，在形成内插件时同时也形成电容器。作为该电 容器，使用STO (锶钛氧化物)等。但是，锶钛氧化物为了得到良好的电介质特性，必须在较高的温度下 形成，并且要求绝缘体基体材料的表面光滑。因此，作为绝缘体基体材料， 不是一般所使用的印刷a用的树脂基体材料，必须使用硅、玻璃或者聚 酰亚胺树脂等。另外，由于在绝缘体基体材料上形成电容器以及通孔、布 线图形等，制造工序变得复杂，而且提高成品率也比较困难。另夕卜，在专利文献2中，当在基体14l上形成内装有电容器的内插件、 并将半导体芯片安装在该内插件之后，去除基体基板而安装在安装基板上。即，该内插件除了形成作为内插件而必需的通孔、布线图形等，还必须形成电容器。因此，使用硅M作为基体基板，形成BST膜(钡锶钛氧化膜) 作为电容器用的电介质膜。因此，在专利文献2中也一样，内插件的制造 工序变得复杂，不能提高成品率。上述专利文献1 、专利文献2公开了在内插件中内装有电容器的结构。 但是，制造内插件的工序如上所述变得复杂，所以不能提高成品率，难以 低成本地制造内插件。与此相对，专利文献3是在半导体芯片和安装 1之间配置有薄膜电 容器的结构。即，将仅形成有薄膜电容器的a配置在半导体芯片和安装 基板之间来安装，所以制造工序也变得简单。然而，薄膜电容器使用硅基板、玻璃J41，并形成于其上。因此，必 须分别正确地控制半导体芯片的突起电极的高度和形成薄膜电容器的硅基 板的厚度。例如，在形成有薄膜电容器的硅基板的厚度变厚时，会出现半 导体芯片因倒装芯片(flip chip)安装时的加压力而使电路形成面受到损伤 的情况。另外，向半导体芯片和安装141之间可靠地填充底部填充(under fill)树脂也变得困难，具有可信赖性降低的问题。
技术实现思路
本专利技术的电容器装栽型半导体器件，其结构是，包括半导体芯片， 其设置有多个电极端子；薄片状M，其具有膜状电容器；和安装基板， 其在一方的表面，具有与半导体芯片的电极端子相对应地配置的芯片连接 端子和与薄片状^的膜状电容器的一方的电极端子相对应地配置的接地端子，在另一方的表面，具有与芯片连接端子和接地端子相连接、用于安装到外部J^1的外部连接端子；其中，薄片状M净皮插入在半导体芯片与 安装基板之间；半导体芯片的电极端子和芯片连接端子被连接起来；膜状 电容器的一方的电极端子与接地端子相连接，另一方的电极端子与半导体 芯片的电极端子中预先设定的电极端子相连接。通过该构成，即使将具有电容器的薄片状 1插入半导体芯片与安装基板之间，也能使半导体器件的高度为与以往的构成相同的程度。其结果为，能实现薄型且小型、并且能防止噪声的内装有电容器的半导体器件。另外，因为与安装基板分别地形成具有膜状电容器的薄片状基板，因此能使各自的制造工序简化，并能使成品率提高。而且，通过对它们进行检查，仅使用合格品，也能使半导体器件的成品率提高，故能实现低成本 的半导体器件。附图说明图1A是在从本专利技术的第一实施方式所涉及的电容器装载型半导体器 件去除密封树脂的状态下从半导体芯片侧观察的俯视图。图1B是在本专利技术的第一实施方式所涉及的电容器装载型半导体器件 形成了密封树脂的状态下的沿着图1A的1B-1B线剖开的剖视图。图2A是作为本专利技术的第一实施方式所涉及的电容器装载型半导体器 件的构成要件的半导体芯片的俯视图。图2B是作为本专利技术的第一实施方式所涉及的电容器装载型半导体器 件的构成要件的薄片状M的俯视图。图2C是作为本专利技术的第一实施方式所涉及的电容器装载型半导体器 件的构成要件的安装基板的俯视图。图3A是在本专利技术的第一实施方式所涉及的电容器装载型半导体器件 的薄片状a的制造方法中、在薄片基体材料上形成了下层电极膜和另一 方的电极端子的状态的俯视图。图3B是在本专利技术的第一实施方式所涉及的电容器装载型半导体器件 的薄片状基板的制造方法中、形成了电介质膜的状态的俯^f见图。图3C是在本专利技术的第一实施方式所涉及的电容器装载型半导体器件 的薄片状基板的制造方法中、形成了上层电极膜和一方的电极端子的状态 的俯视图。图4A是沿着图3A的4A-4A线剖开的剖视图。 图4B是沿着图3B的4B-4B线剖开的剖视图。图4C是沿着图3C的4C-4C线剖开的剖视图。图5是在本专利技术的第一实施方式所涉及的电容器装载型半导体器件的 两面设置了膜状电容器的结构的薄片状基板的剖视图。图6是用于说明本专利技术的第二实施方式所涉及的电容器装载型半导体 器件的结构的剖3见图。图7A本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容器装载型半导体器件，其特征在于，包括：　　　　半导体芯片，其设置有多个电极端子；　　　　薄片状基板，其至少具有膜状电容器；和　　　　安装基板，其在一方的表面，具有与所述半导体芯片的所述电极端子相对应地配置的芯片连接端子和与所述薄片状基板的所述膜状电容器的一方的电极端子相对应地配置的接地端子，在另一方的表面，具有与所述芯片连接端子和所述接地端子相连接、用于安装到外部基板的外部连接端子；　　　　其中，所述薄片状基板被插入在所述半导体芯片与所述安装基板之间；　　　　所述半导体芯片的所述电极端子与所述芯片连接端子被连接起来；　　　　所述膜状电容器的所述一方的电极端子与所述接地端子相连接，另一方的电极端子与所述半导体芯片的所述电极端子中预先设定的电极端子相连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-9-6 257290/20051.一种电容器装载型半导体器件，其特征在于，包括半导体芯片，其设置有多个电极端子；薄片状基板，其至少具有膜状电容器；和安装基板，其在一方的表面，具有与所述半导体芯片的所述电极端子相对应地配置的芯片连接端子和与所述薄片状基板的所述膜状电容器的一方的电极端子相对应地配置的接地端子，在另一方的表面，具有与所述芯片连接端子和所述接地端子相连接、用于安装到外部基板的外部连接端子；其中，所述薄片状基板被插入在所述半导体芯片与所述安装基板之间；所述半导体芯片的所述电极端子与所述芯片连接端子被连接起来；所述膜状电容器的所述一方的电极端子与所述接地端子相连接，另一方的电极端子与所述半导体芯片的所述电极端子中预先设定的电极端子相连接。2. 如权利要求1所述的电容器装栽型半导体器件，其特征在于 当在所述安装1^上配置了所述薄片状^L、在所述薄片状M上配置了所述半导体芯片时，所述薄片状基板与所述安装基板具有所述膜状 电容器的所述一方的电极端子、所述另一方的电极端子、所述安装M的 所述芯片连接端子和所述接地端子分别露出的形状；所述半导体芯片的所述电极端子与所述芯片连接端子、所述膜状电容 器的所述一方的电极端子与所述接地端子、以及所述膜状电容器的所述另 一方的电极端子与所述半导体芯片的所述电极端子，分别通过引线而连接。3. 如权利要求l所述的电容器装载型半导体器件，其特征在于 所述半导体芯片，在所述电极端子的表面进一步设置有突起电极； 所述薄片状M，在与所述突起电极相对应的位置具有贯通孔，所述一方的电极端子以及所述另一方的电极端子延伸到所述贯通孔；所述薄片状M被粘贴在所述半导体芯片的所述突起电极形成面，并 且在所述薄片状基板的所述贯通孔中插入有所述半导体芯片的所述突起电极；比所述薄片状14l突出...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本宪一，末次大辅，光明寺大道，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]