【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及成像装置像素的光屏蔽领域。技术背景固态成像装置可包含光电子转换器，其将通过光学透镜接收到的光能转换成电能。 所述光电子转换器通常布置在像素阵列中。每个像素的特征是离散光传感器，其将接收 到的光信号的相应部分转换成电信号。每个光传感器所产生的电信号由像素和其它电路 处理，以再现表示从其接收到光能的来源的数字图像。理想地，由每个光传感器接收到的光直接从被成像的源行进穿过面向光刺激的像素 表面，并照射到光传感器。然而，事实上，进入光电子转换器的光通过像素结构的反射 和折射而散射。因此，个别光传感器可接收杂散光，例如打算用于阵列中的邻近光传感 器的光。此杂散光(称为光学串扰)降低了再现图像的质量和准确性。随着成像器 变得越来越小且阵列像素密度增加，与光学串扰相关联的问题变得越来越明显。光学串扰尤其在彩色成像器中成问题，其中每个像素承担专门的光检测角色。典型 像素中的光传感器对较宽光谱的光能敏感。因此，典型像素阵列提供黑白成像器。可使 用彩色滤光片来限制照射到光传感器的光的波长。在彩色成像器中，将彩色滤光片镶嵌 阵列(CFA)布置在到达光传感器的光...
【技术保护点】
一种成像器像素，其包括：衬底；光收集区域，其形成于所述衬底中；埋入触点，其形成于电荷收集区域上；以及滤光区域，其与所述埋入触点形成于同一平面水平上，且经布置以至少部分地覆盖所述光收集区域。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-6-9 11/148,5541.一种成像器像素，其包括衬底；光收集区域，其形成于所述衬底中；埋入触点，其形成于电荷收集区域上；以及滤光区域，其与所述埋入触点形成于同一平面水平上，且经布置以至少部分地覆盖所述光收集区域。2. 根据权利要求1所述的成像器像素，其中所述滤光区域和所述埋入触点由多晶硅形 成。3. 根据权利要求2所述的成像器像素，其中所述滤光区域和所述埋入触点由同一多晶 硅层形成。4. 根据权利要求l所述的成像器像素，其中所述滤光区域是电无源的。5. 根据权利要求1所述的成像器像素，其中将偏压施加到所述滤光区域，以防止暗电 流的积聚。6. 根据权利要求1所述的成像器像素，其中所述滤光区域接地。7. 根据权利要求1所述的成像器像素，其中所述滤光区域与所述光收集区域电子隔 离。8. 根据权利要求1所述的成像器像素，其进一步包括彩色滤光片，所述彩色滤光片经 布置以拦截朝所述光收集区域引导的光。9. 根据权利要求8所述的成像器像素，其中所述彩色滤光片是红色的。10. 根据权利要求l所述的成像器像素，其中仅针对红色像素形成所述滤光区域。11. 根据权利要求1所述的成像器像素，其中所述滤光区域由多晶硅层形成。12. —种成像装置，其包括-由衬底支撑的光传感器；由所述衬底支撑的像素组件材料层，所述像素组件材料经图案化以包括用于对电 像素组件进行操作的离散构造；以及层，其与所述像素组件材料层形成于同一平面水平上，所述层覆盖经配置以用作 滤光片的多个光传感器。13. 根据权利要求12所述的成像装置，其中所述像素组件层进一步包括覆盖所述像素 组件材料层的绝缘层。14. 根据权利要求13所述的成像装置，其中所述绝缘层是TEOS。15. 根据权利要求12所述的成像装置，其中所述滤光片层形成于红像素上。16. —种CMOS成像器，其包括以行和列布置在衬底上的成像器像素阵列，每个成像器像素包括光敏区域；由包括像素电路的衬底支撑的制造层；以及滤光区域，其与所述制造层形成于同一...
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