【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体装置领域，且明确地说，涉及用于图像传感器的经改进的电荷隔 离技术。技术背景图像传感器一般包含像素单元阵列。每一像素单元包含用于将入射在阵列上的光转 换成电信号的光电转换装置。图像传感器通常还包含用于控制所述阵列的装置且用于将 电信号转换成数字图像的外围电路。图1是典型的CMOS图像传感器IO的一部分的俯视平面框图。图像传感器10包含 布置成列和行(未图示)的像素单元阵列11。阵列11包含位于有源阵列区域12中的像 素单元20 (图2A)和位于暗校正区域13中的用于噪声或暗校正的像素单元20'(图3)。 图2A是典型像素单元20的示意图，且图2B是像素单元20的俯视平面图。暗校正像素 单元20'与有源阵列像素单元20具有相同的结构，并以类似的方式操作。因此，可如图 2A所示来配置暗校正像素单元20'。暗校正区域13类似于有源阵列区域12，只是通过(例如)金属层、黑色滤光片阵 列或任何不透明材料(在图3中描绘为14)来防止光到达暗校正像素单元20'的光电转换 装置。可使用来自暗校正像素单元20'的信号来确定阵列11的暗校正电平，使用暗校正 电...
【技术保护点】
一种像素阵列，其包括：多个有源阵列像素，其位于衬底上；多个暗校正像素，其位于所述衬底上；以及注入区域，其邻近于所述多个暗校正像素，用于吸收载流子。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-8-22 11/207,8111.一种像素阵列，其包括多个有源阵列像素，其位于衬底上；多个暗校正像素，其位于所述衬底上；以及注入区域，其邻近于所述多个暗校正像素，用于吸收载流子。2. 根据权利要求1所述的像素阵列 压源。3. 根据权利要求1所述的像素阵列 与所述衬底的底部之间。4. 根据权利要求1所述的像素阵列 与所述多个有源阵列像素之间。5. 根据权利要求1所述的像素阵列 之间包括与接地电压的连接。6. 根据权利要求4所述的像素阵列 连续区域。7. 根据权利要求4所述的像素阵列其中所述注入区域具有n型导电性，且连接到电 其中所述注入区域至少位于所述多个暗校正像素 其中所述注入区域至少位于所述多个暗校正像素 其进一步在所述多个暗校正像素与所述注入区域 其中所述注入区域是包围所述多个暗校正像素的其中所述注入区域包括位于所述多个暗校正像素 与所述衬底的底部之间的第一区域，和位于所述多个暗校正像素与所述多个有源阵 列像素之间的第二区域。8. 根据权利要求7所述的像素阵列，其中所述第一区域不连接到所述第二区域。9. 根据权利要求7所述的像素阵列，其中所述第二区域的掺杂浓度比所述第一区域的 掺杂浓度高。10. 根据权利要求9所述的像素阵列，其中所述第二区域的掺杂浓度在每立方厘米约1 X 1017个原子到每立方厘米约1 X 1018个原子的范围内，且所述第一区域的掺杂浓度 在每立方厘米约1X10个原子到每立方厘米约1乂1017个原子的范围内。11. 根据权利要求7所述的像素阵列，其中所述第二区域在其侧部和底部上具有注入区 域，所述注入区域的掺杂浓度为每立方厘米约1X10个原子到每立方厘米约IX 1017个原子。12. 根据权利要求7所述的像素阵列，其中所述第二区域的掺杂浓度与所述第一区域的 掺杂浓度相等。13. 根据权利要求7所述的像素阵列，其中所述第二区域的掺杂浓度比所述第一区域的掺杂浓度低。14. 根据权利要求7所述的像素阵列，其中所述第二区域具有隔开的开口。15. —种图像传感器，其包括有源阵列区域，其位于衬底上，用于从入射光产生图像信号；暗校正区域，其位于所述衬底上，用于产生暗校正信号以校正暗电流和按行时域 噪声；周边隔离结构，其包围所述暗校正区域，用于从所述有源阵列区域吸收来自横向 扩散的载流子；下伏隔离结构，其位于所述暗校正区域与所述衬底的底部之间，用于吸收穿过所 述衬底的下部的载流子。16. 根据权利要求15所述的图像传感器，其中所述下伏隔离结构是具有第一掺杂浓度 的第一n型注入物。17. 根据权利要求16所述的图像传感器，其中所述周边隔离结构包括具有第二掺杂浓 度的第二 n注入区域，和在其侧部和底部上包围所述第二 n注入区域的具有第三掺 杂浓度的n阱区域。18. 根据权利要求15所述的图像传感器，其中所述周边隔离结构与所述下伏隔离结构 接触。19. 根据权利要求15所述的图像传感器，其中所述周边隔离结构不与所述下伏隔离结 构接触。20. 根据权利要求17所述的图像传感器，其中所述第一掺杂浓度在每立方厘米约IX 1015个原子到每立方厘米约1 X 1018个原子的范围内，...
【专利技术属性】
技术研发人员：卡莱拉贾钦纳维拉潘，洪圣国，李季苏，克里斯S洪，
申请(专利权)人：普廷数码影像控股公司，
类型：发明
国别省市：KY[开曼群岛]
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