电流镜像电路制造技术

本发明专利技术涉及电流镜像电路。提供一种半导体器件，通过利用多晶硅将形成电流镜像电路的相邻ＭＯＳ晶体管的栅极彼此之间连接以及通过进一步将连接到衬底的熔丝连接到与多晶硅相连的栅极部分，其能够在半导体器件的制造工艺期间均匀地分布形成电流镜像电路的相邻ＭＯＳ晶体管的每个栅极上的电荷影响，并且能够通过将电荷分散到衬底来降低该影响。所述熔丝在调整工艺期间断开。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及形成电流镜像电路的方法，其抑制电流镜像电路的镜 像比的偏移。
技术介绍
图7是示出常规技术的电流镜像电路的基本电路结构图。如图7 所示，已知电流镜像电路包括两个p型M0S晶体管301和302。 M0S晶 体管301具有连接到电流源303的源极和具有连接到漏极的栅极，并 且其间的公共连接部分接地。另外，MOS晶体管302具有连接到MOS 晶体管301的栅极的栅极，连接到电流源303的源极，和接地的漏极。 端子之间的互连由金属线制成，诸如图7中所示的金属互连312.在具有上述结构的电流镜像电路中，输入电流il从电流源303提 供到MOS晶体管301的源极。流过MOS晶体管302的源极的输出电流 i2由施加到其栅极的电压控制。输入电流il和输出电流i2之间的比 率i2/il (电流镜像比)基于MOS晶体管301和MOS晶体管302之间的 晶体管尺寸W/L的比率来确定。在这种情况下，W表示MOS晶体管的柵 极宽度以及L表示MOS晶体管的栅极长度。例如，当形成电流镜像电 路的MOS晶体管301和MOS晶体管302之间的比率是1: 100时，流过 MOS晶体管301的电流的100本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电流镜像电路，包括：　　　　被提供输入电流的第一ＭＯＳ晶体管；和　　　　具有连接到第一ＭＯＳ晶体管的栅极的栅极的第二ＭＯＳ晶体管，用于产生其幅度是输入电流的幅度乘以电流镜像比的输出电流，其中：　　　　第一ＭＯＳ晶体管的栅极和第二ＭＯＳ晶体管的栅极均由多晶硅形成；并且　　　　第一ＭＯＳ晶体管的栅极和第二ＭＯＳ晶体管的栅极利用多晶硅彼此直接连接。

【技术特征摘要】
JP 2007-2-24 2007-0447781.一种电流镜像电路，包括被提供输入电流的第一MOS晶体管；和具有连接到第一MOS晶体管的栅极的栅极的第二MOS晶体管，用于产生其幅度是输入电流的幅度乘以电流镜像比的输出电流，其中第一MOS晶体管的栅极和第二MOS晶体管的栅极均由多晶硅形成；并且第一M...

【专利技术属性】
技术研发人员：南志昌，
申请(专利权)人：精工电子有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]