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本发明涉及电流镜像电路。提供一种半导体器件，通过利用多晶硅将形成电流镜像电路的相邻ＭＯＳ晶体管的栅极彼此之间连接以及通过进一步将连接到衬底的熔丝连接到与多晶硅相连的栅极部分，其能够在半导体器件的制造工艺期间均匀地分布形成电流镜像电路的相邻Ｍ...
该专利属于精工电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过精工电子有限公司授权不得商用。

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