用于制造非挥发性电阻式随机存储器的薄膜材料及方法技术

本发明专利技术涉及用于制造非挥发性电阻式随机存储器的薄膜材料及方法，其特征在于所述的薄膜材料以单晶硅为衬底组成的材料，通式为Ｒｅ↓［１－ｘ］Ｃｅ↓［ｘ］ＭｎＯ↓［３］，式中０＜ｘ＜１，Ｒｅ为稀土离子中的任一种；材料的高低电阻态之间的电阻值相差５～６数量级。本发明专利技术提供了相应的薄膜材料制作方法，并对薄膜材料的ＥＰＩＲ效应进行了测定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于制造非挥发性存储器的材料及其制造方法。属于新 材料领域。
技术介绍
非挥发性存储器(NVM)是指在电源切断后，所存储的信息不会失去的 一种存储器。非挥发性存储器广泛的应用于计算机、汽车、远程通讯和现代 工业等领域。20世纪50年代以来，相继专利技术了掩膜只读存储器(ROM)、 电可擦写只读存储器(EPROM)、电可写可擦只读存储器(EEPROM)以及 快闪存储器(FLASH)等非挥发性存储器。近些年来，随着计算机运算性 能的提高及微型化趋势，新兴的非挥发性存储器，如铁电存储器(FRAM)、 磁性存储器(MRAM)和相变存储器(OUM)得到了快速发展。针对信息市 场的发展趋势，具备存取速度快，成本低，制作简单，数据存储密度高，耗 电量低和具有无限擦写等特性的非挥发性存储器是未来的发展方向。目前的 情况是没有任何一类存储技术可以完全达到上述要求，所以世界上主要的半 导体和信息材料生产厂商都在加紧研发更新型的非挥发性存储器。高科技信息技术产业兴盛的重要原因之一便是数字技术所具有的存储和 拷贝功能，将复杂的模拟信号转换为简单的数字信号时，由于只有0和1 的信息，在存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造非挥发性电阻式随机存储器的薄膜材料，以单晶硅为衬底，其特征在于所提供的材料通式为：Ｒｅ↓［１－ｘ］Ｃｅ↓［ｘ］ＭｎＯ↓［３］，式中０＜ｘ＜１，Ｒｅ为稀土离子中的任一种。

【技术特征摘要】
1. 一种用于制造非挥发性电阻式随机存储器的薄膜材料，以单晶硅为衬底，其特征在于所提供的材料通式为Re1-xCexMnO3，式中0＜x＜1，Re为稀土离子中的任一种。2、 按权利要求1所述的用于制造非挥发性电阻式随机存储器的薄膜材 料，其特征在于所述的稀土离子为Nd，所述的x二0.3。3、 按权利要求1所述的用于制造非挥发性电阻式随机存储器的薄膜材 料，其特征在于所述的用于非挥发性电阻式随机存储器的薄膜材料的高低电 阻态之间的电阻值相差5 6个数量级。4、 制备如权利要求1所述的用于制造非挥发性电阻式随机存储器的薄膜 材料的薄膜方法，其特征在于a) 准备衬底在单晶Si片上，预先沉积550 650nm的SiO2和Ti过渡 层及Pt,将沉积好的单晶Si切割成正方形小片。先后使用蒸馏水，无水乙醇 和丙酮进行超声清洗，最后在丙酮溶液中提拉清洗并烘干备用；b) 过饱和溶液的配置按ReCexMn03， 0<x<l， Re为稀土离子中的任 一种，取相应的化学纯的醋酸盐粉体，置于适量的醋酸溶液中，加热至 100-140°C，搅拌使粉末溶解形成溶液。再将溶液升温至150 160。C，并持续 搅拌3 5小时后将溶液缓慢冷却，即得到过饱和溶液；c) 成膜工艺利用甩胶法在步骤a事先清洗好的衬底上制...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈立东，吴子华，王群，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]